专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于多模混合的带宽可重构的宽带高效率功率放大器-CN202310969598.4在审
  • 赵世巍;张祖强;刘挺 - 重庆邮电大学
  • 2023-08-02 - 2023-10-27 - H03F1/56
  • 本发明涉及一种基于多模混合的带宽可重构的宽带高效率功率放大器,属于微波电路设计领域,包括输入匹配及稳定性模块、输入偏置模块、GaN晶体管、输出可重构匹配电路模块以及输出偏置模块;总输入端与输入匹配及稳定性模块连接;所述输入匹配及稳定性模块与输入偏置模块并联接入GaN功放晶体管的栅极端;所述GaN功放晶体管输出端与可重构输出匹配电路模块串联;所述可重构输出匹配电路模块与输出偏置模块并联接到输出端;所述输出可重构匹配电路模块基于模式组合理论,对GaN功放晶体管的输出端进行谐波控制及阻抗变换,从而实现电阻电抗性连续类F‑J‑逆F三种模式的功率放大器。
  • 一种基于混合带宽可重构宽带高效率功率放大器
  • [发明专利]一种射频功率放大电路及通信设备-CN202210377249.9在审
  • 伍长林;冷鹏;于艳枫;崔建伟;杨宝锋;朱乐 - 海能达通信股份有限公司
  • 2022-04-11 - 2023-10-24 - H03F1/56
  • 本申请提供的一种射频功率放大电路及通信设备。射频功率放大电路包括功率放大单元、输入匹配电路和输出匹配电路,输入匹配电路的输出端与功率放大单元的输入端连接,输入匹配电路包括第一阻抗电路、至少一个输入控制单元和至少一个第二阻抗电路,每一个输入控制单元分别与一个第二阻抗电路连接,第一阻抗电路和第二阻抗电路并联连接于输入匹配电路的输入端与输入匹配电路的输出端之间,其中,每一个输入控制单元用于根据工作频率调整对应的第二阻抗电路的阻抗值。本申请通过输入控制单元来根据工作频率调整对应的第二阻抗电路的阻抗值,使得输出功率稳定,从而解决了在不同的工作频率下稳定输出的问题。
  • 一种射频功率放大电路通信设备
  • [发明专利]一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构-CN202111240055.6有效
  • 何飞;王政;谢倩 - 电子科技大学
  • 2021-10-25 - 2023-10-24 - H03F1/56
  • 本发明属于无线通信技术领域,涉及无线通讯系统中的放大器,具体提供一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构,用以解决现有高频工作下(尤其是毫米波、太赫兹波段)放大器功率增益不足的问题。本发明包括带串联型有损嵌入式网络的共源放大器与Y/Z型LLREN,带串联型有损嵌入式网络的共源放大器由放大器、电阻Rs与90°传输线构成;在传统放大器构成的二端口网络下,通过引入一个串联型有损嵌入式网络有效的提高放大器的单向功率增益U,同时,结合过中和化技术,加入Y/Z型LLREN,显著提高放大器的最大可用增益Gma,使得最终放大器结构的功率增益得到显著提高。
  • 一种串联有损嵌入式网络中和放大器结构
  • [发明专利]一种功率放大器-CN202311160920.5在审
  • 曾国春;黄军恒 - 合肥芯谷微电子股份有限公司
  • 2023-09-11 - 2023-10-20 - H03F1/56
  • 本发明公开了一种功率放大器。该功率放大器包括:顺序连接的输入匹配网络、第一放大模块、次前级匹配网络、第二放大模块、末前级匹配网络、第三放大模块和输出匹配网络。输入匹配网络用于匹配信号源与功率放大器间的阻抗;第一放大模块用于对信号源的信号进行一次放大;次前级匹配网络用于抑制信号源的信号的谐波;第二放大模块用于对信号源的信号进行二次放大;末前级匹配网络用于将信号源的信号拆分为两路信号,以及抑制谐波;第三放大模块用于对两路信号进行放大,以及将放大后的两路信号融合为一路信号;输出匹配网络用于抑制谐波以及输出阻抗匹配。本发明实施例有利于避免增益滚降效应的发生,提高功率放大器的效率,降低发热量和功耗。
  • 一种功率放大器
  • [发明专利]半导体器件-CN202211602574.7有效
  • 张亮;李秉纬;黄斌;陈凯 - 无锡前诺德半导体有限公司
  • 2022-12-13 - 2023-10-20 - H03F1/56
  • 本发明提供一种半导体器件,包括:第一裸晶片和第二裸晶片,所述第一裸晶片上形成有运放模块,所述第二裸晶片上形成有电阻网络模块,所述运放模块接收外部输入的第一电压和外部输入的第二电压,通过与可动态调节阻值的所述电阻网络模块的配合完成运算放大,向后级电路输出一调节电压。本申请通过将电阻网络模块和运放模块分别设计在不同裸晶片上,再通过键合使所述电阻网络模块嵌于所述运放模块中,可以在不配置整体运放进行测试的情况下,单独对所述第二裸晶片上的电阻网络模块进行激光修调,通过简单的电阻测量工艺、激光切割工艺将述第二裸晶片上的电阻网络模块的电阻值修调为期望的阻值,优化了运放的修调模式,简化了修调流程,缩短了修调时间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器-CN202110790736.3有效
  • 梁煜;郭斐;张为 - 天津大学
  • 2021-07-13 - 2023-10-20 - H03F1/56
  • 本发明涉及一种宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器,包括第一级密勒电容宽带匹配电路和后级共基共射放大电路,其特征在于,所述第一级密勒电容宽带匹配电路,其输入端接收信号输入端的信号IN,将射频信号放大后经过极间电容输出到后级共基共射放大电路;所述密勒电容宽带匹配电路包括:第一晶体管Q1,第一电阻R1,第一电感L1,第二电感L2,第一电容C1和第二电容C2;其中,所述第一晶体管Q1的基极与第一电容C1的第一端连接;所述第一晶体管Q1的集电极分别与第一电感L1的第一端、第二电容C2的第一端连接;所述第一晶体管Q1的发射极与第二电感L2的第一端连接;所述第一电阻R1与第一电感L1的第二端连接。
  • 宽带sigebicmos低噪声放大器
  • [发明专利]一种低成本高频微带晶体管低噪声放大电路-CN202310715631.0在审
  • 王晓勇;王丽国 - 深钛智能科技(苏州)有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-10-17 - H03F1/56
  • 本发明公开了一种低成本高频微带晶体管低噪声放大电路;包括有第一平行耦合线,所述第一平行耦合线上电性连接有第一低阻抗线,所述第一低阻抗线上电性连接有第一高阻抗线,所述第一高阻抗线上电性连接有晶体管,所述晶体管上电性连接有第二高阻抗线,所述第二高阻抗线上电性连接有第二平行耦合线;所述第一低阻抗线和所述第一高阻抗线之间电性连接有第二低阻抗线,所述第二低阻抗线上电性连接有第一片电阻和第一扇形枝节线;所述晶体管和所述第二高阻抗线之间电性连接有第三高阻抗线,所述第三高阻抗线上电性连接有第二片电阻和第二扇形枝节线;本发明具有灵活性高、噪声系数好、成本低的优点,方便集成混合使用。
  • 一种低成本高频微带晶体管噪声放大电路
  • [发明专利]一种功率放大器及无线发射器-CN202310545476.2在审
  • 李成;李作纬 - 德氪微电子(深圳)有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-10-13 - H03F1/56
  • 本发明公开一种功率放大器及无线发射器,功率放大器包括功率器件和匹配网络,所述功率器件的输出端与所述匹配网络的输入端连接,所述匹配网络的输入端包括两个输入端口,还包括匹配电容;所述匹配电容串联在所述匹配网络上,使得所述匹配网络的所述两个输入端口的阻抗相差在预设范围内;通过在匹配网络上串联匹配电容,使得匹配网络的两个输入端口的阻抗相差在预设范围内,这样在匹配网络的输入端的两个输入端口就能够获得一致的阻抗,从而就能够使得功率放大器输出的功率最大化,实现功率放大器与天线之间的真正匹配。
  • 一种功率放大器无线发射器

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