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[发明专利]固体氧化物燃料电池电解质及方法-CN200680010356.7无效
发明人：肯尼斯·S·墨菲 -专利权人：豪梅公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：一种制造固体氧化物燃料电池电解质的方法，包括将基底预加热到大约1100℃及更高的基底温度，氧化物电解质层会沉积到该衬垫上，在压力为10^－3或更低毫米汞柱、没有例如氧气等生产气体的抽空腔室内用电子束撞击包括氧化物的源极的表面，以在腔室内蒸发氧化物，以及将预加热基底放置在腔室中，在该腔室中氧化物沉积到加热基底上。氧化物燃料电池电解质被沉积成具有柱状氧化物微观结构。
固体氧化物燃料电池电解质方法

[发明专利]一种玻璃基板的加工方法-CN202111097790.6有效
发明人：肖红星;程灿;吴佳辉;汪康;龙维 -专利权人：湖北优尼科光电技术股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B23K26/382 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃基板的加工方法，包括：(1)沉积碳化硅层；(2)预加热处理：将含有所述碳化硅层的玻璃基板转移至预热腔中，维持预加热温度60～180s，且预加热温度为600～800℃；(3)激光脉冲打孔本发明通过在玻璃基板上预先沉积一层碳化硅薄膜，利用碳化硅薄膜高导热系数以及低热膨胀系数的特性，同时配合预加热处理，使激光诱导的瞬态应力大幅削弱，从而使打孔后玻璃基板上的裂纹和缺陷显著降低；同时，该方法能够很好的控制得到预期厚度的玻璃基板
一种玻璃加工方法

[发明专利]复合氧化膜结构-CN201410362684.X在审
发明人：沈哲敏;李广宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提出一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：在半导体基片上沉积第一氧化膜；在所述第一氧化膜中形成空腔结构；在所述空腔结构中填充预填充材料；在所述第一氧化膜上沉积第二氧化膜；在所述第二氧化膜中、所述空腔结构上方位置处刻蚀出孔；去除所述预填充材料；以及继续沉积所述第二氧化膜，使沉积材料封闭所述孔。根据本发明的另一个方面，提出一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：在半导体基片上依次沉积两个或更多个复合子层，其中每个复合子层包括第一氧化膜以及沉积在第一氧化膜上的第二氧化膜，其中所述第一氧化膜的材料应力和所述第二氧化膜的材料应力方向相反
复合氧化膜结构

[发明专利]一种石墨舟的饱和沉积工艺-CN202111576086.9在审
发明人：蔡二辉;陈筑;刘晓巍;吴前进;俞军;余震杰 -专利权人：宁波尤利卡太阳能股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨舟的饱和沉积工艺，具体为：将清洗后的石墨舟放入炉管进行饱和沉积的预准备；对所述石墨舟进行预轰击处理；对所述石墨舟沉积第一氮化硅膜；对所述石墨舟沉积碳化硅膜；对所述石墨舟沉积第二氮化硅膜该种石墨舟饱和沉积工艺能使石墨舟更容易清洗，提高了清洗效率，进一步提高了生产效率和生产质量。
一种石墨饱和沉积工艺

[发明专利]3D NAND闪存沟道孔的制备方法及3D NAND闪存-CN201710740880.X有效
发明人：唐兆云;隋翔宇;陆智勇;赵新梅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：本发明提供了3D NAND闪存沟道孔的制作方法及3D NAND闪存，所述方法包括：在衬底堆叠结构的沟道孔中沉积，分别形成阻挡层、存储层和隧穿层；然后进行第一层多晶硅层的沉积；对第一层沉积的多晶硅层进行低温自由基氧化，以形成掩蔽氧化层；对沟道孔底部的掩蔽氧化层、第一层多晶硅层、隧穿层、存储层和阻挡层进行刻蚀，直至漏出硅外延层并过刻蚀该硅外延层一定深度；去除掩蔽氧化层，并进行第二层多晶硅沉积前预清洗；进行第二层多晶硅层的沉积由于采用了低温自由基氧化工艺形成掩蔽氧化层及采用稀氢氟酸进行第二层多晶硅沉积前的预清洗，省去多晶硅回刻步骤，形成均匀性好，高质量的沟道孔多晶硅层，并且成本低，可靠性高。
dnand 闪存沟道制备方法

[发明专利]一种在线预涂覆烃类裂解炉管的方法-CN201310303923.X在审
发明人：王申祥;王国清;王红霞;郏景省 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种在线预涂覆烃类裂解炉管的方法，将涂覆气体通入裂解炉管，所述涂覆气体包括有机铝蒸汽与载气，涂覆气体与炉管内表面进行氧化反应和气相沉积反应，所述载气包括H₂、N预涂覆，成本低廉，可以减少焦炭在裂解炉管内壁的沉积70%以上。
一种在线预涂覆烃类裂解炉管方法

[发明专利]预钻孔的湿式镀法金属基板及其制造方法-CN201510178377.0在审
发明人：陈宗仪;滨泽晃久;陈文钦;邱建峰;范士诚 -专利权人：柏弥兰金属化研究股份有限公司;达迈科技股份有限公司;荒川化学工业股份有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明是一种预钻孔的湿式电镀金属基板及其制造方法，其包括有提供一聚酰亚胺膜；于该聚酰亚胺膜上进行多个预钻孔作业，使该聚酰亚安膜形成多个贯孔；将该聚酰亚胺膜进行表面清洁处理；将该聚酰亚胺膜进行化学法沉积，使其表面及多个贯孔壁上形成一第一金属层；及将该聚酰亚胺膜进行电镀法沉积，使该第一金属层上方形成一第二金属层。
钻孔湿式镀法金属及其制造方法

[发明专利]具有隧道效应的瞬态抑制二极管芯片的制造方法-CN201410021035.3在审
发明人：茅寅松;盛锋 -专利权人：上海瞬雷电子科技有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种具有隧道效应的瞬态抑制二极管芯片的制造方法，包括步骤如下：1）氧化前处理；2）氧化；3）光刻；4）去除单面氧化层；5）扩散前处理；6）磷扩散预沉积；7）预沉积后处理；8）磷扩散；9）扩散后处理
具有隧道效应瞬态抑制二极管芯片制造方法

[发明专利]一种耦合预沉积吸附剂的重力驱动超滤膜净水装置-CN202211677682.0在审
发明人：王殿常;彭寿海;惠二青;戴明华;何强;阳春;刘彩虹;左庆扬 -专利权人：长江生态环保集团有限公司;北京市市政工程设计研究总院有限公司;重庆大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种耦合预沉积吸附剂的重力驱动超滤膜净水装置。该装置主要包括原水箱、进水泵、高位水池、膜反应器、吸附剂层、膜组件、粗滤网、细滤网和连接管道及阀门等部件。该装置结构简单，设备投资及运行费用低廉，可应用于偏远地区和无集中供水的农村地区的耦合预沉积吸附剂的重力驱动超滤膜净水装置。
一种耦合沉积吸附剂重力驱动超滤膜净水装置

[发明专利]用以改善装置效能的处理-CN202280019084.6在审
发明人：史蒂文·C·H·洪;董琳;本杰明·科伦坡;约翰内斯·F·斯温伯格;王林林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括在氢的氛围中退火基板表面以使表面平整，预清洁基板表面，在基板的预清洁表面上沉积高介电常数介电层，执行再氧化工艺以热氧化基板表面；执行等离子体氮化工艺以将氮原子插入沉积的高介电常数介电层中
用以改善装置效能处理

[发明专利]用于粒状多晶硅生产的反向循环流化床反应器-CN201580036419.5在审
发明人： W·L·钦;F·S·法伦布鲁克;S·D·斯肯尼尔;L·E·莫兰;J·C·伽姆 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B01J8/24 文献下载
摘要：反向流化床反应器(FBR)通过绝热垂直分配器被分隔成为预反应加热区、反应区和脱氢区。所述脱氢区可以为独特的，或者所述加热区可用作脱氢区。多晶硅的颗粒向上循环通过加热区并且进入反应区的顶部，在这里发生硅的沉积，并且生长的颗粒缓慢沉降，直至它们再次进入预反应加热区的底部。从而使灰尘形成、壁沉积和产物硅颗粒中的氢含量最小化。
用于粒状多晶生产反向循环流化床反应器

[发明专利]一种预沉淀解决输水管道堵塞的装置-CN201410747834.9在审
发明人：李勇;崔兆民;张灿军;孟先健;李营生 -专利权人：新东岳集团有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： B29C35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种预沉淀解决输水管道堵塞的装置，具有进水口1、排污球形控制阀2、出水球形控制阀3、出水针型控制阀4、出水口5、排污口6、预沉淀通道7，其特征是：自来水从进水口1，经过出水球形控制阀3和出水针型控制阀4，由出水口5进入塑化机，由于出水口5要求水量很小，故而出水球形控制阀3前端及进水口1中沙粒、锈蚀的管壁杂质等产生沉积，通过增设的预沉淀通道7，依靠重力作用将自来水中的杂质沉积在预沉淀通道7处，每隔7-8小时打开一次排污球形控制阀2，将沉积的杂质经排污口6排入地下沟中，经过沉降后的清洁水经出水口5进入塑化机，确保了水流的稳定性，稳定产品质量。
一种沉淀解决输水管道堵塞装置

[发明专利]一种碱基喷射脱除SO3-CN202110698945.5有效
发明人：梁俊杰;宋玉宝;谢新华;方朝君;赵宁波 -专利权人：苏州西热节能环保技术有限公司;西安热工研究院有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B01D53/50 文献下载
摘要：当碱基吸收剂喷射点为SCR入口烟道时，对SCR入口烟温与SCR脱硝设备最低连续喷氨温度进行比较，根据比较结果确定SO3脱除率以及对应的碱基吸收剂喷射量；当碱基吸收剂喷射点为空预器入口烟道时，首先根据燃煤机组的机组负荷确定空预器的沉积系数临界值，然后根据空预器的沉积系数临界值与SO3脱除率的关系，确定空预器的沉积系数临界值对应的SO
一种碱基喷射脱除 so base sub

[发明专利]锂离子电池用阳极的制造方法-CN201980029250.9在审
发明人：法比安·加邦 -专利权人： I-TEN公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池用阳极，包含至少一种阳极材料并且不含粘结剂，所述阳极预嵌有锂离子，其特征在于，沉积于能够用作阳极集电体的导电基底上的所述阳极材料被保护性覆层覆盖，该保护性覆层与所述阳极材料接触，该阳极可由气相沉积或通过电泳沉积，并且该保护性覆层通过ALD沉积或在溶液中通过化学方式沉积。
锂离子电池阳极制造方法

[发明专利]用于二嵌段聚合物的超薄对准壁-CN200980145649.X无效
发明人：李金杨;D·S·阔;D·布切尔;K·佩霍斯 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G11B5/855 文献下载
摘要：方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
用于二嵌段聚合物超薄对准