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[发明专利]用于从有机生物质中生产和回收羧酸盐的流化链延长膜生物反应器-CN202180074977.6在审
发明人：帕斯卡尔·赛卡吕;徐嘉杰;卞斌;穆罕默德·阿里 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：公开了用于从有机生物质中生产和回收中链羧酸盐的生物反应器。还公开了用于改进从有机生物质中生产和回收中链羧酸盐的方法。所述生物反应器可以用作链延长生物反应器，并且其使用方法导致改进的从有机生物质中生产和回收中链羧酸盐。所述生物反应器包括由一个或多个壁和长度限定的壳，和置于所述反应器内用于连续液‑液萃取的多个多孔中空纤维膜，以及作为生物载体的颗粒活性炭(GAC)。所述多个中空纤维膜被安装成使得所述壳的一定百分比的所述长度保持未被所述多个多孔中空纤维膜占据。
用于有机生物生产回收羧酸流化延长生物反应器

[发明专利]LED装置-CN202180076159.X在审
发明人：朱彤彤;刘颖俊;穆罕默德·阿里 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种LED装置，包括多个发光二极管(LED 120、130、140)和被布置为对由多个LED发射的光进行过滤的滤光器(200)。滤光器包括第一区域(20)，其被布置为对从多个LED的第一部分发射的光进行过滤，其中，滤光器的第一区域包括分布式布拉格反射器(DBR)，其被配置为防止透射预定波长λ1的光。LED装置可以包括定位在LED的第一部分与DBR之间的颜色转换材料，该颜色转换材料被配置为发射与第一部分LED的发射波长λx不同的一个或多个波长的光。还提供了滤光器和制造方法。
led 装置

[发明专利]LED装置及制造LED装置的方法-CN202180067476.5在审
发明人：刘颖俊;朱彤彤;穆罕默德·阿里 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：一种制造LED装置的方法包括步骤：在第一LED结构上方形成第二LED结构，其中所述第一或第二LED结构中的至少一者位于III族‑氮化物材料的多孔区域上方。LED装置包括位于第一LED结构上方的第二LED结构，其中所述第一或第二LED结构中的至少一者位于III族‑氮化物材料的多孔区域上方。本文还提供了LED阵列及三色LED装置。
led 装置制造方法

[发明专利]LED装置及制造LED装置的方法-CN202180067477.X在审
发明人：朱彤彤;刘颖俊;穆罕默德·阿里 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：一种制造LED装置的方法包括步骤：在III族‑氮化物材料的多孔区域上方形成III族‑氮化物材料的n掺杂连接层；在该n掺杂连接层上形成第一电绝缘掩模层；移除该第一掩模层的一部分以暴露该n掺杂连接层的第一暴露区域；在该n掺杂连接层的该第一暴露区域上形成配置成以第一发射波长发光的第一LED结构；在该第一LED结构及该n掺杂连接层上方形成第二电绝缘掩模层；移除该第二掩模层的一部分以暴露该n掺杂连接层的第二暴露区域；及在该n掺杂连接层的该第二暴露区域上形成被配置成以与第一发射波长不同的第二发射波长发光的第二LED结构。本文还提供了LED装置、LED的阵列及三色LED装置。
led 装置制造方法

[发明专利]LED装置及制造LED装置的方法-CN202180067709.1在审
发明人：朱彤彤;刘颖俊;穆罕默德·阿里 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管(LED)包括：n掺杂部分；p掺杂部分；及发光区域，其设置在该n掺杂部分与该p掺杂部分之间。该发光区域包括：发光层，其在电偏压通过的情形下以在400nm至599nm之间的峰波长发光；III族‑氮化物层，其设置在该发光层上；及III族‑氮化物势垒层，其设置在该III族‑氮化物层上。该发光二极管包括III族‑氮化物材料的多孔区域。本文还提供了LED阵列及制造LED的方法，该LED在电偏压作用下具有在400nm至599nm之间的峰发射波长。
led 装置制造方法

[发明专利]LED装置及制造LED装置的方法-CN202180066636.4在审
发明人：刘颖俊;朱彤彤;穆罕默德·阿里 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：一种制造LED装置的方法包括步骤：提供模板，该模板包括III族‑氮化物材料的第一多孔区域；在该模板上且在该第一多孔区域上方形成第一LED结构；及在该模板上形成第二LED结构，其中该第二LED结构不位于该第一多孔区域上方。一种LED装置包括：第LED结构，其在III族‑氮化物材料的第一多孔区域上方；及第二LED结构，其不位于该第一多孔区域上方。本文还提供了三色LED装置。
led 装置制造方法

[发明专利]微型LED及其制造方法-CN202180019209.0在审
发明人： 穆罕默德·阿里;刘颖俊;朱彤彤 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种制造微型LED的方法包括以下步骤：在III族氮化物材料的多孔区域上方形成III族氮化物材料的n掺杂连接层；以及在n掺杂连接层上形成电绝缘掩模层。方法包括以下步骤：去除掩模的一部分以暴露n掺杂连接层的暴露区域；以及在n掺杂连接层的暴露区域上形成LED结构。一种制造微型LED阵列的方法包括以下步骤：去除掩模的一部分以暴露n掺杂连接层的暴露区域的阵列；以及在n掺杂连接层的各个暴露区域上形成LED结构。还提供了微型LED和微型LED阵列。
微型 led 及其制造方法

[发明专利]半导体结构和制造方法-CN202180020645.X在审
发明人： 穆罕默德·阿里;雷切尔·奥利弗;朱彤彤 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种半导体结构包括：第一III族氮化物材料层，其具有第一晶格尺寸；第二III族氮化物材料的无孔层，其具有不同于第一晶格尺寸的第二晶格尺寸；以及III族氮化物材料的多孔区域，其布置在第一III族氮化物材料层与第二III族氮化物材料的无孔层之间。还提供了光电子半导体器件、LED和制造半导体结构的方法。
半导体结构制造方法

[发明专利]红色LED和制造方法-CN202180019222.6在审
发明人： 穆罕默德·阿里;刘颖俊;朱彤彤 -专利权人：波拉科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：一种红色发光二极管(LED)包括：n掺杂部分；p掺杂部分；以及位于n掺杂部分与p掺杂部分之间的发光区域。发光区域包括：发光氮化铟镓层，其在跨越其的电偏压下发射峰值波长在600nm至750nm之间的光；III族氮化物层，其位于发光氮化铟镓层上；以及III族氮化物势垒层，其位于III族氮化物层上，并且发光二极管包括III族氮化物材料的多孔区域。还提供了红色小型LED、红色微型LED、微型LED阵列、以及制造红色LED的方法。
红色 led 制造方法

[发明专利]通过EBSD技术提取晶体中特定晶面的方法-CN201811416039.6有效
发明人：李阁平;张英东;刘承泽;袁福森;韩福洲;穆罕默德·阿里;郭文斌;顾恒飞 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供通过EBSD技术提取晶体中特定晶面的方法，包括以下步骤：1)制备EBSD样品；2)对EBSD样品进行扫描，获得选定的观察面的不同取向晶面的信息；3)通过CHANNEL5软件处理EBSD系统获取的不同取向晶面的信息：先通过软件得出该晶体的IPF图；再导出极图和反极图，选定我们要抽取那种类型晶面的极图，观察要抽出的晶面极图中心内晶粒的颜色，确定该晶面相对应的颜色表示；最后用本申请所叙述的方法提取出晶体中某种类型的晶面。通过该方法可以分析晶体内某种特殊晶面的尺寸、分布，对晶体枳构，晶体氧化腐蚀等方面的影响；同时，通过EBSD原位观察，实现不同热处理后，某些特殊晶面单独抽取，能够了解特殊晶面的形成、长大过程随温度的变化。
通过 ebsd 技术提取晶体特定方法

[发明专利]一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法-CN201910293624.X有效
发明人：李阁平;张英东;刘承泽;袁福森;韩福洲;穆罕默德·阿里;郭文斌;马广财;顾恒飞 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：一种通过EBSD技术计算材料氧化膜底部晶面取向的方法。该方法主要根据计算晶面的样品坐标方向，结合EBSD系统中样品坐标系与晶体坐标系的转换关系，以及通过晶面法向量公式计算与转化，最终获得与观察晶面垂直的晶面取向信息。该方法计算过程如下步骤：先制备氧化膜与基体的EBSD样品。在带有EBSD探头的扫描电镜进行EBSD测试，最终获得基体的晶体取向信息‑欧拉角信息；通过EBSD系统配套的CHANNEL5软件获得基体中晶粒的IPF图，通过测量软件测定与氧化膜接触的晶粒在样品坐标系下的法向。然后根据测定晶粒的欧拉角信息，通过样品坐标系与晶体坐标系的矩阵转换关系，最终得出垂直该晶粒的晶面的法向量。
一种通过 ebsd 技术计算材料氧化底部取向方法

[发明专利]通过EBSD技术和维氏硬度计来计算孪晶临界分切应力的方法-CN201911126572.3有效
发明人：李阁平;张英东;袁福森;韩福洲;穆罕默德·阿里;郭文斌;任杰;刘承泽;顾恒飞 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N23/2005 文献下载
摘要：通过EBSD技术和维氏硬度计来计算孪晶的临界分切应力的方法。该方法主要通过对不同载荷的维氏硬度压痕几何分析计算，结合EBSD标定晶体取向和孪晶的功能，最终获得孪晶的临界分切应力。该方法计算过程如下步骤：先制备EBSD块状样品，通过化学擦拭腐蚀或者机械振动抛光保证样品表面的平整度；在金相显微镜和EBSD测定样品某一区域，并且用维氏硬度标记位置；然后通过不同载荷的维氏硬度对该区域进行硬度测试，直至某一载荷下，硬度压痕旁边出现孪晶，并且记录硬度压痕的对角线大小以及硬度数值；接着用EBSD标定这种孪晶的类型，最后通过该载荷下的硬度压痕几何分析计算结合Schmid因子计算，进而获得孪晶的临界分切应力。
通过 ebsd 技术硬度计计算临界应力方法

[发明专利]半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法-CN202080020843.1在审
发明人：斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;阿尔弗雷德·莱尔;穆罕默德·阿里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22)，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。
半导体激光二极管用于制造方法

[发明专利]将多个辐射点投影到对象表面上的设备和方法-CN202080021277.6在审
发明人：伯恩哈德·斯托耶茨;哈拉尔德·柯尼希;阿尔弗雷德·莱尔;穆罕默德·阿里 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H04N9/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于将多个辐射点投影到对象表面(3)上的设备以及方法，设备具有：至少一个辐射源(1)，辐射源具有多个用于发射电磁辐射的发射器(2)；具有至少一个射线路径(4)，经由其使得至少暂时由发射器(2)发射的辐射在到对象表面(3)上的方向上被偏转；并且具有控制器(5)，其为了改变发射的辐射的至少一个属性而根据在对象表面(3)上待产生的光对象驱控辐射源(1)。控制器(5)实施为，使得为了改变发射的辐射的至少一个属性而根据待产生的光对象分别单独驱控辐射源(1)的多个发射器(2)中的至少两个，并且在射线路径(4)中布置至少一个光学元件(6)以用于成形、偏转和/或转换电磁辐射。
将多个辐射投影对象表面上设备方法

[发明专利]光电子组件和用于制造光电子组件的方法-CN201980080437.1在审
发明人：斯文·格哈德;安德烈·萨默斯;哈拉尔德·考尼格;穆罕默德·阿里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：提出了一种光电子组件(1)，其具有：‑在运行中产生电磁辐射的光电子半导体芯片(2)，和‑布置在半导体芯片(2)上的金属层(3)，其中，‑金属层的外表面(4)具有结构化部(5)，‑借助于结构化部(5)实现识别组件(1)，并且‑金属层(3)连贯地构成。还提出一种用于制造光电子组件(1)的方法。
光电子组件用于制造方法

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