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[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201811442129.2在审
发明人：洪铭辉;郭瑞年;林延勳;林耕雍;杨博宇;万献文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法包含：在半导体基材上形成第一高介电常数介电层；在第一高介电常数介电层上形成第二高介电常数介电层，其中第二高介电常数介电层包含与第一高介电常数介电层的材料不同的材料；退火第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层，使得第一高介电常数介电层与第二高介电常数介电层相互扩散；以及在第二高介电常数介电层上形成栅电极。
高介电常数介电层半导体元件退火半导体基材栅电极制造扩散

[发明专利]一种高介电常数树脂组合物及其用途-CN201310307404.0有效
发明人：颜善银;刘潜发;苏民社;殷卫峰;许永静;张江陵 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C08L63/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数树脂组合物及使用其制作的预浸料与覆铜箔层压板。使用该高介电常数树脂组合物制作的预浸料，包括高介电常数玻璃纤维布及通过含浸干燥后附着在高介电常数玻璃纤维布上的高介电常数树脂组合物。使用该高介电常数树脂组合物制作的覆铜箔层压板，包括至少一张叠合的预浸料及压覆在叠合的预浸料两面上的铜箔。本发明的高介电常数树脂组合物制作的覆铜箔层压板，具有高介电常数、低介电损耗、高玻璃化转变温度、高剥离强度等性能，可以满足高介电常数天线基板的性能要求。
一种介电常数树脂组合及其用途

[发明专利]具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法-CN200710195393.6无效
发明人：余振华;姚亮吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法，其包括以下步骤：(a)形成一高介电常数薄膜于一基底上；(b)以等离子体氮化该高介电常数薄膜；(c)重复步骤(a)，形成另一高介电常数薄膜于先前形成的该高介电常数薄膜上；(d)重复步骤(b)，氮化最后形成的高介电常数薄膜。本发明以逐层氮化以及逐层回火的方式，将氮离子掺杂至多层高介电常数薄膜之中。
具有多层介电常数薄膜介电层制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210220319.X在审
发明人：侯承浩;张哲豪;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括在第一半导体区域上方沉积第一高介电常数介电层，在第一高介电常数介电层上执行第一退火制程，在第一高介电常数介电层上方沉积第二高介电常数介电层；以及在第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上执行第二退火制程
半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201911252119.7有效
发明人：马雪丽;李永亮;王晓磊;项金娟;杨红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层其中，界面层是通过对包括沟道层和第一高介电常数材料层的第一半导体结构进行原位化学氧化处理形成的，界面层通过钝化沟道层可以降低沟道层与第一高介电常数材料层界面处的界面态密度；同时界面层很稳定，不会扩散进入第一高介电常数材料层，还可以抑制沟道层中的Ge原子扩散进入第一高介电常数材料层，最终获得高质量的包括沟道层、界面层、第一高介电常数材料层和第二高介电常数材料层的第二半导体结构。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质-CN201910796830.2有效
发明人：柴常春;靳文轩;李赟;王平;张楠;白浩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质，该方法包括对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型，为高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型设置材料模块和若干物理场接口模块，并为每个物理场接口模块设置边界条件，得到基于高介电常数基板的复合导电膜模型；在基于高介电常数基板的复合导电膜模型上建立有限元网格模型，对有限元网格模型进行计算得到仿真结果。本发明将高介电常数基板和复合导电膜层同步建模，考虑了高介电常数基板和复合导电膜层之间的相互作用，从而评估高介电常数基板上复合导电膜层脱落情况，仿真模型更加接近实际情况，仿真结果准确性高。
一种复合导电仿真分析方法及其电子设备存储介质

[发明专利]一种用于磁共振成像的高介电常数衬垫新型结构-CN201711420015.3在审
发明人：李烨;罗超;李楠;陈巧燕;李柔;苏适;刘新 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： A61B5/055 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁共振成像的高介电常数衬垫新型结构。具体地，本发明提供了一种用于磁共振成像的高介电常数衬垫，其特征在于，所述高介电常数衬垫包含多个由高介电常数材料形成的方块的阵列，相邻的方块以一定的间隙连接在一起。所述间隙的尺寸为1mm～5mm。所述高介电常数材料为钛酸钡和水的均匀混合物。本发明利用的高介电常数材料衬垫结构解决了混合物分布不均匀的问题，并有效缓解了高介电常数材料衬垫在磁共振环境下对电磁场的屏蔽效应，提高了磁共振成像的均匀性。本发明还提供了用于形成所述高介电常数衬垫的方法。这种设计结构制作工艺简便，成本相对低，可根据实际需要进行尺寸扩展。
高介电常数高介电常数材料磁共振成像均匀混合物衬垫结构尺寸扩展间隙连接屏蔽效应设计结构有效缓解制作工艺电磁场不均匀磁共振混合物均匀性钛酸钡

[发明专利]一种用于磁共振成像的高介电常数衬垫结构-CN201711429112.9在审
发明人：李烨;罗超;李柔;陈巧燕;苏适;刘新 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G01R33/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于磁共振成像的高介电常数衬垫结构。具体地，本发明提供了一种用于磁共振成像的高介电常数衬垫，其特征在于，所述高介电常数衬垫包含多个由高介电常数材料形成的长条的阵列，相邻的长条以一定的间隙连接在一起。所述间隙的尺寸为1mm～5mm。所述高介电常数材料为钛酸钡和水的均匀混合物。本发明利用的高介电常数材料衬垫结构解决了混合物分布不均匀的问题，有效缓解了高介电常数材料衬垫在磁共振环境下对电磁场的屏蔽效应，提高了磁共振成像的均匀性。本发明还提供了用于形成所述高介电常数衬垫的方法。这种设计结构制作工艺简便，成本相对低，可根据实际需要进行尺寸扩展。
高介电常数高介电常数材料磁共振成像衬垫结构均匀混合物尺寸扩展间隙连接屏蔽效应设计结构有效缓解制作工艺电磁场不均匀磁共振混合物均匀性钛酸钡

[发明专利]介电常数增强的磁共振成像(MRI)和磁共振波谱(MRS)-CN202280003467.4在审
发明人：王敬华;汪孔桥;鲁礼云 -专利权人：泽璞公司;安徽华米健康科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R33/48 文献下载
摘要：公开了介电常数增强的磁共振成像(MRI)和磁共振波谱(MRS)。接收包括介电常数材料的介电常数设备(402)。介电常数材料包括一种或多种类型的高介电常数材料。介电常数设备(402)被配置为放置在待成像的感兴趣区域(404)附近或内部，从而改变感兴趣区域(404)周围或内部的局部存储电磁能量分布。然后获取包括感兴趣区域(404)的MRI图像。MRI系统(400)包括射频线圈和包括一种或多种类型的高介电常数材料的介电常数设备(402)。介电常数设备(402)被配置为放置在待成像的感兴趣区域(404)附近或内部。
介电常数增强磁共振成像 mri 波谱 mrs

[发明专利]一种适用于微波反演土壤水分的介电常数模型构建方法-CN202210844179.3在审
发明人：宋小宁;高亮;马建威;冷佩;胡容海;王艳芬;李小涛;周芳成 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于微波反演土壤水分的介电常数模型构建方法，包括提取土壤盐度数据，还包括以下步骤：构建改进盐土介电常数模型，将所述优化盐土介电常数模型分成两阶段模型，包括高盐分盐土介电常数模型和低盐分盐土介电常数模型；根据盐度划分规则将所述土壤盐度数据分别带入到所述高盐分盐土介电常数模型和所述低盐分盐土介电常数模型中，计算盐水介电常数；将所述盐水介电常数带入到Dobson模型中得到盐土的介电常数。本发明提出了一种适用于微波反演土壤水分的介电常数模型构建方法，对原始模型进行了一定的修正，提出了一种在较大的应用范围都适用的盐土介电常数模型。
一种适用于微波反演土壤水分介电常数模型构建方法

[发明专利]一种高介电常数材料栅结构及其制备工艺-CN200310108275.9有效
发明人：陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明为一种高介电常数材料栅结构及其制备工艺。在硅片表面氧化生长一非常薄的氮氧化硅层作为高介电常数材料与硅衬底之间的界面缓冲区，以便有效隔离高介电常数材料中的杂质元素与硅衬底间的扩散；在高介电常数材料表面进行氮化处理或者淀积一薄层氮化硅，把高介电常数材料覆盖住，并作为高介电常数材料与多晶硅的界面层，同时阻挡来自P+多晶的硼穿透。由本发明方法制备的高介电常数材料栅可以被有效应用于65纳米以下的CMOS工艺技术。
一种介电常数材料结构及其制备工艺

[发明专利]双频带介质谐振器滤波功分器-CN202310680278.7在审
发明人：徐凯;施金;林垄龙;徐宗铭;路易;赵瑞静;杨永杰 -专利权人：中天射频电缆有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：一种双频带介质谐振器滤波功分器，包括依次层叠设置的第一金属地、第一低介电常数介质基板、第二低介电常数介质基板、高介电常数介质基板、第三低介电常数介质基板、第四低介电常数介质基板及第二金属地，高介电常数介质基板包括第一、第二带状介质块，第二、第三低介电常数介质基板上均设置有多个通孔，第三低介电常数介质基板相对高介电常数介质基板的面上设有一对平衡式输入端口和一对平衡式输出端口，平衡式输出端口之间连接有电阻。本申请以两个带状介质块加载上下都引入若干通孔的低介电常数基板的谐振器，结合输出端加载隔离电阻的方式，实现了具备低损耗、高频率选择性、低剖面、易集成及高隔离等特点的双频带介质谐振器滤波功分器。
双频介质谐振器滤波功分器

[发明专利]合成多层陶瓷电子部件及其制造方法-CN01143780.4无效
发明人：杉本安隆;近川修;森直哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2001-12-19 - 公布日： 2002-07-24 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO－TiO3－ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO－TiO3－ReO3/2介质表示为xBaO－yTiO3－zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8x18,52.5y65,20z40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。
合成多层陶瓷电子部件及其制造方法

[发明专利]半导体结构形成方法-CN201811183706.0在审
发明人：卢仁祥;蔡宗翰;张世勳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构形成方法包含：提供一半导体层；于半导体层上方形成介面层；于介面层上方沉积高介电常数介电层；于高介电常数介电层上方形成虚设栅电极；图案化虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层，使得虚设栅电极的宽度小于高介电常数介电层的宽度；沿着虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层的侧壁形成间隔物；形成多个源极/漏极特征；以及以金属栅电极取代虚设栅电极以形成高介电常数金属栅极结构。
高介电常数介电层虚设栅电极介面层半导体层金属栅极结构半导体结构高介电常数金属栅电极源极/漏极间隔物图案化侧壁沉积

[发明专利]用于在组合物中产生放电的系统和方法-CN201580009191.0有效
发明人：民苏克·查;章旭明;苏克侯·昌 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H05H1/48 文献下载
摘要：一种系统和方法，其配置成在组合物中产生放电，例如配置成例如在包含材料混合物的组合物中产生放电的那些，所述材料混合物例如高介电常数材料和低介电常数材料的混合物(例如高介电常数液体和低介电常数液体的组合物、高介电常数固体和低介电常数液体的组合物以及类似组合物)，以及其它系统和方法，其配置成例如通过部分由在组合物中产生放电造成的材料改性和/或材料合成制造材料。
用于组合产生放电系统方法

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