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[发明专利]金属线溅射膜的清洗工艺-CN03116933.3无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种TiN和Al/Ti/TiN膜溅射后的清洗工艺。为了减少颗粒对成品率的影响，人们普遍采用刷片机(Scribber)清洗硅片的表面和背面。本发明通过控制TiN和Al/Ti/TiN膜溅射后表面颗粒数量和颗粒尺寸的大小，避免硅片正面清洗，而只需清洗背面。从而提高了硅片的清洗效率，减少了工艺时间，节约了硅片制作成本，同时提高了产额。
金属线溅射清洗工艺

[发明专利]一种高介电栅介质及其制备方法-CN03116931.7有效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉一种超薄Si－N－X高介电栅介质材料及其制备方法。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.4nm时，SiON－Si3N4高介电堆层，已不能满足其要求－穿过栅介电层的漏电流过大。本发明通过掺杂高介电元素形成SiON－SiNX(X为Ba、Sr、Ta)高介电栅介质材料。制备高介电堆层SiON－SiNX采用4步法。使用低压快速热生长炉子(LPCVD)生长，具有低的漏电流、抑制硼穿透、可比拟的载流子迁移率、稳定性好和产额高。本工艺成熟，操作简便，很适合于大生产。
一种高介电栅介质及其制备方法

[发明专利]一种含硅低介电常数材料刻蚀后的预清洗工艺-CN03116932.5有效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种Silk刻蚀后的预清洗工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，它在工艺集成过程中还存在一些问题。本发明改进提出了一种Silk刻蚀后的预清洗工艺，具体过程为：将刻蚀后的Silk硅片设备的去气腔室(CHC)；然后将去气后硅片进入预清洗腔室(CHA)，用Ar等离子体对硅片进行低能溅射刻蚀；最后，将硅片分别进入冷却室(CH1)和阻挡层(CH2)腔室淀积阻挡层，如Ti/TiN或Ta/TaN。
一种含硅低介电常数材料刻蚀清洗工艺

[发明专利]一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构-CN03116934.1有效
发明人： 徐小诚;缪炳有;陈志伟;汪激扬 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明为一种垂直型N沟道金属－氧化物－半导体大功率场效应晶体管单元结构。采用N型硅外延片上刻蚀沟槽的方法，使场效应晶体管的栅氧层和金属钨栅电极位于硅外延层的沟槽之中，金属钨栅与硅片表面垂直，场效应晶体管导通工作状态下，电流流动的方向是从硅片底部的漏电极出发，流经反型沟道区，最终到达源电极，电流流动的方向是与硅片的表面方向垂直。
一种垂直大功率场效应晶体管单元结构

[发明专利]一种新的栅介质堆层结构-CN03116930.9无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种高介电栅介质的堆层结构。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.5nm时，穿过栅氧的漏电流太大，不得不寻求高介电材料来替代二氧化硅。本发明提出一种双层栅堆层结构，即：Al2O3/(Ta2O5+Al2O3)或Al2O3/BaZrO3结构。Al2O3的带隙是8.8eV，介电常数～10，导带偏移为2.8eV，与SiO2在带隙和能带组合上相似，唯一的缺点是介电常数偏低。因此，我们用介电常数较高的Ta2O5+Al2O3(k＞10)混合层或BaZrO3，来提高整体的介电常数值。另外，采用金属栅Ta或TaN做电极，避免了多晶硅耗尽和硼穿透。
一种介质结构

[发明专利]化学气相法淀积氮化钛和铜金属层大马士革工艺-CN03114708.9无效
发明人： 徐小诚;缪炳有 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明是一种化学气相淀积氮化钛和铜金属层的大马士革工艺，即在一台多腔体真空设备中，依次连续淀积TiN扩散阻挡层、Cu金属薄膜，并在H2－N2气氛中进行快速热退火(RTP)，从而得到晶粒大小和电阻分布都很均匀的TiSiN阻挡层和Cu金属薄膜。本发明具有的优越填孔性、保形性、以及与绝缘介质良好粘附性，工艺稳定低，流程简单，结合Cu的化学机械抛光方法，可制造出适合深亚微米超大规模集成电路Cu金属大马士革互联布线结构。
化学气相法淀积氮化金属大马士革工艺

[发明专利]采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺-CN03114707.0无效
发明人： 徐小诚;缪炳有 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：一种CVD淀积TiSiN薄膜的集成电路制造工艺，采用化学汽相淀积方法，用He2携带含Ti的化学物质TDMA和含Si的3甲基硅烷物质，或者SiCH4化学物质，通过热分解淀积一层TiSiN薄膜，并在原位进行H2－N2射频等离子处理。用这种方法淀积的TiSiN，具有良好的台阶覆盖，均匀的电阻分和膜厚均匀性。TiSiN是一种物理性能和化学性能都稳定的Cu扩散阻挡层，而且，TiSiN中富含N，可以防止低介电材料(Low－κ)中F离子的扩散。TiSiN的另一个特点是它与Cu金属薄膜以及多孔低介电常数(Low－κ)介质的粘附性都很好，有利于提高Cu互联金属的抗电迁移水平，适用于Al多层金属布线工艺和Cu金属大马士革互联工艺。
采用有机金属材料化学汽相淀积含硅氮化工艺

[发明专利]一种高介电栅堆层结构-CN03114706.2无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种高介电栅介质的堆层结构。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.5nm时，穿过栅氧的漏电流太大，不得不寻求高介电材料来替代二氧化硅。然而，单一的高介电栅材料很难满足其要求。本发明设计了一种栅介质——三明治结构，即：Al2O3/M/Al2O3结构，M为Ta2O5或SrTiO3。Al2O3的带隙导带偏移，与SiO2在带隙和能带组合上相似，唯一的缺点是介电常数偏低。因此，我们用介电常数较高的Ta2O5或者SrTiO3来提高整体的介电常数值。另外，采用金属栅Ta或TaN或者TiN做电极，避免了多晶硅耗尽和硼穿透。
一种高介电栅堆层结构

[发明专利]一种含硅低介电材料刻蚀工艺-CN03114705.4无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种低介电材料Silk刻蚀工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，它在工艺集成过程中还存在一些问题，如Silk旋涂后的刻蚀工艺。本发明针对Silk刻蚀提出了一种新工艺—选择N2/O2/CH4刻蚀气体，Silk的线宽或槽的尺寸和形状都满足工艺规范要求，没有明显的侧切、槽或孔侧壁内弓和槽底部中间凸起等问题。本发明工艺简单，容易操作，节约成本，很适用于大生产线。
一种含硅低介电材料刻蚀工艺

[发明专利]一种含硅低介电常数材料的干法刻蚀工艺-CN03114704.6无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种低介电材料Z3MS干法刻蚀工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Z3MS是一种新的低介电材料，因此在工艺集成过程中还需要解决一些相关工艺问题，如刻蚀工艺。Z3MS主要成分为Si、O和C，还有少量的H。本发明选择干法刻蚀气体——Ar/CF4/CHF3/O2，进行反应离子刻蚀，其优点是：刻蚀槽/孔形状好，侧壁直而不弯，底部和开口处的边缘圆滑，硬掩膜下无侧切现象；另外，选择比很高。本发明工艺简单，容易操作，稳定性好，很适用于大生产线。
一种含硅低介电常数材料刻蚀工艺

[发明专利]一种含硅低介电常数材料炉子固化工艺-CN03114703.8无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到低介电材料Silk炉子固化工艺改进。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，它在工艺集成过程中还存在一些问题，如Silk旋涂后的固化工艺。这里我们对原有的固化工艺作了改进：将Silk进出炉子的温度从300℃改为360－440℃，实验证明Silk并未被氧化。改进后的工艺不仅提高了产能，而且节约了电能，降低了成本，很适用于大生产线。
一种含硅低介电常数材料炉子固化工艺

[发明专利]一种高介电栅介质Al2O3/BaO/Al2O3结构及其制备方法-CN02137199.7无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种高介电栅介质的堆层结构。随着器件尺寸的不断缩小，当栅氧厚度＜1.5nm时，穿过栅氧的漏电流太大，不得不寻求高介电材料来替代二氧化硅。然而，单一的高介电栅材料很难满足其要求，因此，多层栅介质的组合成为一种可行的方案。本发明提出了一种栅介质三明治结构，即Al2O3/BaO/Al2O3结构。Al2O3的带隙是8.8eV，介电常数～10，导带偏移为2.8eV，与SiO2在带隙和能带组合上相似，适合作界面层，用介电常数较高的BaO(k＞20)可提高整体的介电常数值。另外，采用金属栅TiN做电极，避免了多晶硅耗尽和硼穿透。
一种高介电栅介质 al2o3 bao 结构及其制备方法

[发明专利]Silk刻蚀后的湿法去胶工艺-CN02137192.X无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及Silk刻蚀后的去胶工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，它在工艺集成过程中还存在一些问题，如Silk刻蚀后的去胶工艺。由于Silk与光刻胶的干法去胶选择比低，本发明采用EKC525湿法去胶新工艺，其去胶效果好。本发明工艺简单，容易操作，节约成本，很适用于大生产线。
silk 刻蚀湿法工艺

[发明专利]改善DxZ氧化硅对Silk粘附性的工艺-CN02137200.4无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明改进属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到氧化硅/Silk粘附性的改进工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，本发明通过改进DxZ氧化硅工艺来提高对Silk的粘附性。改变原DxZ氧化硅工艺中的温度/气压稳定步骤，气体采用N2O+SiH4。改进后的氧化硅工艺对Silk的粘附性有明显的改善，并使工艺性能大大提高。
改善 dxz 氧化 silk 粘附工艺

[发明专利]Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺-CN02137191.1无效
发明人：缪炳有;徐小诚 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Z3MS是一种新的低介电材料，在工艺集成过程中还需要解决一些相关工艺问题，如刻蚀后的去胶工艺。本发明采用N2/O2干法去胶，并通过调整，优化了三个主要参数N2、O2和偏压RF功率，为Z3MS的干法去胶找到了一种新工艺。本发明工艺简单，容易操作，稳定性好，适用于大生产线。
z3ms 刻蚀干法去胶工艺

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