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- [发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201210203734.0有效
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肖德元
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2012-06-19
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2014-01-15
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H01L29/78
- 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底；依次在半导体衬底上沉积第一半导体材料和第二半导体材料，第一半导体材料与第二半导体材料的材料不同；依次图形化第二半导体材料、第一半导体材料，以分别形成鳍和半导体层，半导体层和鳍为沿平行于半导体衬底的第一方向的条状半导体层；在半导体层和鳍露出的半导体衬底上沉积绝缘材料；去除部分绝缘材料，使剩余绝缘材料与半导体层齐平，以形成绝缘层；在鳍上形成栅极结构；掺杂栅极结构露出的、位于栅极结构两侧的鳍，以形成源极和漏极。本发明还提供由制造方法形成的鳍式场效应晶体管。本发明鳍式场效应晶体管在解决浮体效应的同时具有较好的工艺可控性。
- 场效应晶体管及其制造方法
- [其他]固态直流马达控制器-CN101986000005486在审
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斯蒂芬·F·帕斯特
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柯蒂斯仪器公司
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1986-08-25
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1989-09-20
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- 本系统包括多个并联的功率场效应晶体管，这些场效应晶体管与牵引马达串联连接，有一个公共的控制电路与场效应晶体管的栅极相连接以控制场效应晶体管的导通一截止周期。多个并联的功率二极管安排或以并联的形式与牵引马达反相连接以便将其用作续流二极管。二极管在布局上互相分开，与散布在场效应晶体管的适当位置处，每个二极管均以类似的方法与一组相应的场效应晶体管安置在一起以便于在二极管和相应的场效应晶体管之间的电流的传送。
- 固态直流马达控制器
- [实用新型]一种集成式功率场效应晶体管模组-CN201520624972.8有效
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陈建全
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广州擎天实业有限公司
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2015-08-18
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2016-01-27
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H01L25/07
- 本实用新型公开了一种集成式功率场效应晶体管模组，包括功率场效应晶体管、铜底板、铜上板和触发板，所述的功率场效应晶体管为并联设置的多只，每只功率场效应晶体管的D极均与所述铜底板和铜上板两块板中的任一块板相焊接，S极均与另一块板相焊接，G极均与所述的触发板相焊接，所述功率场效应晶体管与铜底板、铜上板及触发板焊接后电气连通，所述功率场效应晶体管与铜底板、铜上板及触发板焊接后用环氧树脂灌封形成整体的模组，整个模组表现为一个该模组把多个功率场效应晶体管先并联预装成模块再进行模块间并联，使得生产工艺易于实施和控制，从而为整机的产品质量提供了保证。
- 一种集成功率场效应晶体管模组
- [实用新型]分段降压式低压直流限流器-CN201922111522.X有效
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秦敏童
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秦敏童
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2019-11-30
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2020-06-02
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H02H9/02
- 本实用新型涉及一种分段降压式低压直流限流器。包括单片机、BUCK降压电路、滤波电感、主场效应晶体管、辅助场效应晶体管；滤波电感一端与输入电压正极连接，另一端分别连接主场效应晶体管、辅助场效应晶体管的D极；主场效应晶体管G极与BUCK降压电路D极连接，S极与BUCK降压电路的输出电压的正极连接；滤波电感正极端通过电流检测电路与单片机的电流端口连接，滤波电感的两端通过电压检测电路与单片机的输入电压端口连接；主场效应晶体管G极、辅助场效应晶体管G极分别与单片机的
- 分段降压低压直流限流
- [发明专利]天线的保护电路-CN201510478878.0在审
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杨蓉
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杨蓉
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2015-07-31
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2015-11-25
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H02H3/08
- 本申请涉及导航应用领域，公开了一种天线的保护电路，其包含：天线电源、天线、数字三极管、MOS场效应晶体管；MOS场效应晶体管的源极与天线电源相连接，MOS场效应晶体管的漏极与天线相连接；MOS场效应晶体管的栅极与数字三极管的集电极并联后与天线电源相连接；数字三极管的基极分别与天线电源及天线相连接；数字三极管在天线短路时截止，并控制MOS场效应晶体管截止。本申请实施方式在天线发生短路时，拉低数字三级管的基极电压，导致数字三级管截止，进而导致MOS场效应晶体管的栅级电压被拉高，使得MOS场效应晶体管截止，天线电源通过MOS场效应晶体管向天线供电的支路被切断
- 天线保护电路
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