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[发明专利]低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法-CN202211157224.4在审
发明人：胡良斌 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法，其制备方法包括：保护气体氛围下，将多晶硅在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行预沉积，制备掺杂多晶硅预成品；提高沉积压力，将掺杂多晶硅预成品在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行主沉积；预沉积有多次，每次预沉积的沉积压力逐次升高；每次预沉积的时间相等。通过在主沉积步骤之前添加沉积压力低于主沉积的沉积压力的预沉积步骤，可以有效减少将压力由底压直接一步升到主沉积压力，直接在主沉积压力下进行掺杂时由于压力相对较高导致的硅原子的扩散聚集，从而改善掺杂多晶硅表面形成大量多晶堆积和凹坑的情况
缺陷掺杂多晶及其制备方法

[发明专利]一种连续沉积金刚石薄膜的方法及其设备-CN202010380075.2在审
发明人：玄真武;李勇;张怡;何敬晖 -专利权人：北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续沉积金刚石薄膜的方法及其设备。包括预沉积室、沉积室、制品待取室及将预沉积室的基片从所述预沉积室依次传输至沉积室、制品待取室的基片传输装置，其中，所述预沉积室、沉积室、制品待取室依次设置且依次连接，预沉积室内充入基片沉积时所需气氛气体，在所述沉积室内当前热丝结构的作用下，依次对进入所述沉积室的多批次基片进行金刚石薄膜沉积，实现了在不更换热丝结构的前提下，多次金刚石膜的沉积，避免了现有技术中由于热丝消耗和中间更换热丝所导致的成本非必要提高问题
一种连续沉积金刚石薄膜方法及其设备

[实用新型]一种连续沉积金刚石薄膜设备-CN202020739466.4有效
发明人：玄真武;李勇;张怡;何敬晖 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种连续沉积金刚石薄膜设备。包括预沉积室、沉积室、制品待取室及将预沉积室的基片从所述预沉积室依次传输至沉积室、制品待取室的基片传输装置，其中，所述预沉积室、沉积室、制品待取室依次设置且依次连接，预沉积室内充入基片沉积时所需气氛气体，在所述沉积室内当前热丝结构的作用下，依次对进入所述沉积室的多批次基片进行金刚石薄膜沉积，实现了在不更换热丝结构的前提下，多次金刚石膜的沉积，避免了现有技术中由于热丝消耗和中间更换热丝所导致的成本非必要提高问题
一种连续沉积金刚石薄膜设备

[发明专利]一种粉末预先层铺式复合电铸装置-CN201611122369.5有效
发明人：贺毅强;李俊杰;杨建明;冯立超;陈劲松 -专利权人：淮海工学院
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种预铺粉式快速电沉积制备金属及合金的装置及其应用。沉积前，送料腔升降机构将储料腔的粉末顶出，沉积腔的升降机构将沉积层下降至沉积腔上表面0.5～2.0mm，送料轴轮推动金属粉末进入沉积腔，并将粉末均匀铺于沉积层的上表面。电沉积时，沉积金属与预铺的金属粉末成分一致，沉积金属填充在预铺金属粉末颗粒之间，当沉积金属将预铺金属粉末之间的空隙填充完毕后，送粉装置再次进行铺粉，如此循环，直至完成完成电铸。由于采用预铺金属粉，降低了金属的沉积量，经压实后的多颗粒度混合金属粉相对密度可达70％以上，因此金属沉积层的增厚速率可提高到3倍以上，且沉积层致密均匀。
一种粉末预先层铺式复合电铸装置

[发明专利]壳体、制造壳体的方法和电子设备-CN201410091659.2有效
发明人：黄昶渊;金原兑;金学柱;崔钟哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种壳体，包括具有位于其表面的至少一部分上的凹部的注塑预成型件、沉积在注塑预成型件的表面上的沉积层、和形成在沉积层上的漆层。沉积层可以直接接触注塑预成型件的表面。制造壳体的方法包括注塑模制具有位于其表面上的凹部的注塑预成型件，形成直接接触注塑预成型件的表面的沉积层，以及在沉积层上形成漆层。
壳体制造方法电子设备

[发明专利]硼磷硅玻璃介电层的制备方法、半导体器件及电子装置-CN201410325956.9在审
发明人：李立春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：所述方法包括预沉积步骤和主沉积步骤，其中，所述预沉积步骤中磷源的流量小于所述主沉积步骤中磷源的流量，以降低制备得到的硼磷硅玻璃介电层中磷的含量。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的硼磷硅玻璃介电层沉积方法，所述方法包括预沉积和主沉积两个步骤，其中在所述预沉积步骤中通过降低所述TEB和TEPO气体的流量，以及同时控制该预沉积步骤的沉积时间，来避免在所述预沉积步骤中磷的浓度过大的问题，同时还可以使硼和磷的浓度更加均一，从而消除所述硼磷硅玻璃介电层在后续形成接触孔的步骤中孔洞的出现以及桥连现象的发生。
硼磷硅玻璃介电层制备方法半导体器件电子装置

[发明专利]一种发光二极管外延片制备方法-CN201811453957.6在审
发明人：魏曙亮 -专利权人：江苏中谷光电股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明是一种发光二极管外延片制备方法，包含以下步骤：S1、在衬底上预镀预镀层；S2、获取所述预镀层厚度；S3、根据获取的预镀层厚度在所述预镀层上沉积缓冲层厚度或缓冲层中铝组份含量；所述步骤S3中，沉积缓冲层时保持缓冲层厚度不变，调节缓冲层中金属组份含量；或，沉积缓冲层时根据预镀层厚度调节缓冲层厚度；S4、在所述缓冲层上沉积第一接触层；S5、在所述第一接触层上沉积发光层；S6、在所述发光层上沉积第二接触层。本发明通过在衬底上预镀预镀层，利用在线监测获取预镀层厚度并及时对缓冲层进行调节，使衬底、预镀层、缓冲层达到最佳匹配度，从而提高产品品质。
缓冲层预镀层沉积接触层衬底发光二极管外延发光层预镀制备产品品质厚度调节金属组份在线监测最佳匹配铝组份

[发明专利]玻璃衬底的预多晶硅被覆-CN01815870.6无效
发明人： K·S·劳;D·梅丹 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2001-08-27 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：一种用于在预退火玻璃衬底上形成多晶硅层的方法和装置。在一个技术方案中，该方法包含：在沉积室中装载预退火玻璃衬底，在预退火玻璃衬底上沉积非晶硅层，对预退火玻璃衬底进行退火，以便在其上形成多晶硅层。非晶硅层可以在进行退火步骤的同时沉积，以便在预退火玻璃衬底上生成多晶硅层。可以在沉积非晶硅层之前沉积氮化物层和/或氧化物层，并且对预退火玻璃衬底进行退火。
玻璃衬底多晶被覆

[发明专利]薄膜电晶体之化学气相沉积制作流程及其预沉积层构造-CN200810027829.5有效
发明人：王志达 -专利权人：深超光电（深圳）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明系有关于一种薄膜电晶体制作流程及其预沉积层构造，尤指一种薄膜电晶体之化学气相沉积制作流程及其预沉积层构造；其主要系于将基板传送至机台之载入腔室，进行抽真空及加热之后，先对制程腔室承载台进行一预沉积之步骤，再进行后续的薄膜电晶体之化学气相沉积；预沉积层可包含有氮化硅与非晶硅之多层沉积，可有效防止腔室中清洗所残留之氟、氯及掺杂物等影响薄膜电晶体之电气特性者。
薄膜电晶体化学沉积制作流程及其构造

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法-CN200710039785.3有效
发明人：范建国;季峰强;董智刚;黄柏喻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：提供进行沉积反应的沉积装置，其包括进行薄膜沉积的反应室及反应气体流量控制模块；提供半导体衬底，放置于沉积装置的反应室内；在上述反应气体流量控制模块设置气体流量峰值，进行第一预沉积步骤；在反应气体流量达到预设峰值后，进行第二预沉积步骤；进行主沉积步骤；对沉积的多晶硅薄膜进行预设剂量的离子注入。与现有技术相比，本发明的制备方法通过将预沉积步骤分为两步，且通过第一步预沉积过程对反应气体流量的峰值控制来调整调整多晶硅薄膜的阻值，从而提高了半导体器件的精确度。
多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种锅炉空预器蒸汽吹灰优化指导方法-CN202011227835.2有效
发明人：梁俊杰;宋玉宝;李亚林;卢承政;赵玉;唐广福;刘艳虹;李伟 -专利权人：苏州西热节能环保技术有限公司;西安热工研究院有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： F23L15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锅炉空预器蒸汽吹灰优化指导方法，根据烟气参数计算硫酸氢铵的沉积系数，评判硫酸氢铵沉积倾向；根据空预器烟气侧压降与锅炉负荷运行数据计算空预器阻力系数，反映空预器积灰堵塞情况；获得空预器阻力系数与硫酸氢铵沉积系数的相关关系，以硫酸氢铵沉积系数预判空预器积灰堵塞趋势，实现主动预防吹灰。本发明提供的锅炉空预器蒸汽吹灰优化指导方法，改变原先固定频率吹灰方式，将硫酸氢铵沉积系数作为吹灰操作前馈参数，预判空预器积灰趋势，实现主动预防吹灰，保证机组经济安全运行，同时蒸汽吹灰投运操作更加合理，在一定程度上可节省蒸汽耗量
一种锅炉空预器蒸汽优化指导方法

[发明专利]使用碳基膜空间选择性灰化改善沉积引起的CD不平衡的方法-CN201880077280.2在审
发明人：伊时塔克·卡里姆;普尔凯特·阿加瓦尔;约瑟夫·R·阿贝尔;普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于利用碳基沉积物在晶片上形成特征的方法。对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除。通过原子层沉积工艺沉积氧化硅基材料的氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除，其与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除互补。
使用碳基膜空间选择性灰化改善沉积引起 cd 不平衡方法

[发明专利]半导体工艺方法和半导体工艺设备-CN202310212773.5在审
发明人：刘成法 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法，包括预沉积步骤和其后至少进行一次的工艺沉积步骤，预沉积步骤包括：以第一流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在工艺腔室内部结构的表面沉积形成预沉积层；工艺沉积步骤包括：以第二流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在晶圆的表面沉积形成工艺膜层；第一流量大于第二流量。在本发明中，预沉积步骤中通入预设工艺气体的第一流量大于工艺沉积步骤中通入预设工艺气体的第二流量，从而使致密的附着膜层与石英结构的表面之间间隔一层与石英件贴合不紧密且疏松的预沉积层，延长了石英件的使用寿命
半导体工艺方法工艺设备

[发明专利]反应腔室以及半导体加工设备-CN201610653139.5有效
发明人：郭浩;郑金果;赵梦欣;侯珏;陈鹏;杨敬山;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室以及半导体加工设备，其包括基座、基座升降机构、压环、预沉积内衬组件和接地机构，其中，基座用于承载晶片；基座升降机构用于驱动基座上升或下降；压环用于在基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且压环在基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与基座相分离；预沉积内衬组件环绕设置在基座和压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子沉积到反应腔室的底部；接地机构用于分别将预沉积内衬组件和基座接地。本发明提供的反应腔室，其可以在进行预沉积工艺时，既实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，从而可以提高设备的使用寿命。
反应以及半导体加工设备

[发明专利]一种类载板无电沉积锡镍合金方法-CN202310858178.9有效
发明人：黄志齐;宗高亮;彭海鸥 -专利权人：深圳市板明科技股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C18/50 文献下载
摘要：本发明公开一种类载板无电沉积锡镍合金方法，涉及类载板表面处理技术领域。一种类载板无电沉积锡镍合金方法，包括以下步骤：包括预浸段和沉积段；所述预浸段采用所述无电沉积锡镍合金药水，预浸段的工艺参数为：温度20‑35℃，时间2‑12min；所述沉积段采用所述无电沉积锡镍合金药水，沉积段的工艺参数为：温度55‑75℃，时间25‑45min。通过本发明的方法，类载板仅需经过预浸段和沉淀段，就能够达到在铜基上沉积锡镍合金的效果，且沉积效果优异；沉积的锡镍合金厚度适中，结构致密，晶粒大小适宜，内应力小，锡须生长慢,能够很好地抑制锡须的生长,具有光亮
种类载板无电沉积镍合金方法

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