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[实用新型]FPC板及扬声器-CN201820208414.7有效
发明人：陈国辉 -专利权人：瑞声科技(新加坡)有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种FPC板及扬声器，所述FPC板包括用于固定或连接的非震动区域和与该非震动区域连接的振动区域，所述非震动区域包括第一基材层、铺设于所述第一基材层上方的第一铜层及铺设于所述第一铜层上方的第一保护层，所述震动区域包括第二基材层、铺设于所述第二基材层上方的第二铜层、铺设于所述第二铜层上方的第一电镀金属层及铺设于所述第一电镀金属层上方的第二保护层，所述第一电镀金属层的活性小于铜的活性。本实用新型的FPC板通过在震动区域的第二铜层上增加第一电镀金属层，能够满足FPC产品高幅度及高寿命的震动要求，有效提升了震动区域的抗拉强度及延展性；提升了FPC的产品性能。
震动铜层电镀金属层基材层铺设扬声器本实用新型延展性第二保护层第一保护层产品性能区域连接振动区域高幅度高寿命

[发明专利]半导体熔丝结构以及制造该半导体熔丝结构的方法-CN202011026352.6在审
发明人： D·欧曼;J·W·霍尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种具有熔丝结构的半导体器件包括具有主表面的半导体材料区域。介电区域位于主表面上方。第一熔丝端子位于介电区域的第一部分上方，第二熔丝端子位于介电区域的第二部分上方，并且与第一熔丝端子间隔开以提供间隙区域，并且熔丝主体位于介电区域的第三部分上方，插置在第一熔丝端子与第二熔丝端子之间并且连接到该第一熔丝端子和该第二熔丝端子虚设结构位于间隙区域中的介电区域上方并位于熔丝主体的第一侧上，虚设结构与熔丝主体、第一熔丝端子和第二熔丝端子间隔开并且电隔离。
半导体结构以及制造方法

[发明专利]一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法-CN202210395533.9在审
发明人：郑伟;燕英强;凌云志;王垚;向迅;崔银花;何思亮;胡川;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法，场效应晶体管包括：基础衬底、复合衬底、单晶硅层、介电层、源极区域、漏极区域和栅极区域；基础衬底的表面依次层叠复合衬底、单晶硅层和介电层；复合衬底包括金刚石层和多晶硅层，金刚石层与基础衬底接触，多晶硅层与单晶硅层接触；单晶硅层的两端分别设置有源极掺杂区和漏极掺杂区，源极掺杂区的上方设有源极区域，漏极掺杂区的上方设有漏极区域；介电层设置在单晶硅层的表面；源极区域设置在源极掺杂区的上方的介质层，漏极区域设置在漏极掺杂区的上方的介质层，单晶硅层的未掺杂区的上方的介电层设置有栅极区域。
一种基于复合衬底场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]透明显示装置-CN202011498145.0在审
发明人：金义泰;金昌秀;申起燮;李昭易 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了可以提高透射区域中的透光率并且增加或最大化非透射区域中的发光面积的透明显示装置。该透明显示装置包括：基板，所述基板设置有包括透射区域和非透射区域的显示区域和包围所述显示区域的非显示区域，所述显示区域中设置有多个子像素；至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层被设置在所述基板上方；阳极电极，所述阳极电极被设置在所述至少一个绝缘层上方的所述多个子像素中的每一个中；堤部，该堤部被设置在所述阳极电极之间；发光层，该发光层被设置在所述阳极电极上方；以及阴极电极，该阴极电极被设置在所述发光层上方。所述至少一个绝缘层和所述堤部仅被设置在所述非透射区域中。
透明显示装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201410341585.3有效
发明人：余宗兴;刘佳雯;徐烨;后藤贤一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括位于半导体复合层中并邻近沟道的有源区域。该有源区域包括具有第一掺杂剂浓度的第一有源区域层、位于第一有源区域层上方并具有第二掺杂剂浓度的第二有源区域层、以及位于第二有源区域层上方并具有第三掺杂剂浓度的第三有源区域层。该沟道包括位于第一沟道层上方并包含碳的第二沟道层以及位于第二沟道层上方的第三沟道层。相较于不具有有源区域和沟道结构的半导体器件，有源区域结构提高了驱动电流并减小了接触电阻，并且该沟道结构增加了短沟道控制。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]像素阵列-CN202110138252.0在审
发明人：方俊霖;林炳豪;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素阵列可包含多个像素区域，所述多个像素区域包含第一像素区域及第二像素区域。像素阵列可包含在所述多个像素区域上方的金属格栅结构。像素阵列可包含光阻挡层。光阻挡层的第一部分可以在第一像素区域上方并且在金属格栅结构下方。第一部分可具有第一厚度。光阻挡层的第二部分可以在第二像素区域上方并且在金属格栅结构下方。第二部分可具有不同于第一厚度的第二厚度。
像素阵列

[发明专利]半导体结构-CN202310445493.9在审
发明人：薛东;李宗翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构，半导体结构包括：基底结构，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；停止层，位于基底结构上方且至少覆盖第一区域；第一对准标记，位于停止层上方且在基底结构顶面的投影位于第一区域；介质层，位于基底结构上方且在基底结构顶面的投影覆盖第二区域；再分布层，共形地覆盖部分停止层、第一对准标记和介质层，再分布层包括第二对准标记，第二对准标记位于第一对准标记的上方。
半导体结构

[实用新型]直播间多功能舞台的可调节灯光系统-CN202021537778.3有效
发明人：王笃森;储新颖 -专利权人：深圳市野兽数字科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H05B47/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直播间多功能舞台的可调节灯光系统，包括：按照离摄像镜头由近至远依次分布的细节展示灯、半身展示灯以及全身展示灯，细节展示灯分布在细节展示活动区域的前斜上方，其灯光照向细节展示活动区域的模特胸口位置；半身展示灯分布在半身展示活动区域的正上方，其灯光照向半身展示活动区域的模特正上方或模特肩膀位置；全身展示灯分布在全身展示活动区域的后斜上方，其灯光照向全身展示活动区域的模特肩膀位置。
直播多功能舞台调节灯光系统

[实用新型]一种新型隐茶杯-CN202123455638.9有效
发明人：何璧荣 -专利权人：广州旗小友贸易有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型隐茶杯，包括杯体，所述杯体内设有分隔件，所述分隔件将所述杯体底部分隔成多个用于装载茶叶的装茶区域，在所述装茶区域上方的杯体内壁上设有滤网，在所述滤网上方的杯体内壁上密封纸，也就是，例如装茶区域有4个，当戳穿一个装茶区域上方的密封纸时，热水只会进入到那一个装茶区域内实现浸泡，这种情况下，茶叶的浓度为最轻档，而需要进行增加浓度时，则继续戳穿下一个装茶区域上方的密封纸，结构简单，口味可选
一种新型茶杯

[发明专利]鳍式晶体管的源漏区中的共形缓冲层-CN201710072607.4在审
发明人： C·D·谢拉弗;裴成文;E·T·哈利;柯玥;亨利·K·乌托摩;Y·杨;任志斌 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式晶体管的源漏区中的共形缓冲层，其提供鳍式晶体管制造方法及结构，包括例如设置至少部分延伸于鳍片上方的栅极结构，该鳍片延伸于衬底结构上方，该栅极结构邻近该鳍片的至少一个区域设置；在该栅极结构上方及该鳍片的该至少一个区域上方共形设置保护膜；改性位于该鳍片的该至少一个区域上方的该保护膜以形成共形缓冲层，其中，该改性选择性改变位于该至少一个区域上方的该保护膜的结晶结构，从而使其成为该共形缓冲层，而不改变设于该栅极结构上方的该保护膜的该结晶结构；以及移除位于该栅极结构上方的该未被改变的保护膜，而保留位于该至少一个区域上方的该共形缓冲层，以形成该鳍式晶体管的源区及漏区。
晶体管源漏区中的缓冲

[发明专利]一种基于微机电系统的GaN基半导体气体传感器-CN202310867321.0在审
发明人：周清峰;梁健汉;宋志龙 -专利权人：艾感科技（广东）有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于微机电系统的GaN基半导体气体传感器，包括堆叠设置的如下部分：基底，包括具有腔体的衬底和配置于衬底上方的支撑层，其中，支撑层具有悬浮于腔体上方的有源区；加热层，配置于基底上方，包括与有源区至少部分重叠的加热丝；检测电极层，配置于加热层上方，其中，检测电极层具有与有源区至少部分重叠的传感区域；绝缘层，配置于加热层和检测电极层之间，具有与加热丝和传感区域至少部分重叠的有源区；感应层，配置于检测电极层上方，具有气敏材料；其中，加热丝至少部分在堆叠方向观察下包含于传感区域内并沿传感区域的间隔空间延伸，使得加热丝与传感区域各自覆盖的区域相对于彼此间隔。
一种基于微机系统 gan 半导体气体传感器

[实用新型]一种眼科手术用支架-CN202020272444.1有效
发明人：戴汉生 -专利权人：上海泓槿医疗科技发展有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： A61F9/00 文献下载
摘要：，包括硅胶枕、连接支叉和弧形撑杆；将硅胶枕垫在患者头部下方，凹陷槽位于人体颈部位置，减轻患者手术中的不适感；将弹性插接轴固定在固定孔槽内，使得支撑架整体结构与硅胶枕连接为一整体，两弧形支撑杆形成的操作区域正好位于患者眼部正上方，弹性夹圈与弧形撑杆之间形成夹持缝隙，将无菌巾边缘固定在夹持缝隙内，一侧无菌巾覆盖患者眼部上方头顶区域，一侧无菌巾覆盖患者眼部下方面部区域；呼吸区域刚好对应于患者的口鼻部上方，位于面部区域上方的无菌巾搭置在固定支轴及倾斜延伸轴上方，将与呼吸区域贴合的无菌巾部分剪出透气孔洞，便于患者在手术中进行呼吸。
一种眼科手术支架

[发明专利]用于使用高K金属栅堆叠使能多V_t装置的方法-CN200880113646.3有效
发明人： M·M·弗兰克;A·库马尔;V·纳拉亚南;V·帕鲁丘里;J·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-09-30 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：在一方面，一种半导体装置包含：基板，其具有第一和第二nFET区域，以及第一和第二pFET区域；在基板上的位于第一nFET区域上方的逻辑nFET；在基板上的位于第一pFET区域上方的逻辑pFET；在基板上的位于第二nFET区域上方的SRAM nFET；以及在基板上的位于第二pFET区域上方的SRAM pFET，各自包含栅堆叠，所述栅堆叠具有位于高K层上方的金属层。
用于使用金属堆叠使能多 sub 装置方法

[发明专利]对无人飞行器的三维网络覆盖建模-CN201880036982.6有效
发明人： S·P·墨菲 -专利权人： T移动美国公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H04W16/18 文献下载
摘要：本发明公开了生成覆盖模型以预测区域上方空域的垂直分层三维部分的网络覆盖鲁棒性。接收位于区域中的无线通信网络的多个基站的网络配置数据。接收环境数据，该环境数据包括有关所述区域的自然和人造特征的信息。将区域上方的空域分隔为多个垂直分层的三维部分。至少基于网络配置数据和环境数据生成覆盖模型，所述覆盖模型用于预测区域上方空域中三维部分中无线通信网络的网络覆盖。
无人飞行器三维网络覆盖建模

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202010009273.8在审
发明人：古尔巴格·辛格;王柏仁;庄坤苍;蔡宗翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置包括设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的栅极结构以及设置在第一源极/漏极区域上方的第一接触件。该半导体装置包括设置在第二源极/漏极区域上方的第二接触件以及设置在第一接触件和第二接触件之间以及栅极结构上方的气隙。本发明的实施例还涉及形成半导体装置的方法。
半导体装置及其形成方法