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[发明专利]制备成型玻璃制品的方法和设备-CN201480038898.X有效
发明人：罗伟炜;E·帕尼戴斯;R·莱;I·M·斯莱特;L·尤克雷辛克;S·R·凡迪拉居;S·S·朱彼 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C03B40/04 文献下载
摘要：公开了一种使用三件套模具的方法，用于制备具有平面区域和弧形/弯曲区域的三维成型玻璃制品。所述方法包括将玻璃板放在具有成型表面的模具上，该成型表面具有用于所述成型玻璃制品的所需轮廓并且包括平面区域和弯曲区域；将平面区域柱塞移向玻璃板来压缩玻璃板；将对应于模具弯曲区域上方的区域的玻璃板部分加热到成型温度以上；将弯曲区域柱塞移向被加热的玻璃板来压缩被加热的玻璃板。当用弯曲区域柱塞来压缩被加热的玻璃板时，所述模具弯曲区域上方的区域中的玻璃板的温度比模具平面区域上方的区域中的玻璃板的温度要高。
制备成型玻璃制品方法设备

[发明专利]与垂直场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器单元-CN202080083203.5在审
发明人： A·雷茨尼采克;B·海克马特少塔巴瑞;安藤崇志;K·巴拉克瑞什那 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种单晶体管双电阻器(1T2R)电阻式随机存取存储器(ReRAM)结构及用于形成所述结构的方法，包括形成垂直场效应晶体管(VFET)，所述VFET包括位于沟道区域(502)上方和介电盖(708)下方的外延区域外延区域(810)包括由水平延伸超过沟道区域(502)的111平面界定的三角形形状的两个相对的突出区域。在VFET上共形地沉积ReRAM堆叠体。ReRAM堆叠体包括直接位于外延区域(810)上方的氧化物层(1910)、直接在氧化物层(1910)上方的顶部电极层(1912)和在顶部电极层(1912)上方的金属填充物(1920)。外延区域(810)的两个相对的突出区域中的每个充当ReRAM堆叠体的底部电极。
垂直场效应晶体管集成电阻随机存取存储器单元

[发明专利]半导体存储器装置-CN201811510481.5有效
发明人：金镇浩;金映奇;金定焕;成象铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板，其包括单元区域和细长区域；逻辑结构，其设置在基板上方，该逻辑结构包括逻辑电路元件以及电联接到逻辑电路元件的底部布线；源极板，其设置在逻辑结构上方；存储器结构，其包括多个存储器单元和多个栅极层，其中，所述多个存储器单元设置在单元区域的源极板上方，并且多个栅极层层叠在细长区域和单元区域的源极板上方以彼此分离，并且多个栅极层联接到所述多个存储器单元；以及第一狭缝，其在单元区域和细长区域之间的边界处切割源极板，其中，细长区域的源极板被浮置，而不管存储器单元和逻辑电路元件的操作如何。
半导体存储器装置

[外观设计]带选集功能的图形用户界面的显示屏幕面板-CN202030066427.8有效
发明人：孙畅 -专利权人：北京达佳互联信息技术有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：6.图形用户界面的用途：设计1主视图为作品详情页，界面上方为视频区域，视频区域下方为选集功能区，界面下方为剧集预览区。设计3主视图为作品详情页，界面上方为全屏视频区域，视频区域下方为选集功能区；界面下方为剧集预览区，预览区内显示提示信息。设计6主视图为作品详情页，界面上方为竖屏视频区域，视频区域下方显示剧集简介；界面下方为剧集预览区，预览区内显示提示信息。设计7主视图为作品详情页，界面上方为横屏视频区域，视频区域下方为选集功能区；界面下方为剧集预览区，预览区内显示提示信息。设计8主视图为作品详情页，界面上方为竖屏视频区域，视频区域下方显示剧集简介和集数选择控件，界面下方为剧集预览区。
选集功能图形用户界面显示屏幕面板

[发明专利]图像处理装置、自动分析系统以及图像处理方法-CN202080025465.6在审
发明人：柿下容弓;服部英春;坂诘卓;铃木洋一郎 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-01-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G01N35/10 文献下载
摘要：为了提供能够根据由一个照相机取得的图像来判定容器或采集对象的状态的图像处理装置、自动分析系统以及图像处理方法，而具备：图像取得部，其取得上方图像，所述上方图像是从上方拍摄收纳采集对象的容器而得到的图像，所述采集对象包括试样、试剂、反应溶液；区域计算部，其根据所述上方图像计算所述容器的边缘区域或所述采集对象的上表面区域；以及状态判定部，其基于所述边缘区域或所述上表面区域来判定所述容器或所述采集对象的状态
图像处理装置自动分析系统以及方法

[发明专利]LED装置及制造LED装置的方法-CN202180066636.4在审
发明人：刘颖俊;朱彤彤;穆罕默德·阿里 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：一种制造LED装置的方法包括步骤：提供模板，该模板包括III族‑氮化物材料的第一多孔区域；在该模板上且在该第一多孔区域上方形成第一LED结构；及在该模板上形成第二LED结构，其中该第二LED结构不位于该第一多孔区域上方一种LED装置包括：第LED结构，其在III族‑氮化物材料的第一多孔区域上方；及第二LED结构，其不位于该第一多孔区域上方。本文还提供了三色LED装置。
led 装置制造方法

[发明专利]具有插入层的体声波谐振器及滤波器-CN202310208461.7在审
发明人：高安明;姜伟 -专利权人：浙江星曜半导体有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有插入层的体声波谐振器及滤波器，涉及滤波器结构设计技术领域，包括衬底、声学镜、底电极、压电层、插入层以及顶电极，所述声学镜设置在衬底内或衬底上方，所述底电极设置在声学镜上方以及衬底上方，所述压电层设置在底电极上方以及衬底上方，所述插入层设置在压电层上方，所述顶电极设置在压电层上方以及插入层上方，所述顶电极或底电极上设置有连接部；所述顶电极、压电层、底电极以及声学镜四者投影重合的区域形成第一有效区域，所述第一有效区域外围形成第二功能区域和第三功能区域。
具有插入声波谐振器滤波器

[发明专利]一种CSP封装结构、制造方法及基于CSP封装结构的灯条-CN201911205465.X在审
发明人：刘国旭;李德建;申崇渝 -专利权人：易美芯光（北京）科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种CSP封装结构、制造方法及基于CSP封装结构的灯条，该CSP封装结构包括：芯片、封装胶和挡光胶；所述封装胶包覆在所述芯片侧面和顶面；所述挡光胶覆盖在所述封装胶顶面的局部区域，所述局部区域包括所述芯片在所述封装胶顶面对应的正上方区域本发明提供的技术方案通过在芯片正上方的封装胶顶面的局部区域涂覆挡光胶，对芯片正上方区域的光线进行遮挡，使得芯片正上方区域和芯片四周的出光一致或相近，即达到均匀出光的目的。
一种 csp 封装结构制造方法基于

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制造方法-CN201811440404.7有效
发明人：庄学理;陈胜昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁阻式随机存取存储器结构，所述磁阻式随机存取存储器结构包含阵列区域及毗邻于所述阵列区域的逻辑区域。所述逻辑区域包含底部电极通路、位于所述底部电极通路上方的磁阻式穿隧结层、位于所述MTJ上方的顶部电极、位于所述MTJ及所述顶部电极上方的保形氧化物层及位于所述保形氧化物层上方的氧化硅层。所述保形氧化物层及所述氧化硅层从所述阵列区域延伸到所述逻辑区域。
磁阻随机存取存储器结构及其制造方法

[实用新型]一种CSP封装结构及基于CSP封装结构的灯条-CN201922107875.2有效
发明人：刘国旭;李德建;申崇渝 -专利权人：易美芯光（北京）科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CSP封装结构及基于CSP封装结构的灯条，该CSP封装结构包括：芯片、封装胶和挡光胶；所述封装胶包覆在所述芯片侧面和顶面；所述挡光胶覆盖在所述封装胶顶面的局部区域，所述局部区域包括所述芯片在所述封装胶顶面对应的正上方区域本实用新型提供的技术方案通过在芯片正上方的封装胶顶面的局部区域涂覆挡光胶，对芯片正上方区域的光线进行遮挡，使得芯片正上方区域和芯片四周的出光一致或相近，即达到均匀出光的目的。
一种 csp 封装结构基于

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710104454.3有效
发明人：陈向东;杨海宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-04-23 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构，其包括第一场效应晶体管(“FET”)，第一FET具有第一沟道区域、第一源极区域、第一漏极区域以及覆于第一沟道区域上方的第一栅极导体。其中包含的第二FET具有第二沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域以及覆于第二沟道区域上方的第二栅极导体。第一和第二栅极导体是在第一和第二沟道区域上方延伸的单一细长导电部件的一部分。第一应力薄膜覆于第一FET上方，第一应力薄膜向第一沟道区域施加具有第一数值的应力。第二应力薄膜覆于第二FET上方，第二应力薄膜向第二沟道区域施加具有第二数值的应力。第二数值基本上不同于第一数值。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]透明显示装置-CN202210866540.2在审
发明人：朴宰希;任从赫;李美凜 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K59/40 文献下载
摘要：该透明显示装置包括：基板，其设置有多个透射区域和设置在彼此邻近的透射区域之间的非透射区域，非透射区域包括多个发光区域；多个发光元件，其在基板上方设置在多个发光区域中的每个发光区域中；多个触摸传感器，其在基板上方设置在多个透射区域中的每个透射区域中；多条触摸线，其在基板上方设置在非透射区域中并且在第一方向上延伸；以及多条桥接线，其在基板上方设置在非透射区域中并且在第二方向上延伸，以将设置在第二方向上的至少两个触摸传感器与多条触摸线中的一条触摸线连接
透明显示装置

[发明专利]一种加热装置及应用该加热装置的等离子体处理设备-CN200910076888.6无效
发明人：刘少锋 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种加热装置，包括托板和多个加热元件，其中，位于托板中心区域上方的加热元件的排列规则不同于位于托板边缘区域上方的加热元件，例如，多个加热元件可以按这样的规则排列：各个加热元件之间的水平距离相等，位于托板中心区域上方的加热元件到托板的垂直距离大于位于托板边缘区域上方的加热元件到托板的垂直距离；或者，各个加热元件到托板的垂直距离相等，位于托板中心区域上方的加热元件之间的水平距离大于位于托板边缘区域上方的加热元件之间的水平距离
一种加热装置应用等离子体处理设备

[发明专利]带有凹口的栅极结构制造-CN201910560029.8有效
发明人：陈建颖;张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括提供具有第一区域和第二区域的结构，第一区域包括第一沟道区域，第二区域包括第二沟道区域；在第一区域和第二区域上方形成栅极堆叠层；图案化栅极堆叠层，从而在第一沟道区域上方形成第一栅极堆叠件和在第二沟道区域上方形成第二栅极堆叠件；以及通过同时向第一区域和第二区域施加不同的蚀刻剂浓度来横向蚀刻第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部，从而在第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部处形成凹口。
带有凹口栅极结构制造

[实用新型]一种汽车多功能指示标签-CN201520218788.3有效
发明人：胡勇安;杨兴洪 -专利权人：胡勇安;杨兴洪
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车多功能指示标签，包括标签本体；所述标签本体中下部通过染色分为区域A、区域B和区域C，区域A和区域C分别位于区域B两侧；所述标签本体上部设有指示圈，指示圈共3个，分别为指示圈A、指示圈B和指示圈C，指示圈A设在区域A与区域B的交接处上方，指示圈B设在区域B与区域C的交接处上方，指示圈C设在区域C的末端上方；该汽车多功能指示标签贴在汽车前玻璃后，当车主驱动汽车行驶在道路上时，通过路肩线所在的区域
一种汽车多功能指示标签