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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]PMOS晶体管金属栅极的制造方法-CN201110397349.X有效
发明人：平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及PMOS晶体管金属栅极的制造方法，通过形成低氧浓度功函数金属层和高氧浓度功函数金属层共同组成的功函数金属层，其中低氧浓度功函数金属层能够降低栅极消耗效应(Gate Depletion Effects)，所述高氧浓度功函数金属层能够提高功函数金属层的功函数值，从而提高金属栅极的功函数值，使采用金属栅极的功函数值能够达到现有技术中多晶硅栅极的功函数值，满足工艺要求，并提高PMOS晶体管的性能。
pmos 晶体管金属栅极制造方法

[发明专利]CMOS晶体管栅极中的凹入功函数金属-CN200780016613.2无效
发明人： W·拉赫马迪;B·麦金太尔;M·K·哈珀;S·M·乔希 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-05-01 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：晶体管栅极包括：衬底，表面上设置有一对间隔物；高k电介质，保形地沉积在所述间隔物之间的衬底上；凹入功函数金属，其在高k电介质上并沿着所述间隔物的侧壁的一部分保形地沉积；第二功函数金属，保形地沉积在凹入功函数金属上；以及电极金属，沉积在第二功函数金属上。所述晶体管栅极可以通过以下步骤形成：将高k电介质保形地沉积在衬底上的间隔物之间的沟槽中、在高k电介质上保形地沉积功函数金属、在功函数金属上沉积牺牲掩模、蚀刻所述牺牲掩模的一部分以暴露功函数金属的一部分、以及蚀刻功函数金属的暴露部分以形成凹入功函数金属。第二功函数金属和电极金属可沉积在凹入功函数金属上。
cmos 晶体管栅极中的凹入功函数金属

[发明专利]钝化接触太阳能电池-CN201610948435.8在审
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;童慧;王丹;廖明墩 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供的一种钝化接触太阳能电池，包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层，其中，所述载流子选择层包括高功函数金属层或低功函数金属层，所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV，所述低功函数金属层的金属功函数小于等于上述载流子选择钝化接触太阳能电池，叠层金属层由金属材料制备，结构简单；其中的载流子选择层金属材料调控功函数方式简单，制备高功函数层或低功函数层工艺简单，无需如制备磷掺杂、氮掺杂或硼掺杂的硅合金时需要的高温长时间处理过程
钝化接触太阳能电池

[发明专利]高介电常数金属栅MOS晶体管-CN202110059785.X在审
发明人：魏程昶;苏炳熏;何德彪;吴方锐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管，高介电常数金属栅包括：栅介质层、金属功函数层、顶部盖帽层以及金属导电材料层；栅介质层中包含有高介电常数层；金属功函数层位于栅介质层的顶部；顶部盖帽层位于金属功函数层和金属导电材料层之间，顶部盖帽层采用具有防止金属导电材料层的金属向底部扩散到金属功函数层中的材料且采用非晶结构，以减少或消除氧扩散路径，从而减少或消除对金属功函数层表面的氧化。本发明能防止金属功函数层的顶部表面被氧化而使功函数产生偏移并从而防止器件的阈值电压产生漂移。
介电常数金属 mos 晶体管

[发明专利]晶体管中的栅极结构及其形成方法-CN202110083820.1在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，在第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，围绕第一纳米结构；第二高k栅极电介质，围绕第二纳米结构；以及栅极电极，在第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极包括：第一功函数金属；第二功函数金属，在第一功函数金属之上；以及第一金属残留物，在第一功函数金属与第二功函数金属之间的界面处，其中，第一金属残留物具有与第一功函数金属的金属元素不同的金属元素。
晶体管中的栅极结构及其形成方法

[发明专利]一种降低高K金属栅有效功函数的方法-CN202210853805.5在审
发明人：董健 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高K金属栅有效功函数的方法，基底上设有用于形成NMOS金属栅的区域，在区域上形成高K介质层；在高K介质层上制备层压材料层；层压材料层为含AL的复合层；且复合层由置于高K介质层上的第一功函数层和置于第一功函数层上的第二功函数层组成；第一功函数层中含Al和N，第二功函数层中含Ti；制备层压材料层的方法为：先在高K介质层上制备第一功函数层，在制备第一功函数层的过程中逐渐增加其厚度，直到第一功函数层的厚度达到第一厚度为止；在第一功函数层上制备第二功函数层，在制备第二功函数层的过程中逐渐增加其厚度，直到第二功函数层的厚度达到与第一功函数层的厚度比为3时为止；在第二功函数层上形成栅极金属结构。
一种降低金属有效函数方法

[发明专利]晶体管的制造方法-CN201110338884.8有效
发明人：平延磊;鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成具有第一功函数的帽层；在帽层上形成具有第二功函数的金属材料；通过热退火使所述金属材料向所述帽层扩散，形成功函数金属层；在功函数金属层上形成金属电极层本发明通过热退火使所述金属材料向所述帽层扩散，形成功函数金属层，可以通过调节金属材料和帽层的厚度，或者通过调节热退火的工艺条件，获得功函数可调节的功函数金属层。
晶体管制造方法

[发明专利]栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法-CN201510674607.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的高K电介质层、在所述高K电介质层上的盖层；在所述盖层上沉积第一N型功函数金属层；在所述第一N型功函数金属层上沉积第二N型功函数金属层，所述第二N型功函数金属层中的Ti与Al的原子比大于所述第一N型功函数金属层中的Ti与Al的原子比；在所述第二N型功函数金属层上沉积金属电极层。本发明能够减轻或防止N型功函数金属层被氧化的程度，从而避免NMOS器件的功函数不稳定的问题。
栅极堆叠结构 nmos 器件半导体装置及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310039175.9无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，电荷产生层包括层叠于第一电子传输层表面的第一掺杂层、形成于第一掺杂层表面的第二掺杂层及形成于第二掺杂层表面的第三掺杂层，第一掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的金属氧化物，第二掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的高功函数金属，第三掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在高功函数金属中的金属氧化物。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件-CN202211037095.5在审
发明人：吴左生 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件。该方法包括：提供设置有绝缘介质层的衬底，绝缘介质层中有间隔的第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽，第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽的底部有高k栅介质层；形成金属层，金属层至少覆盖第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽的侧壁及高k栅介质层；采用非金属材料与金属层反应形成至少覆盖第一类型栅沟槽的侧壁和高k栅介质层的第一功函数层；采用第一金属与功函数值大于第一金属的金属层反应形成功函数值小于第一功函数层，且至少覆盖第二类型栅沟槽的侧壁和高k栅介质层的第二功函数层。上述方法增大了金属功函数的可调范围，提升了金属功函数制程工艺的适用性。
函数制作方法金属栅极具有半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201810595785.X在审
发明人：邱诗航;吴仲强;陈智城;苏崇毅;黄泰维;刘冠廷;李达元;苏庆煌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：此半导体装置包含栅极结构，该栅极结构包含高介电常数栅极介电层、功函数金属层、以及无缝金属填充层。高介电常数栅极介电层位于半导体鳍片中的通道之上。功函数金属层位于高介电常数栅极介电层之上。无缝金属填充层位于功函数金属层之上。此半导体装置的形成方法的实施例包含：在短通道半导体鳍片之上形成高介电常数栅极电极层，在高介电常数栅极电极层之上形成功函数金属层，以及在功函数金属层之上顺应性地形成无缝的金属填充层。
高介电常数栅极功函数金属层半导体装置金属填充层介电层半导体鳍片栅极结构电极层短通道金属层成功

[发明专利]半导体器件中的栅极结构-CN202011048544.7在审
发明人：赖蓓盈;许家玮;侯承浩;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法包括在半导体鳍上方并沿着半导体鳍的侧壁沉积高k栅极电介质层。该方法还包括在高k栅极电介质层上方沉积n型功函数金属层，并且通过n型功函数金属层对高k栅极电介质层执行钝化处理。该方法该包括在n型功函数金属层上方沉积填充金属，以在高k栅极电介质层上方形成金属栅极堆叠。该金属栅极堆叠包括n型功函数金属层和填充金属。
半导体器件中的栅极结构

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310567414.8在审
发明人：周明杰;冯小明;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：层叠设置于所述导电阳极基底的阳极层及所述阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、半导体氧化物层及高功函数金属层，所述低功函数金属层的材料为功函数为3.0～4.0eV的金属，所述高功函数金属层的材料为功函数为4.4eV～6.0的金属，所述半导体氧化物层的材料为功函数为4.0eV～4.4eV的金属氧化物。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310339574.7无效
发明人：周明杰;黄辉;冯小明;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，阴极包括层叠于电子注入层表面的三元掺杂层及层叠于三元掺杂层表面的金属掺杂层；三元掺杂层的材料包括铼的氧化物、掺杂在铼的氧化物中的钝化材料及酞菁化合物，钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种；金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的高功函数金属，低功函数金属的功函数为-2.0eV～-3.5eV，高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310370308.0无效
发明人：周明杰;黄辉;钟铁涛;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层包括形成于阳极表面的金属掺杂层及形成于所述金属掺杂层表面的二氧化钛层；所述金属掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在所述高功函数金属中的铜的化合物，所述高功函数金属与所述铜的化合物的质量比为0.5:1～2:1，所述高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV；所述二氧化钛层的材料为二氧化钛
有机电致发光器件及其制备方法

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