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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于提供纳米级、高度选择性和热弹性碳蚀刻终止的系统和方法-CN200780039659.6无效
发明人：达尔文·G·恩尼克斯 -专利权人：爱特梅尔公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：所述蚀刻终止层具有：硅锗层，其具有约50∶1或小于50∶1的硅锗比；硼层，其形成在所述硅锗层内，其中所述硼层具有小于50纳米的半高全宽(FWHM)厚度值；以及碳层，其形成在所述硅锗层内，其中所述碳层具有小于在所述蚀刻终止层中，硼碳比在约0.5到1.5的范围内。
用于提供纳米高度选择性弹性蚀刻终止系统方法

[发明专利]一种从含锗氧化锌烟尘浸出液中提取锗的方法-CN202310211525.9在审
发明人：张特;曲洪涛;杨坤;张利波;付光;李云;肖毕高 -专利权人：云南驰宏锌锗股份有限公司;昆明理工大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从含锗氧化锌烟尘浸出液中提取锗的方法，属于锗提取技术领域。本发明主要包括铁配位、还原锗、中和除铁及脱硼四个步骤，在铁配位步骤中加入小分子有机酸与二价铁和三价铁进行配位，防止消耗还原剂；在还原锗步骤中，加入硼氢化物直接可将酸浸液中的锗还原为锗烷气体；在中和除铁步骤中，喷淋入焙砂将酸浸液中和到pH5‑5.2，并加入软锰矿进行除铁、除砷；在脱硼步骤中，酸浸液中加入除硼树脂，吸附硼后进行净化电解。本发明可直接从含锗氧化锌烟尘浸出液中提取锗，锗和有价金属过程损失低，直收率高，生产工序简单，极大缩短锗生产周期，为稀散金属生产提供。
一种氧化锌烟尘浸出提取方法

[发明专利]硅化钛接触部和低温、高锗、高硼SIGE:B PEPI-CN202211455280.6在审
发明人： D·南迪;C·邦伯格;D·兰卡斯特;G·杜威;S·K·帕蒂尔;M·J·科布林斯基;A·S·穆尔蒂;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开的发明名称是“硅化钛接触部和低温、高锗、高硼SIGE:B PEPI”。描述了具有受限外延源极或漏极结构的全环绕栅极集成电路结构。例如，集成电路结构包括子鳍上方的多个纳米线。外延源极或漏极结构包括：i）锗和硼的第一PMOS外延（pEPI）区域；ii）在接触部位置处、在第一pEPI区域上的硅、锗和硼的第二pEPI区域；iii）在第二pEPI区域上的硅化钛导电接触材料。
硅化钛接触低温 sige pepi

[发明专利]应变薄膜异质结、制备方法及应用-CN201911131880.5有效
发明人：汪渊;孙森;向钢;王焕明 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种应变薄膜异质结、制备方法及应用，属于半导体薄膜制备技术领域，制备方法包括在多靶共溅磁控溅射真空室中分别装入高纯硅靶、高纯锗靶、高纯硼靶及高纯本征单晶锗衬底；将高纯本征单晶锗衬底加热至250℃；预溅射硅靶、锗靶以及硼靶各20min；溅射锗靶并沉积锗过渡层，共溅射沉积Si0.25Ge0.75层；保持250℃温度一小时后
应变薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]高微量元素食药用菌的栽培方法-CN200910248996.7无效
发明人：张寿禄;张晓微;张晓菊 -专利权人：张寿禄
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： A01G1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高微量元素食药用菌栽培方法，该方法是将无机亚硒酸钠和二氧化锗，以食药用菌为载体，通过菌丝体的吸收利用，便无机制剂转化为易吸收利用的有机制剂，在栽培拌料时再加一定量的有机微量元素钙、铁、硼、锌、硒，以达到高微量元素食药用菌标准。在高微量元素食药用菌菌种驯化过程中，首先是将各级菌种微量元素的施加量逐级增加，高微量元素食药用菌栽培拌料时再添加适量的亚硒酸钠、二氧化锗，以及有机微量元素钙、铁、硼、锌、硒。通过该方法栽培的高微量元素食药用菌，质量和产量与普通食药用菌相比，可提高10％以上，效益可提高30％以上，硒含量提高150倍左右，锗提高100倍左右，钙、铁、硼、锌提高50倍左右。
微量素食药用栽培方法

[发明专利]烯烃聚合物的制造方法-CN200410089866.0有效
发明人：中山康;金子英之;板东秀树;园部善穗;斋藤纯治;古城真一;三谷诚;铃木靖彦;松居成和;柏典夫;藤田照典 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2002-02-21 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C08F10/00 文献下载
摘要：本发明提供了即使不与价格昂贵的有机铝氧化物或有机硼化合物组合使用也能显示高的烯烃聚合活性、在长时间的聚合过程中可以保持高的活性的催化剂和烯烃聚合物的制造方法。烯烃聚合物的制造方法是在含有以下组分的烯烃聚合催化剂存在下使烯烃均聚或共聚：(A)含有2个以上选自硼、氮、氧、磷、硫和硒的原子的过渡金属化合物或镧系元素化合物，(B)磷钒酸、锗钒酸、砷钒酸、磷铌酸、锗铌酸、硅钼酸、硅钨酸、磷钼酸、钛钼酸、锗钼酸、砷钼酸、锡钼酸、磷钨酸、锗钨酸、锡钨酸、磷钼钒酸、磷钨钒酸、锗钨钒酸、磷钼钨钒酸、锗钼钨钒酸、磷钼钨酸、磷钼铌酸的有机盐；(E)有机铝化合物。
烯烃聚合物制造方法

[发明专利]在绝缘体上提供纳米级、高电子迁移率晶体管（HEMT）的方法-CN200780040708.8无效
发明人：达尔文·G·伊尼克斯 -专利权人：爱特梅尔公司
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种方法和所得的包含衬底(801)和形成在所述衬底(801)上的松弛的硅-锗层(805)的高电子迁移率晶体管。掺杂剂层形成在所述松弛的硅-锗层(805)内。所述掺杂剂层含有碳和/或硼且具有小于约70纳米的半高全宽(FWHM)厚度值。应变的硅层(807)形成在所述松弛的硅-锗层(805)上且构造为用以充当量子阱装置。
绝缘体提供纳米电子迁移率晶体管 hemt 方法

[发明专利]富锗专用叶面肥-CN03133345.1无效
发明人：郑军武;郑冬 -专利权人：郑军武
申请日： 2003-05-23 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明属复混肥料领域，特别涉及一种富锗专用叶面肥，其特征在于，含有：氮元素、磷元素、钾元素、锗元素、硼元素、锌元素、锰元素、铜元素、铁元素、钼元素；上述元素重量比依次为：(150～180)∶(170～200本发明微量元素品种全且含量高，氮、磷、钾等主要元素含量高，作物施用后锗含量提高幅度大，对于促进作物生长和提高抗逆性起到了良好效果。
专用叶面

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210349744.5有效
发明人：陈乐乐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法提供栅结构侧方形成有Sigma形凹陷的衬底，在Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，在种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；对Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成衬底表面下的凹陷；在衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长生成掺杂硼的硅锗再生层，而硅锗再生层中硼的含量大于种子硅锗层中硼的含量。由于Sigma形凹陷靠近衬底表面形成掺杂硼的硅锗外延层中硼的含量可以比较高，从而减小了外部电阻，提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法-CN201110223233.4无效
发明人：王向展;于奇;杨洪东;王微 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有高弛豫度(SiGe)缓冲层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及弛豫锗硅(SiGe)缓冲层的制备方法。该方法的特征是，采用离子注入的方法，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性流动性的材料(如硼硅玻璃、或硼磷硅玻璃)；再采用高温退火，或快速热退火等退火技术，修复锗硅(SiGe)层中因离子注入而产生的晶格损伤，并使应力完全弛豫；利用硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层中间形成的材料的黏性和流动性，使得上面的锗硅(SiGe)缓冲层中的应力弛豫。采用本发明，可制作一种厚度薄，弛豫度高，表面质量好的锗硅(SiGe)缓冲层。
一种具有高弛豫度 sige 缓冲制备方法

[发明专利]具有高浓度硼掺杂锗的晶体管-CN201610552470.8有效
发明人： A·S·默西;G·A·格拉斯;T·加尼;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;J·T·卡瓦列罗斯;R·科特利尔;W·拉赫马迪;M·Y·刘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了用于形成具有高浓度硼掺杂锗的源极和漏极区的晶体管器件的技术。在一些实施例中，在源极和漏极区及其对应的尖端区中使用选择性外延沉积提供原位硼掺杂锗，或者可替换地，覆盖有重硼掺杂锗层的硼掺杂硅锗。在一些此类情况下，锗浓度例如可以超过50原子％，并高达100原子％，硼浓度例如可以超过1E20cm‑3。提供分级的锗和/或硼浓度的缓冲部可以用于更好地连接不同的层。在不使尖端陡度降级的情况下，在外延‑金属分界面的掺杂在锗中的硼的浓度有效地降低了寄生电阻。这些技术例如可以体现在平面或非平面晶体管器件中。
具有浓度掺杂晶体管

[发明专利]具有高浓度硼掺杂锗的晶体管-CN201180062124.7有效
发明人： A·S·默西;G·A·格拉斯;T·加尼;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;J·T·卡瓦列罗斯;R·科特利尔;W·拉赫马迪;M·Y·刘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了用于形成具有高浓度硼掺杂锗的源极和漏极区的晶体管器件的技术。在一些实施例中，在源极和漏极区及其对应的尖端区中使用选择性外延沉积提供原位硼掺杂锗，或者可替换地，覆盖有重硼掺杂锗层的硼掺杂硅锗。在一些此类情况下，锗浓度例如可以超过50原子%，并高达100原子％，硼浓度例如可以超过1E20cm-3。提供分级的锗和/或硼浓度的缓冲部可以用于更好地连接不同的层。在不使尖端陡度降级的情况下，在外延-金属分界面的掺杂在锗中的硼的浓度有效地降低了寄生电阻。这些技术例如可以体现在平面或非平面晶体管器件中。
具有浓度掺杂晶体管

[发明专利]具有高表面锗浓度的源或漏结构-CN202011536448.7在审
发明人： C·博姆伯格;S·维施瓦纳思;P·帕特尔;廖思雅;A·S·墨菲 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的发明名称是具有高表面锗浓度的源或漏结构。描述具有高表面锗浓度的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括鳍，该鳍具有下鳍部分和上鳍部分。第一和第二源或漏结构的外延结构的每个包括硅、锗和硼，锗在第一和第二源或漏结构的外延结构的每个的顶面具有大于55%的原子浓度。
具有表面浓度结构

[发明专利]掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法-CN200910099991.2无效
发明人：余学功;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锗的定向凝固铸造单晶硅，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的硼、镓或磷，还含有浓度为1×10¹⁸～5×10²⁰/cm³的锗。本发明还公开了其制备方法，包括：将多晶硅、锗和电活性掺杂剂置于平铺在坩锅底部的无位错的单晶硅块上，通过热场调节，使多晶硅、锗和掺杂剂完全融化，无位错的单晶硅块部分融化，再通过热交换进行定向凝固，将未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶，诱导从下至上生长掺锗铸造单晶硅。产物机械强度高、少子寿命高，可用于高效率的薄片太阳能电池的制备，生产成本大大降低。
定向凝固铸造单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种硼掺杂金刚石、制备方法及应用-CN202310674586.9在审
发明人：王李平;陈奕多;赵予生;王培;李威威;韩松柏;朱金龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：一种硼掺杂金刚石、制备方法及应用，属于金刚石的合成技术领域。硼掺杂金刚石的制备方法包括合成步骤：将含有碳源、硼源和含锗催化剂的原料，在预设温度和预设压力下，合成硼掺杂金刚石。其中，预设温度和预设压力均位于相图中金刚石相的稳定区间，且预设温度不低于含锗催化剂的熔点。利用含锗催化剂，在不低于含锗催化剂的熔点且满足金刚石相稳定存在的温压条件下，含锗催化剂可以作为金刚石的溶剂催化物，且含锗催化剂具有半金属的性质和类金刚石的结构，使得碳源和硼源能够形成硼含量较高的硼掺杂金刚石
一种掺杂金刚石制备方法应用

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