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[实用新型]一种基于介电弹性体驱动器的蝴蝶仿生飞行机器人-CN202221894739.8有效
发明人：袁烨;黎宇哲;邓礼楠;沈逸;张竞豪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B64C33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于介电弹性体驱动器的蝴蝶仿生飞行机器人，属于软体机器人及软体驱动技术领域，包括躯干、翅膀，躯干为空腔，空腔的左右两侧分别设置有上下两个开口，空腔内置介电弹性体驱动器和十字形搭载平台，十字形搭载平台包括水平横梁和竖直梁，竖直梁位于水平横梁的中间并向两端等距延伸，竖直梁的上下两端连接有介电弹性体驱动器，介电弹性体驱动器向两侧延伸，分别穿过空腔的4个开口连接到翅膀，翅膀由介电弹性体驱动器驱动上下摆动本实用新型通过控制器周期性地调节输出电压，控制介电弹性体驱动器驱动软体翅膀进行周期性振动，从而模仿蝴蝶振翅的方式在空中飞行。
一种基于弹性体驱动器蝴蝶仿生飞行机器人

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200710006580.5无效
发明人：堀口贵弘;大见忠弘;平山昌树 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：微波等离子体处理装置(100)包括：使通过槽的微波透过的多个介电体元件(31)；和位于各介电体元件(31)下方的气体喷嘴(27)。介电体元件(31)和气体喷嘴(27)由多孔体(多孔质体)和主体(致密质体)形成。第一气体供给部，将氩气从各介电体元件(31)的多孔体(31P)供给至处理室内。第二气体供给部，将硅烷气体和氢气从气体喷嘴(27)的多孔体(27P)供给至处理室内。气体通过各多孔体时减速，由此，能够抑止气体的过度搅拌。结果，能够生成均匀的等离子体，这样能够形成优质的非晶硅膜。
等离子体处理装置方法

[发明专利]高介电材料-CN200910261885.X有效
发明人：刘淑芬;洪铭聪;陈碧义 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C04B26/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电材料，包括(a)0.6至1重量份的复合粉体，该复合粉体为导电-绝缘复合粉体、导电-半导复合粉体、或上述的组合；(b)58至79重量份的高介电陶瓷粉体；以及(c)20至41重量份的有机树脂上述高介电材料的介电常数大于100，在适当操作电压下其绝缘电阻大于1MΩ，漏电流小于50毫安，极适于作为埋入式电容性电路板的介电材料。
高介电材料

[发明专利]移动无线电天线-CN201710123258.4有效
发明人： A·福尔默;M·戈特尔 -专利权人：瑞典爱立信有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种移动无线电天线，尤其是涉及用于移动无线电基站的移动无线电天线，其具有至少一个偶极发射器和设置在所述偶极发射器上的介电体，其特征在于，所述介电体在主发射方向上的高度H为介电体在垂直于主发射方向上的横截面中的最大厚度
移动无线电天线

[发明专利]一种可低电压驱动的介电弹性体驱动器及其制备方法、换能器-CN201811100354.8有效
发明人：韩杨;吴晓宁;周占玉 -专利权人：北京中石伟业科技股份有限公司;北京中石伟业科技无锡有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种介电弹性体驱动器，所述介电弹性体驱动器具有多层结构；所述多层结构包括单层弹性体层及复合在所述单层弹性体层上下表面的单层电极层，或者单层弹性体层及单层电极层交替堆叠复合而成的多层；所述单层电极层的厚度小于等于1μm；所述单层弹性体层的厚度小于等于5μm。本发明将介电弹性体厚度降低到超薄的微纳米级别，通过控制介电弹性体驱动器的弹性体层厚度和电极层厚度，再结合适当的模量、方阻以及相对介电常数等参数，以及材料的选择，从而实现了能在低电压的情况下驱动，同时实现大形变，快速响应以及高弹性恢复的效果，使得介电弹性体具有作为换能器应用的价值。
一种电压驱动弹性体驱动器及其制备方法换能器

[发明专利]电磁波吸收体-CN201611011169.2在审
发明人：洪旺琪;崔在薰;郑恩;卓真必 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;汉阳大学校产学协力团
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： B32B15/092 文献下载
摘要：本发明提供一种改进特定频率的电磁波吸收率的电磁波吸收体。该电磁波吸收体包括介电层；第一金属导电层，其设置在介电层的第一表面上，具有位于关于介电层的中心对称的位置的狭槽；和第二金属导电层，其设置在介电层的第二表面上。
电磁波吸收体

[发明专利]微机电系统装置及其形成方法及集成芯片-CN201911174299.1在审
发明人：胡凡;郑创仁;陈相甫;戴文川 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：所述微机电系统装置包括第一介电结构，所述第一介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中第一介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在第一介电结构之上且包括可移动质量体，其中可移动质量体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。第一压电防粘连结构设置在可移动质量体与第一介电结构之间，其中第一压电防粘连结构包括第一压电结构及设置在第一压电结构与第一介电结构之间的第一电极。
微机系统装置及其形成方法集成芯片

[发明专利]FinFET器件及其制造方法-CN201210055762.2有效
发明人：陈祈铭;喻中一;黃和涌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：示例性半导体器件包括衬底，和设置在衬底上方的第一介电层。半导体器件还包括缓冲层，设置在衬底的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括绝缘体层，设置在缓冲层的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括设置在第一介电层和绝缘体层上方的第二介电层。此外，半导体器件包括鳍结构，设置在绝缘体层上方以及第二介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。本发明还公开了FinFET器件及其制造方法。
finfet 器件及其制造方法

[实用新型]晶片式电容器-CN01201553.9无效
发明人：林杰夫 -专利权人：林杰夫
申请日： 2001-01-16 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： H01G2/10 文献下载
摘要：包含壳套、介电质、弹性体及盖板,其中壳套形成电容器的外壳体,设有一开放的容室,该壳套的开口形成一环墙框;介电质被容置在壳套的容室,该介电质具有二引脚;弹性体的外径略大于容室内壁的内径,弹性体有二个以上穿孔、且通过介电质的引脚;盖板结合在壳套的墙框,且盖板设二穿孔、且穿过介电质的引脚。介电质结合定位可靠,构造简单、且制造容易。
晶片电容器

[发明专利]静电夹具以及制造其之方法-CN201580007196.X有效
发明人：理查德·A·库克;沃弗兰·内夫;卡罗·沃弗莱德;雅各·布莱辛斯基;麦克·汉那根;伟德·罗欧 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种静电夹具，包含：一陶瓷结构组件；至少一电极，配置于该陶瓷结构组件之上；以及一表面介电层，配置于该至少一电极上方，该表面介电层被该电极中之一电压启动而形成一电荷以静电式地箝夹一基板至该静电夹具。该表面介电层包含：(i)一非晶氧化铝绝缘体层，具有一小于大约5微米之厚度，配置于该至少一电极上方；以及(ii)一介电层堆栈，配置于该绝缘体层上方。该介电层堆栈包含：(a)包含氮氧化铝的至少一介电层；以及(b)包含氧化硅与氮氧化硅中至少一者的至少一介电层。
静电夹具以及制造方法

[发明专利]高介电常数LTCC介电组合物和装置-CN201680028114.4有效
发明人：小沃尔特·J·赛姆斯 -专利权人：费罗公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：电子装置是由介电组合物生产的，所述介电组合物包含前体材料的混合物，通过焙烧，其形成了包含钡‑钛‑钨‑硅氧化物的介电材料。
介电常数 ltcc 组合装置

[发明专利]高介电常数LTCC介电组合物和装置-CN201680028113.X有效
发明人：小沃尔特·J·赛姆斯 -专利权人：费罗公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C03C4/16 文献下载
摘要：电子装置是由介电组合物生产的，所述介电组合物包含前体材料的混合物，通过焙烧，其形成了包含钡‑锶‑钛‑钨‑硅氧化物的介电材料。
介电常数 ltcc 组合装置

[发明专利]介电弹性体换能器和介电弹性体换能器的制造方法-CN202080007987.3在审
发明人：千叶正毅;和气美纪夫;大屋纪之;竹下诚;上岛贡 -专利权人：千叶正毅;和气美纪夫;日本瑞翁株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种介电弹性体换能器(A1)，其具有介电弹性体层(11)和夹着介电弹性体层(11)的一对电极层(12)，电极层(12)包含来自碳纳米管的粉碎碳颗粒。
弹性体换能器制造方法

[发明专利]抑制背景镀覆-CN200910173391.6有效
发明人： R·K·巴尔;H·董;T·C·舒特 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种方法，包括在介电体上选择性沉积具有高透光率的相变阻挡物，以形成图案，蚀刻掉介电体上没有被该阻挡物覆盖的部分，并沉积金属晶种层到介电体的蚀刻部分上。然后通过光诱导的镀覆在金属晶种层上沉积金属层。
抑制背景镀覆

[发明专利]介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法-CN200510062574.2有效
发明人：武田宪一;伊福俊博;福井哲朗;舟洼浩;冈本庄司 -专利权人：佳能株式会社;舟洼浩
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：提供一种介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法。形成在基板上至少具有下部电极、{100}取向性介电层、上部电极的介电体时，至少其中某一个电极是由至少两层钙钛矿型氧化物导电层构成的，且是{100}取向。
介电体压电喷墨记录装置制造方法