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[发明专利]一种基于石墨烯场效应晶体管的制备方法-CN201410052321.6有效
发明人：王权;毛伟;葛道晗;张艳敏;邵盈;刘小颖 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯场效应晶体管，特指一种基于石墨烯场效应晶体管的制备方法。对于基于改性的石墨烯场效应晶体管而言，退火作用减弱了场效应晶体管的输出非线性，引入的压应变打开石墨烯的能带结构，提高石墨烯场效应晶体管的开关比，促进了场效应晶体管在逻辑电路中的应用。
一种基于石墨场效应晶体管制备方法

[发明专利]纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管-CN200510018700.4无效
发明人：张洪涛;许辉 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合各种半导体技术工艺，用纳米线碳化硅构造碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管可以分为单纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管和多纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管。纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管具有耐高温、耐苛刻环境、耐高电压和低导通电阻等一系列特点，广泛用于电力电子领域。
纳米碳化硅金属半导体场效应晶体管

[实用新型]一种反接保护自激震荡高频变换电路-CN201220396044.7有效
发明人：王艳 -专利权人：成都方拓科技有限公司
申请日： 2012-08-12 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H05B41/285 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反接保护自激震荡高频变换电路，主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路组成，其特征在于：在场效应晶体管Q1的集电极与场效应晶体管
一种反接保护震荡高频变换电路

[发明专利]一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法-CN200910078555.7有效
发明人：付晓君;张海英;徐静波;黎明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。
一种制备悬浮 zno 纳米场效应晶体管方法

[发明专利]半导体器件-CN201310095065.4有效
发明人：竹前义博 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一场效应晶体管（31），具有被赋予第一电位的一个端子；第二场效应晶体管（32），具有被赋予小于第一电位的第二电位的一个端子；控制器（1），控制第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的每一个控制端子的每一个电位；电容元件（4），具有连接至第一场效应晶体管的控制端子的一端，该电容元件通过控制器的控制来充电；以及负载元件（5），连接在第一场效应晶体管的另一个端子与第二场效应晶体管的另一个端子之间。
半导体器件

[发明专利]同步整流电路、对应的装置和方法-CN201910308755.0有效
发明人： I·C·马西米亚尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：感测端子被配置为感测场效应晶体管的漏极至源极电压，并且驱动端子被配置为驱动场效应晶体管的栅极端子以交替地接通和关断场效应晶体管以提供场效应晶体管的沟道中的经整流的电流流动。比较器被配置为执行场效应晶体管的漏极至源极电压与参考阈值的比较并检测参考阈值与漏极至源极电压的交替向下和向上交叉。PWM信号发生器被配置为驱动场效应晶体管的栅极端子以由于由漏极至源极电压对参考阈值的交替向下和向上交叉而接通和关断场效应晶体管。
同步整流电路对应装置方法

[实用新型]同步整流电路-CN201920521421.7有效
发明人： I·C·马西米亚尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：感测端子被配置为感测场效应晶体管的漏极至源极电压，并且驱动端子被配置为驱动场效应晶体管的栅极端子以交替地接通和关断场效应晶体管以提供场效应晶体管的沟道中的经整流的电流流动。比较器被配置为执行场效应晶体管的漏极至源极电压与参考阈值的比较并检测参考阈值与漏极至源极电压的交替向下和向上交叉。PWM信号发生器被配置为驱动场效应晶体管的栅极端子以由于由漏极至源极电压对参考阈值的交替向下和向上交叉而接通和关断场效应晶体管。
场效应晶体管源极电压漏极效应晶体管栅极端子配置驱动场关断参考接通同步整流电路电流流动感测端子驱动端子比较器感测沟道检测申请

[实用新型]电动工具-CN202220028327.X有效
发明人：缪海俊;闵军辉;陆骏 -专利权人：苏州宝时得电动工具有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电动工具，其通过设置第一散热部和第二散热部，该第一散热部和第二散热部分别包括安装部和安装在安装部上的鳍片组，鳍片组内的第一基本鳍片在安装部上并与场效应晶体管板平行，第二基本鳍片垂直安装在第一基本鳍片上且与中心平面平行，并朝向背离场效应晶体管板方向延伸，至少两个拓展鳍片沿垂直于场效应晶体管板方向排布在第二基本鳍片上，且从第二基本鳍片平行于中心平面的至少一侧面伸出。通过合理的鳍片布置而使冷却空气通过第一散热部和第二散热部将热量带走，从而加快散热。
电动工具

[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法-CN200710118153.6无效
发明人：于贵;狄重安;郭云龙;徐新军;刘云圻;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了有机场效应晶体管及其制备方法。本发明所提供的有机场效应晶体管，包括衬底，和设于衬底上的栅极电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中，有机场效应晶体管为上电极结构，源电极和漏电极均为铜。本发明以低功函、低成本的铜为晶体管的源漏电极，得到具有良好性能的上电极结构的有机场效应晶体管，很大程度上降低了有机场效应晶体管的成本，并且工艺简单，成本低廉；本发明上电极结构的有机场效应晶体管具有和金为源漏电极的晶体管相当的高性能，同时，由于铜在无机工艺广泛应用性，使得本发明有机场效应晶体管具有更好的无机工艺兼容性，应用范围更加广泛。
一种有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]可消除非理想参考地影响的传输阻抗放大器-CN201510698628.8在审
发明人：李晓波;曹正军;吴烜 -专利权人：南京美辰微电子有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明包括恒流源、三个场效应晶体管和三个电阻，第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电阻、第二电阻和恒流源构成传统的传输阻抗放大器，第三场效应晶体管和第三电阻构成一个虚拟增益级。第三场效应晶体管中的电流极性与第一场效应晶体管中的电流极性相反，适当调节两场效应晶体管的大小，能够使两场效应晶体管中的电流满足幅度相同、相位相反的要求，使非理想参考地变成理想的虚拟参考地，消除非理想地对输出信号的影响
消除理想参考影响传输阻抗放大器

[发明专利]一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路-CN202011150124.X在审
发明人：叶乐;王志轩;黄芊芊;王阳元;黄如 -专利权人：北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本申请公开了一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路，逻辑电路的生成方法包括：设计并生成初始隧穿场效应晶体管逻辑电路，初始隧穿场效应晶体管逻辑电路包括至少一个逻辑门；确定逻辑门的串联支路中与逻辑门的输入节点连接的第一隧穿场效应晶体管；使用场效应晶体管替换第一隧穿场效应晶体管；在逻辑门的串联支路与逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管，生成逻辑电路。能够克服隧穿场效应晶体管在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，以及克服替换入逻辑门中的场效应晶体管所导致的漏电流增大的缺陷，从而逻辑门由于其串联支路中电流衰减过大导致的性能、噪声容限等发生退化，提高逻辑电路的性能
一种逻辑电路生成方法装置门电路

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管占空比控制器-CN202211627980.9在审
发明人：张栋映;S·E·菲恩 -专利权人：瑞萨电子美国有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03K3/017 文献下载
摘要：本公开涉及金属氧化物半导体场效应晶体管占空比控制器。在实施例中，公开了一种包括占空比控制器的装置。占空比控制器包括调谐电路，该调谐电路包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管被配置为实施为电容器。边沿延迟电路包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管在被占空比控制器的输入时钟信号激活时被配置为将电压源连接到占空比控制器的输出时钟信号。边沿延迟电路还包括第三场效应晶体管，该第三场效应晶体管在被激活时被配置为将调谐电路的所述第一场效应晶体管连接到输出时钟信号。
金属氧化物半导体场效应晶体管控制器

[发明专利]模拟前端的PWM控制-CN202211548532.X在审
发明人： G·J·梅哈斯;朴太光;G·菲利奥齐 -专利权人：瑞萨电子美国有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02J50/12 文献下载
摘要：在一个实施例中，公开了一种无线功率传输器，该无线功率传输器包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、线圈和模拟前端。无线功率传输器被配置为至少部分基于第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的激活来驱动线圈。模拟前端包括第一驱动器和第二驱动器，第一驱动器与第一场效应晶体管相对应并且被配置为至少部分基于脉宽调制信号来控制第一场效应晶体管的激活，第二驱动器与第二场效应晶体管相对应并且被配置为至少部分基于脉宽调制信号来控制第二场效应晶体管的激活
模拟前端 pwm 控制

[发明专利]用于单点VCSEL的控制电路-CN202211629731.3在审
发明人：杨通辉;姚毅飞;王立;李念宜;刘赤宇;汪辰杲 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：公开了一种用于单点VCSEL的控制电路，其包括第一充电支路和第二充电支路，其中，所述第一充电支路包括第一电源单元和场效应晶体管，单点VCSEL适于串联于所述第一电源单元和所述场效应晶体管之间，所述单点VCSEL形成第一电阻，所述场效应晶体管形成第一电容，所述第二充电支路并联于所述场效应晶体管，所述第二充电支路包括第二电阻和第二电容。在场效应晶体管从导通态切换为关断态的过程中，并联于场效应晶体管的充电电路两端的电压始终大于零，使得场效应晶体管两端的电压大于零。这样，在场效应晶体管关断后需要充满电的时间缩短，将电流波形和单点VCSEL的脉宽控制在指定脉宽范围内，能够较为准确的测试所述单点VCSEL的光功率。
用于单点 vcsel 控制电路

[发明专利]一种四叉树结构阵列的场效应晶体管太赫兹探测器芯片-CN202211494526.0在审
发明人：孟庆之;林启敬;景蔚萱;王杨涛;王泽林;赵娜;姚坤;张福政;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种四叉树结构阵列的场效应晶体管太赫兹探测器芯片，包括芯片基底和场效应晶体管太赫兹探测器阵列；场效应晶体管太赫兹探测器阵列采用半导体工艺制备在芯片基底表面，并且在芯片基底上以四叉树结构阵列进行排布；场效应晶体管太赫兹探测器由场效应晶体管和太赫兹天线组成，越靠近场效应晶体管太赫兹探测器阵列中心位置的太赫兹天线特征尺寸越小，中心频率越高；本发明将不同太赫兹频段的场效应晶体管太赫兹探测器集成在一个芯片上，能够实现宽频谱太赫兹波的探测，解决目前场效应晶体管太赫兹探测器探测频谱窄的问题，并且四叉树结构的阵列排布方式可以有效减小芯片的面积，从而降低芯片成本。
一种四叉树结构阵列场效应晶体管赫兹探测器芯片