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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]柴可拉斯基生长装置转换配件-CN201811573278.2有效
发明人： K·R·瓦扬古;R·马伦;S·J·图尔凯蒂 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种柴可拉斯基生长装置转换配件，本发明是关于一种生长装置转换配件以及用于改进并转换柴可拉斯基生长装置的方法，特别是将批量柴可拉斯基生长装置转换成连续柴可拉斯基生长装置。尤其，分离阀设置在上料斗与下料斗之间，以便在上料斗正在被重新填充时维持下料斗内的条件。
可拉生长装置转换配件

[发明专利]使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具-CN201910876001.5有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具。具体地，本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外侧的加热元件、和位于炉壳内且由绝热体包围的热区。该热区包括具有位于下区域的硅碳化物晶种前驱物、和位于上区域的硅碳化物晶种。该热区被加热以升华该硅碳化物前驱物而形成硅碳化物于该硅碳化物晶种的底面上。此外，也公开用以生产该硅碳化物的该升华炉以及产生的硅碳化物材料。
使用碳化物晶种来生产大块方法器具

[发明专利]用来生产大块硅碳化物的器具-CN201911000419.6有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种用来生产大块硅碳化物的器具，本发明披露一种生产硅碳化物的方法。本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。亦披露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。
用来生产大块碳化物器具

[发明专利]从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具-CN201480049194.2有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外的加热元件、和位于炉壳内由绝热体包围的热区。热区包括具有位于下区域的硅碳化物先驱物和位于上区域的硅碳化物晶种的坩埚。热区经加热以升华硅碳化物先驱物，于硅碳化物晶种的底部表面形成硅碳化物。同样公开用以生产硅碳化物的升华炉以及所生产的硅碳化物材料。
碳化物先驱生产大块方法器具

[发明专利]生产大块硅碳化物的方法-CN201910967962.7有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种生产大块硅碳化物的方法，该方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于炉壳外的加热元件、以及置于炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令硅碳化物先驱物升华，在硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。本发明亦揭示用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生硅碳化物材料。
生产大块碳化物方法

[发明专利]具有低缺陷密度的大块硅碳化物-CN201480049200.4有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：揭露一种生产硅碳化物的方法。本方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。
具有缺陷密度大块碳化物

[发明专利]用于CAD反应器的改善的辐射屏障-CN201480071670.0有效
发明人： J·C·伽姆;B·E·克拉克;P·E·甘农;M·麦克法兰;S·曼德普迪 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种反应室，包括内部涂覆有金属氮化物的外壳的罩壳，所述金属氮化物提供大于90％的内部红外线的平均反射率。所述金属氮化物可以为氮化钛、氮化锆、氮化铪或其它金属的氮化物，并且可以为0.1微米到10微米厚度，优选为4微米到5微米厚度。所述层不会失去光泽，并且能够承受达到至少250℃，优选达到300℃的反应室温度。它适用于沉积过程，例如PVD、CVD、热喷涂或阴极弧，其中所述罩壳本身为金属氮化物沉积罩壳。沉积的均匀性能够由旋转沉积源以360/d的总重复次数通过T角度并返回至T±d角度而改善。反应器能够为将多晶硅沉积在加热的丝线上的CVD反应器。
用于 cad 反应器改善辐射屏障

[发明专利]具有加强偏移容差的反应器细丝组件-CN201580005918.8有效
发明人： A·D·罗兹;K·H·巴伦杰 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CVD硅沉积反应器的管状细丝组件，其通过在管状细丝的顶部和/或底部与匹配于桥和/或支撑卡盘的成型部件之间形成的可滑动的连接，提供了竖直管状细丝连贯和低电阻的连接，使得该连接至少对竖直细丝和/或水平连桥的倾斜角度的小变化不敏感。所述成型部件可以并入桥和/或卡盘中或独立的且与桥和/或卡盘匹配。本发明描述了许多不同的实施方式。
具有加强偏移反应器细丝组件

[实用新型]柴可拉斯基生长装置转换配件-CN201822169555.5有效
发明人： K·R·瓦扬古;R·马伦;S·J·图尔凯蒂 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种柴可拉斯基生长装置转换配件，本实用新型是关于一种生长装置转换配件以及用于改进并转换柴可拉斯基生长装置的方法，特别是将批量柴可拉斯基生长装置转换成连续柴可拉斯基生长装置。尤其，分离阀设置在上料斗与下料斗之间，以便在上料斗正在被重新填充时维持下料斗内的条件。
生长装置斯基转换配件上料斗下料斗本实用新型分离阀转换填充改进

[发明专利]用来生产大块硅碳化物的器具-CN201480049112.4有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：揭露一种生产硅碳化物之方法。本方法包含提供升华炉之步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外之加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕之热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中之硅碳化物先驱物及置于其上部区中之硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种之底部表面上形成硅碳化物。亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。
用来生产大块碳化物器具

[发明专利]生产大块硅碳化物的方法-CN201480049097.3有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种生产硅碳化物的方法，该方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于炉壳外的加热元件、以及置于炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令硅碳化物先驱物升华，在硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。本发明亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生硅碳化物材料。
生产大块碳化物方法

[发明专利]使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具-CN201480049104.X有效
发明人： R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外侧的加热元件、和位于炉壳内且由绝热体包围的热区。该热区包括具有位于下区域的硅碳化物晶种前驱物、和位于上区域的硅碳化物晶种。该热区被加热以升华该硅碳化物前驱物而形成硅碳化物于该硅碳化物晶种的底面上。此外，也公开用以生产该硅碳化物的该升华炉以及产生的硅碳化物材料。
使用碳化物晶种来生产大块方法器具

[发明专利]加热装置及与其相关的方法-CN201180056910.6有效
发明人： S·法伦布鲁克;B·黑兹尔坦 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明一般涉及加热装置及使用该加热装置的方法。在一些实施例中，加热装置包含具有中空圆柱形加热腔的压力壳、设置于该中空圆柱形加热腔中的环状遮热板、及至少一设置于该环状遮热板的内部容积中的加热组件。在另一实施例中，一种制备三氯硅烷的方法，包括以下步骤：引导具备四氯化硅的反应物流至加热装置中、令电流通过加热组件以加热该反应物流、及引导加热的该反应物流至反应器中。
加热装置与其相关方法

[发明专利]包含超薄蓝宝石包覆板的行动式电子装置-CN201380059457.3有效
发明人： J·M·扎勒;C·J·佩蒂 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：所揭示的是一种包含包覆板的电子装置。包覆板包含具有一或多个厚度小于50微米的蓝宝石层。还揭示的是使用离子布植/剥离方法制备这些超薄蓝宝石层的方法。
包含超薄蓝宝石包覆板行动电子装置

[发明专利]包括改性蓝宝石的移动电子装置-CN201380064473.1有效
发明人： D·B·乔伊斯;J·Q·达姆;J·M·扎勒 -专利权人： GTAT公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种包括盖板的电子装置。该盖板包括至少一层改性蓝宝石，该改性蓝宝石所具有的介电常数高于蓝宝石的介电常数。
包括改性蓝宝石移动电子装置

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