“A·S·墨菲”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有高表面锗浓度的源或漏结构-CN202011536448.7在审
发明人： C·博姆伯格;S·维施瓦纳思;P·帕特尔;廖思雅;A·S·墨菲 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的发明名称是具有高表面锗浓度的源或漏结构。描述具有高表面锗浓度的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括鳍，该鳍具有下鳍部分和上鳍部分。栅叠层处于鳍的上鳍部分之上，栅叠层具有与第二侧相对的第一侧。第一源或漏结构具有在栅叠层的第一侧被嵌入鳍中的外延结构。第二源或漏结构具有在栅叠层的第二侧被嵌入鳍中的外延结构。第一和第二源或漏结构的外延结构的每个包括硅、锗和硼，锗在第一和第二源或漏结构的外延结构的每个的顶面具有大于55%的原子浓度。
具有表面浓度结构

[发明专利]集成电路结构中的源极/漏极区-CN202011515928.5在审
发明人：马子烜;A·S·墨菲;G·A·格拉斯;B·古哈 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明标题为“集成电路结构中的源极/漏极区”。在本文中公开了集成电路（IC）结构中的源极/漏极区以及相关方法和组件。例如，在一些实施例中，IC结构可以包括：沟道区，所述沟道区包括第一半导体导线和第二半导体导线；以及接近沟道区的源极/漏极区，其中，源极/漏极区包括接近第一半导体导线的端部的第一半导体部分，源极/漏极区包括接近第二半导体导线的端部的第二半导体部分，并且，源极/漏极区包括至少部分地位于第一半导体部分与第二半导体部分之间的接触金属。
集成电路结构中的漏极区