专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高斯光综合实验教学系统及其实验方法-CN201911259553.8有效
  • 童童;张沛;贾俊亮;刘青;张俊武;高博 - 西安交通大学
  • 2019-12-10 - 2021-05-28 - G09B23/22
  • 本发明公开了一种高斯光综合实验教学系统及其实验方法,该系统包括高斯模式产生模块Ⅰ、模式互相转化模块Ⅱ和模式采集模块Ⅲ;高斯模式产生模块Ⅰ包括激光器、衰减片、扩系统、非偏振分器等;模式互相转化模块Ⅱ包括一体化高斯光模式转换器等;模式采集模块Ⅲ为电荷耦合器件图像传感器;激光器用于产生基模高斯光,经衰减片减弱光强,接着利用扩系统增大光斑大小,然后经过半波片调整光束的偏振成分,经过非偏振分器后均匀且垂直入射空间光调制器,之后经过一个光学4F系统结合小孔,选出的第一级衍射光就是最终产生的高斯模式;第一级衍射光经反射镜反射后,依次通过调节透镜和一体化高斯光模式转换器,最后进入电荷耦合器件图像传感器。
  • 一种高斯光综合实验教学系统及其实验方法
  • [发明专利]一种半导体激光bar条以及半导体外腔-CN202011572378.0在审
  • 肖瑜;唐霞辉;周鹏;胡聪;马豪杰;张成杰 - 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
  • 2020-12-25 - 2021-04-20 - H01S5/22
  • 本发明公开了一种半导体激光bar条以及半导体外腔,属于半导体激光阵列相干合领域,半导体激光bar条包括:多个发光单元以及位于相邻发光单元之间的不发光区域;发光单元与高阶厄米高斯光束的波峰一一对应,不发光区域与高阶厄米高斯光束的节线一一对应,且各发光单元的宽度与其对应波峰两端零点之间的宽度相等,各不发光区域与其对应节线重合,各发光单元的宽度不相等,其中,高阶厄米高斯光束由半导体激光bar条和外腔相互作用产生。这种非均匀分布的半导体激光bar条支持高阶厄米高斯模式振荡,在腔内产生高阶厄米高斯模式,引入的耦合损耗最低,每个发光单元的宽度和高阶厄米高斯模式相匹配,可提高耦合效率,进而提高相干合的功率和稳定性。
  • 一种半导体激光bar以及
  • [实用新型]一种产生艾里高斯涡旋光束的装置-CN201620416072.9有效
  • 赵瑞璜;邓富;黄加耀;余伟浩 - 华南师范大学
  • 2016-05-10 - 2016-10-05 - G02B27/09
  • 本实用新型涉及一种产生艾里高斯涡旋光束的装置,所述装置包括He‑Ne激光器,用于发出高斯光束;准直扩器,用于对高斯光束进行准直和扩;起偏器,用于对高斯光束进行处理,得到线偏振高斯光束;分光棱镜,用于对线偏振高斯光束进行分光处理;相位掩膜片,用于提供包含0到255级灰度信息的相位掩膜图对所述高斯光束进行相位调节后以反射方式出射;透镜光阑,用于将分光处理后得到的反射光束经傅里叶变换后得到艾里高斯涡旋光束。由于艾里高斯涡旋光束具备加速弯曲以及螺旋等良好性质,可被广泛应用于实现光通信、医学、化学等领域。所述装置设计简单,生成的光束稳定且特征明显,方案可行性高。
  • 一种产生艾里高斯涡旋光束装置
  • [实用新型]式巧固架-CN202022348822.2有效
  • 黄琦玮 - 苏州艾卡特金属制品有限公司
  • 2020-10-21 - 2021-11-12 - B65D6/08
  • 本实用新型属于式巧固架技术领域,公开了式巧固架,包括顶盖,所述顶盖靠近前侧的左右两侧均固定连接有立柱,所述顶盖靠近后侧的底部两侧均固定连接有后立柱,两个所述后立柱的底端固定连接有下后横管,所述下后横管的左右两端均固定连接有下侧管,两个所述下侧管正面的一端分别与两个立柱靠近底端的后方固定连接,所述顶盖背面的左右两侧均固定连接有上挡板。本方案的式巧固架可以单独使用,也可以和仓储货架、钢托盘、塑料托盘等一起搭配使用,且多个式巧固架套操作简单,既能载货堆垛,又能空截套,适用于存储数量大、外形尺寸单一、体积大、重量轻的成品堆放及周转
  • 逆式巧固架

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