专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种芯片加工方法及其芯片-CN202310997198.4在审
  • 吕震宇;许占齐;程晓恬;陈黎晓;张凡;明伟 - 温州核芯智存科技有限公司
  • 2023-08-09 - 2023-09-08 - H10B12/00
  • 本发明设计存储芯片加工技术领域,公开了一种芯片加工方法及其芯片,包括在存储单元基片上制备立体电容孔并在其中沉积隔离层;通过在隔离层上沉积下电极并进行下电极隔离刻蚀;在对下电极隔离刻蚀后,将高介电材料和上电极连续沉积并通过无掩膜刻蚀。该芯片加工方法及其芯片,通过将高介电材料层的沉积,以及图案化集成在一起实现,避免后续蚀刻工艺,可能导致的高介电材料的污染,高介电材料层完成后,直接沉积氮化钛作为立体电容孔上电极,将高介电材料完全包裹,杜绝了后续制程可能出现的污染问题,充分发挥ALD设备功能,完成高介电材料层沉积后,利用改造ALD等离子体等功能,直接去除晶圆表面多余高介电材料层,实现一种设备两种用途。
  • 一种芯片加工方法及其
  • [发明专利]半导体封装方法与半导体封装结构-CN202310832101.4在审
  • 许占齐;吴奇龙;赖彦良 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-08-04 - H01L21/768
  • 本公开提供一种半导体封装方法与半导体封装结构,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供待封装的第一晶圆,所述第一晶圆的背面为衬底;在所述衬底内刻蚀出标识码孔,所述标识码孔具有所述第一晶圆的标识码的图形;所述标识码孔在所述衬底内的深度超过所述衬底的厚度与目标深度之差,或者超过目标深度;对所述标识码孔进行填充,以形成所述第一晶圆的标识码;在对所述第一晶圆进行键合之前或之后,对所述第一晶圆的背面进行减薄,减薄的厚度等于所述目标深度,减薄后所述第一晶圆的背面呈现出所述第一晶圆的标识码。本公开能够在晶圆封装过程中保留晶圆的标识码,以实现对晶圆的识别或追溯。
  • 半导体封装方法结构
  • [发明专利]一种驱动背板、其制作方法及显示面板-CN202011184775.0有效
  • 胡海峰;曾亭;许占齐;杨健;殷刘岳 - 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
  • 2020-10-30 - 2023-07-18 - G09F9/33
  • 本发明公开了一种驱动背板、其制作方法及显示面板,该驱动背板包括:衬底基板;第一导电层,位于衬底基板之上;第一平坦层,位于衬底基板之上的第一导电层的图形以外的区域;第二平坦层,位于第一导电层和第一平坦层背离衬底基板的一侧;第二平坦层包括多个第一过孔;第二导电层,位于第二平坦层背离衬底基板的一侧,第二导电层的图形通过第一过孔与第一导电层的图形电连接。通过在第一导电层的图形以外的区域设置第一平坦层,可以使第一导电层与第二导电层之间的平坦层的厚度均一性较好,使第二平坦层中的第一过孔的实际尺寸与设计值差异较小,保证第一导电层与第二导电层的搭接效果。此外,在制作过程中,可以节省一张掩膜版,节约制作成本。
  • 一种驱动背板制作方法显示面板

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