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[发明专利]鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构及其形成方法-CN201610516949.6有效
发明人：陈建颖;张家玮;廖家阳;杨柏峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构包括在衬底上方形成的鳍结构和横越在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括鳍结构之上的上部和鳍结构之下的下部。该上部具有第一宽度的顶面，该下部具有第二宽度的底面，并且第一宽度大于第二宽度。
场效应晶体管 finfet 器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610365474.5在审
发明人：朴相真;高绮亨;权奇相;白在职;尹普彦;高镛璇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件及其制造方法。第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第一蚀刻速率的第一材料的第一嵌入的源极/漏极。第二导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第二蚀刻速率的第二材料的第二嵌入的源极/漏极，该第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。第二嵌入的源极/漏极可以每个包括处于与第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件的外凸起部分不同的水平的上表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构-CN201310142925.5有效
发明人： R·J·小戈捷;J·B·约翰逊;李军俊 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及与鳍式场效应晶体管技术兼容的器件结构。提供了用于鳍式场效应晶体管集成电路技术的器件结构、设计结构和制造方法。构成器件结构的电极的第一鳍和第二鳍中的每一者由第一半导体材料构成。第二鳍被形成为邻近第一鳍，以限定使第一鳍和第二鳍分隔的间隙。由第二半导体材料构成的层位于该间隙中。
场效应晶体管技术兼容器件结构

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201210206531.7无效
发明人：韩秋华;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，本发明提供的鳍式场效应晶体管，所形成浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，即避免了所形成的浅沟道隔离具有竖直部分，从而也就避免了竖直部分不利于氧化物的填充，造成浅沟道隔离内有空隙的问题之后对第一鳍式结构进行再加工形成第二鳍式结构，使得第二鳍式结构的第一部分的侧壁垂直于所述浅沟道隔离的表面所在平面，满足鳍式场效应晶体管所需要的结构。最终，大大的提高了器件的稳定性。
一种场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管（FinFET）器件结构-CN202010473668.3在审
发明人：陈建颖;程潼文;张哲诚;倪俊龙;林志忠;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。
场效应晶体管 finfet 器件结构

[发明专利]具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法-CN201510437327.X有效
发明人：陈建颖;程潼文;张哲诚;倪俊龙;林志忠;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结构上的第二晶体管。FinFET器件结构还包括在第一晶体管和第二晶体管之间的端到端间隙中形成的层间介电(ILD)结构，并且端到端间隙具有在从约20nm至约40nm的范围内的宽度。本发明的实施例还涉及具有可控端到端临界尺寸的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法。
具有可控端到端临界尺寸场效应晶体管 finfet 器件及其形成方法

[发明专利]静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器-CN202111528254.7在审
发明人：丁荣正;俞少峰;朱小娜;朱宝;尹睿 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管，所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道和所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道均由第一鳍式结构形成，所述第二传输管的沟道和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道均由第二鳍式结构形成，所述第一方向平行于所述第二方向，紧凑的器件排布
静态随机存取存储器存储单元结构存储器

[发明专利]鳍型场效应晶体管的制造方法-CN201210407809.7有效
发明人：朱慧珑;骆志炯;尹海洲;梁擎擎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；由SOI层形成鳍结构基体；在鳍结构基体的两侧形成源漏区（110）；由鳍结构基体形成位于源漏区（110）之间的鳍结构；横跨所述鳍结构形成栅堆叠。本发明提供的鳍型场效应晶体管的制造方法能在鳍型场效应晶体管中集成高k栅介质层和金属栅，以及应力材料源漏区，提升半导体器件的性能。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210273113.3在审
发明人：李永亮;赵飞;陈安澜;张佳熠;殷华湘;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于避免沟道释放后具有较大栅极长度的环栅晶体管的沟道存在弯曲或粘连问题，降低在同一衬底上实现集成电路中具有较大栅极长度的晶体管与其余的环栅晶体管的制造难度所述半导体器件包括：衬底、鳍式场效应晶体管和环栅晶体管。衬底具有第一区域和第二区域。沿着衬底的厚度方向，鳍式场效应晶体管包括的第一沟道具有至少一层叠层。环栅晶体管包括的第二沟道具有第二材料层。环栅晶体管的栅极长度小于鳍式场效应晶体管的栅极长度。所述制造方法用于制造上述半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]像素补偿电路及其使用方法-CN202110211831.3在审
发明人：钟慧萍;郭智宇;陈廷安 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了像素补偿电路及其使用方法，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、电容和OLED器件组成的7T1C像素补偿电路，在与OLED器件的正极直接相连的第四场效应晶体管的栅极和源极之间并联有电容，利用电容的耦合效应，配合调整补偿电路中各个场效应晶体管的开关状态变化，得到场效应晶体管的阈值电压，合理控制电路中个节点的电位大小，使得流经OLED器件的电流不受第四场效应晶体管的阈值电压漂移以及OLED器件本身电性恶化的影响，提供给OLED器件稳定的电流输出，保证其工作状态稳定，达到均匀的显示效果。
像素补偿电路及其使用方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110482059.9有效
发明人：李永亮;程晓红;赵飞;马雪丽;杨红;王晓磊;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于确保形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各鳍式场效应晶体管所包括的沟道区中的缺陷。在介质层位于每类区域上的部分内分别开设凹槽，并在位于每类区域上的凹槽内形成相应材质的半导体材料层；位于不同类区域上的半导体材料层为相应类的阈值调控层；去除介质层，并至少刻蚀半导体材料层和基底，以在每类区域上均形成沿第一方向延伸的鳍状结构；基于每一鳍状结构，在每类区域上均形成鳍式场效应晶体管，以使得位于不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同的阈值电压。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]一种晶体管电容测试结构-CN201620117352.X有效
发明人：谢欣云 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶体管电容测试结构，包括第一测试结构以及第一测试端，第一测试结构包括鳍式场效应晶体管和后端金属互连结构；鳍式场效应晶体管包括衬底、形成于衬底表面的浅沟槽隔离区和鳍结构、形成于鳍结构两端的具有离子掺杂区的源区及漏区以及形成于鳍结构表面的栅结构；后端金属互连结构与源区及漏区连接；第一测试端连接于鳍式场效应晶体管的栅极和后端金属互连结构。本实用新型提供了一种鳍式场效应晶体管测试结构，用于解决现有技术中很难将晶体管中不同连接部分的寄生电容分离出来，分别获得不同连接部分的寄生电容的问题。
一种晶体管电容测试结构

[发明专利]鳍体制造方法、鳍式场效应晶体管及一鳍体结构-CN202010446428.4有效
发明人：邱岩栈;陈颖儒;刘立尧;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及鳍式场效应晶体管的鳍体结构，涉及半导体集成电路制造技术，该鳍体包括位于半导体衬底上的鳍体的第二部分和位于鳍体的第二部分上的鳍体的第一部分，鳍体的第二部分的靠近半导体衬底侧的宽度大于远离半导体衬底侧的宽度，鳍体的第一部分的靠近鳍体的第二部分侧的宽度小于远离鳍体的第二部分的宽度而形成沙漏形鳍体，该鳍体可有效增加闸极与鳍状场效晶体管的接触面积，因而增强闸极控制能力，并当鳍式场效应晶体管处于关断状态时，对于相同顶部宽度和相同高度的长方体的鳍体，沙漏形鳍体形成的鳍式场效应晶体管的漏电流较小，因此可以在不减少鳍式场效应晶体管的表面积的情况下可减小鳍式场效应晶体管的损耗。
体制方法场效应晶体管一鳍体结构

[发明专利]一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法-CN202110177234.3有效
发明人：陈尚志 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法，其中，所述半导体鳍式场效应晶体管结构的衬底中设计有至少两类防穿通注入，不同类的所述防穿通注入深入所述衬底的深度和/或掺杂浓度不同，可以兼顾不同器件或区域对于载流子迁移率和抗漏电能力的需求，避免同一深度或掺杂浓度的防穿通注入无法兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的情况，实现合理设计半导体鳍式场效应晶体管结构中的防穿通注入、兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的目的。
一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管互补反相器及其制备方法-CN201110440844.4在审
发明人：洪飞;张其国;谭莉;郭晓东;申剑锋 -专利权人：上海中科联和显示技术有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管互补反相器，包括：基板、N型场效应晶体管、与该N型场效应晶体管成对设置的P型场效应晶体管，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管共用一个栅电极并作为该互补反相器的输入端，该N型场效应晶体管的漏极和P型场效应晶体管的漏极连接作为该互补反相器的输出端；该基板上设有多个垂直分布的器件层，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于不同的器件层。本发明还公开了一种制备场效应晶体管互补反相器的方法。
场效应晶体管互补反相器及其制备方法