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[发明专利]湿化学共沉淀法制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法-CN202310763198.8在审
发明人：石爽爽;陈建荣;王国影;韩加红;肖亚波;徐吉 -专利权人： 北京中材人工晶体研究院有限公司;中材人工晶体研究院有限公司;中国建材集团有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种湿化学共沉淀法制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法，其以有机钛、NH4H2PO4和Rb2CO3为原料，采用湿化学共沉淀法和球磨法制备得到磷酸氧钛铷电光晶体生长原料。本申请提供的制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法采用的原料价格低廉，操作简单、制备成本低；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体生长原料纯度高、均匀性好且重复性好；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体质量好，无晶界、条纹、散射颗粒等缺陷，光学性能好。
化学共沉淀法制磷酸氧钛铷电光晶体生长原料方法

[发明专利]单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法-CN202310786508.8在审
发明人：周振翔;倪代秦;訾蓬;黄存新;陈建荣;吴宁 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法，包括：坩埚盖和坩埚，坩埚盖盖合于坩埚的顶部开口，坩埚的侧壁和底壁受热；坩埚内设有至少一个导热件，其底端与坩埚底壁接触，顶端与坩埚盖之间具有预设距离；坩埚内设有位于导热件远离坩埚底壁的一侧的隔板及位于隔板靠近坩埚底壁的一侧的原料；隔板包括遮挡部和流通部，遮挡部为圆环形结构，遮挡部的外缘与坩埚侧周壁抵接，流通部用于升华气体通过；坩埚盖的内侧设有籽晶，坩埚内还设有导流罩，导流罩设于隔板远离坩埚底壁的一侧，用于将升华气体导向籽晶表面；导热件的制作材料为耐高温且不与AlN反应的金属材料。该装置能提高原料的温度分布的均匀性。
生长装置方法

[发明专利]一种纳米硫化锌粉体的制备方法及其产品-CN202310790388.9在审
发明人：崔洪梅;钱纁;张旭;韦中华;马天翼 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C01G9/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种纳米硫化锌粉体的制备方法及其产品，其包括：将硫粉和锌粉分别装入第一坩埚和第二坩埚，第一坩埚和第二坩埚分别放入化学气相沉积炉的不同炉体中，将陶瓷沉积腔放入化学气相沉积炉的沉积区域炉体中，对化学气相沉积炉抽真空至真空度小于或等于400Pa；室温条件下，将盛放第一坩埚的炉体以5‑10℃/min的速率升温至300‑350℃，将盛放第二坩埚的炉体以20‑30℃/min的速率升温至550‑650℃，将沉积区域炉体以25‑35℃/min的速率升温至580‑680℃；待各炉体均升温到预定温度并保温8h至10h后，向第一坩埚通入载硫气，向第二坩埚通入载锌气；当反应完成后，直接关闭各炉体电源，降温后开炉收集纳米硫化锌粉体。得到的纳米硫化锌粉体纯度高、外观为白色且尺寸均一。
一种纳米硫化锌粉制备方法及其产品

[发明专利]一种碱金属离子掺杂溴化镧闪烁晶体及其生长方法-CN202310555193.6在审
发明人：王海丽;陈建荣;周南浩;韩加红 -专利权人： 北京中材人工晶体研究院有限公司;中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种碱金属离子掺杂溴化镧闪烁晶体及其生长方法，其包括以下步骤：称取LaBr3、CeBr3和MF固体并混合，装入石英坩埚中；抽真空后封口；将封口的石英坩埚置于两段控温下降炉的上温区进行升温，升温结束后恒温至坩埚中的原料完全熔化，再启动引下装置，使所述石英坩埚从所述上温区移动至下温区进行引下生长；降温至室温，得到所述溴化镧闪烁晶体。本申请通过M+取代溴化镧晶体中部分Ce3+格位，使晶体中的Br‑空位浓度大幅增加，减少了自由载流子的俄歇猝灭，进而提高Ce:LaBr3晶体的能量分辨率，所得Ce:LaBr3晶体的能量分辨率小于2.6％@662keV。
一种碱金属离子掺杂溴化镧闪烁晶体及其生长方法

[发明专利]一种PMNT靶材及其制备方法-CN202310381212.8在审
发明人：童亚琦;郑彧;李辉;刘晓花;王震 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司;中国建材集团有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本申请提供了一种PMNT靶材的制备方法，包括：获得MNT前驱体；将MNT前驱体与PbO混合并进行高温处理，获得PMNT粉体；将PMNT粉体进行球磨、造粒、过筛、冷等静压成型、排胶、热压烧结处理，获得PMNT靶材。本申请提供的制备方法可以得到微观结构均匀、致密度高、纯度高的PMNT靶材，特别是可以获得大尺寸高质量的PMNT靶材，从而提高PMNT薄膜产品的成品率，降低成本。
一种 pmnt 及其制备方法

[发明专利]一种PPKTP晶体的制备方法-CN202011518229.6有效
发明人：陈建荣;王国影;师瑞泽;王海丽;李辉 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种PPKTP晶体的制备方法，在K4P2O7‑BaF2‑RbF助熔剂体系中直接生长获得PPKTP晶体，通过掺入Ba2+、Rb+，控制生长过程形成的K+空位‑O2‑空位浓度梯度，并利用SPWM波形调制信号实现温度周期涨落，结合合适的顶部籽晶生长技术工艺，使其在生长过程中依次形成自发极化方向交替变换的畴结构，从而生长出具有9.4μm左右的周期畴结构，占空比50％左右的KTP晶体，可加工成3‑8mm厚的大口径PPKTP准相位器件，在激光变频领域具有强大的竞争力。
一种 ppktp 晶体制备方法

[发明专利]一种导模法镁铝尖晶石单晶的生长方法-CN202310192185.X在审
发明人：黄存新;雷牧云;王海丽;王晓亮 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种导模法镁铝尖晶石单晶的生长方法，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，再将晶体生长炉抽真空，然后充入惰性气体，再将晶体生长炉升温至2130～2200℃，使得晶体生长原料熔化，接着使籽晶接触模具的料缝顶端，然后提拉籽晶，使晶体生长原料在籽晶上凝结生长，其中模具上方设置有上隔热屏和下隔热屏，上隔热屏和下隔热屏之间狭缝的截面为曲面，然后提拉籽晶使籽晶表面结晶的晶体收缩，再使晶体在向上提拉过程中变厚变宽，使晶体在向上提拉过程中以模具的宽度进行生长，晶体生长结束后，开始退火降温。本申请通过控制上隔热屏和下隔热屏之间狭缝的截面为曲面，实现了镁铝尖晶石单晶在向上提拉过程中受热均匀的效果。
一种导模法镁铝尖晶石生长方法

[发明专利]一种导模法晶体生长装置及方法-CN202310085654.8在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请涉及晶体制备技术领域，尤其涉及一种导模法晶体生长装置及方法。该装置包括第一炉体、第二炉体、用于升降籽晶的第一升降装置和用于升降预制原料棒的第二升降装置，第一升降装置设于第一炉体顶部，第二升降装置设于第二炉体顶部，第一炉体内设置有第一坩埚，第一坩埚内设置有导模模具，第一坩埚内熔体通过导模模具与籽晶接触实现晶体生长，第二炉体内设有用于原料化料的第二坩埚。第一炉体和第二炉体相对的两个侧壁分别设有第一开口和第二开口；连通部，连通部的第一端穿过第一开口与第一坩埚连通，连通部的第二端穿过第二开口与第二坩埚连通，以使第二坩埚内的熔体通过连通部进入第一坩埚内，向第一坩埚持续供料，生长大尺寸的晶体。
一种导模法晶体生长装置方法

[发明专利]一种导模法晶体生长装置及方法-CN202310086073.6在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体、至少两个第一提升装置、第一过渡仓，第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩埚通过连通部连通。第一炉体顶部设有第一开口。第一提升装置沿导模法晶体生长装置的厚度方向并列设置于壳体顶部，并与壳体可移动连接。第一过渡仓的一端与第一炉体顶部相对设置，另一端与第一提升装置连接，第一提升装置均设有与第一过渡仓连通的第二开口，第一开口延伸至第一过渡仓内，第一提升装置沿导模法晶体生长装置的厚度方向相对于壳体移动，使其中一个第一提升装置的第二开口与第一开口相对，并通过第一过渡仓与第一开口连通。
一种导模法晶体生长装置方法

[发明专利]一种导模法晶体生长装置及方法-CN202310097868.7在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体及沿远离壳体顶部的方向依次设置的降温组件、夹紧传输机构、裁切机构和第一升降组件；第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩埚通过连通部连通。第一炉体的顶部设有延伸至降温组件内部的第一开口；第一升降组件用于升降籽晶；第一升降组件将籽晶升至与夹紧传输机构齐平时，夹紧传输机构用于夹紧并驱动籽晶和晶体沿导模法晶体生长装置的高度方向运动，籽晶和晶体沿夹紧传输机构传输的长度达到预设长度时，裁切机构用于将晶体切断。
一种导模法晶体生长装置方法

[发明专利]一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置-CN202310163412.6在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，然后将晶体生长炉抽真空，再将还原性气体与氩气充入晶体生长炉中，再将晶体生长炉升温至2060℃～2500℃，使得晶体生长原料熔化，然后使籽晶与熔化的晶体生长原料接触，生长晶体。本申请通过在晶体生长炉中增加了还原性气体，为晶体生长炉中易氧化的热场材料提供了还原性气氛，有效抑制了晶体生长炉中热场材料的氧化挥发，提高了晶体生长炉中热场材料的使用寿命，也降低了热场材料的氧化挥发对晶体生长原料的污染，进而降低了蓝宝石晶体中的杂质含量，提高了蓝宝石晶体的质量。
一种气氛导模法蓝宝石晶体生长方法装置

[发明专利]一种氮化硅陶瓷件及其加工方法-CN202111620269.6有效
发明人：韦中华;李镔;齐炯;牛爱新;赵红超;王子诚;王瑞强;陈波;张伟儒 -专利权人： 北京中材人工晶体研究院有限公司;中材高新氮化物陶瓷有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅陶瓷件以及其加工方法，所述氮化硅陶瓷件包括第一筒体，所述第一筒体两端分别设有第一端面、第二端面；所述第一筒体内设有第一固定座，所述第一固定座与所述第一端面贯通连接；所述第二端面上表面设有第二固定座，所述第二固定座与第二端面贯通连接；以及氮化硅陶瓷件的制备方法，通过造粒、冷等静压成型，得到初级坯体，精加工得到第二坯体，预烧结得到第三坯体，终烧结，即得。实现了氮化硅陶瓷件内部密度分布均匀，且强度高、密度低，所述氮化硅陶瓷件尺寸大，且加工简单，成品合格率高。
一种氮化陶瓷及其加工方法

[发明专利]一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法及蓝宝石-CN202211647122.0在审
发明人：承刚;周南浩;赵鹏;高崇;陈建荣;黄存新;王颖;张怡 -专利权人： 北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：⑴取Al2O3和降低蓝宝石吸收系数的物质，将降低蓝宝石吸收系数的物质掺杂入Al2O3形成混合料；⑵将⑴的混合料装入坩埚中；⑶抽真空，升温化料；⑷缩颈及引晶；⑸放肩；⑹等径生长阶段；⑺降温退火取蓝宝石晶体。本发明通过对泡生法工艺地改进，降低了蓝宝石的吸收系数。
一种法制备超低吸收蓝宝石方法

[发明专利]一种温度控制系统、方法、装置以及晶体制备装置-CN202211543153.1在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种温度控制系统、方法、装置以及晶体制备装置，涉及晶体制备技术领域，上述系统包括图像采集设备、数据处理器以及温度控制器，图像采集设备，用于实时采集第一图像；数据处理器，用于识别第一图像中晶体所在区域，依据识别出的区域获得第一晶体尺寸；数据处理器，还用于根据第一晶体尺寸和第二晶体尺寸，计算晶体的尺寸生长速度，将晶体尺寸的生长速度与预设的第一生长速度进行对比，得到尺寸对比结果，根据尺寸对比结果，向温度控制器发送温度控制指令；温度控制器，用于响应于温度控制指令，控制晶体制备温度。应用本发明实施例提供的温度控制系统，能够提高晶体质量、一致性及降低制备晶体的人力成本。
一种温度控制系统方法装置以及晶体制备

[发明专利]一种晶体的端面研抛方法-CN202310003385.6在审
发明人：刘巨澜;姜秀丽;姜继昌;张璇 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种晶体的端面研抛方法，包括：将多个所述晶体沿所述晶体的长度方向和/或宽度方向阵列排布并粘接形成所述晶体组块；将所述晶体组块放置于游星轮的工作孔内；将所述游星轮放入研抛机中对所述晶体组块进行研磨、抛光至预设高度。本申请中，由于单个晶体待加工截面积过小且重心较高，并且晶体与工作孔间配合存在间隙，晶体在研抛的过程中容易发生倾斜，造成较大的研抛精度误差，通过将多个晶体沿晶体长度方向或宽度方向阵列排布并粘接的方式，形成截面积较大的晶体组块，便于与工作孔配合，不易发生倾斜，提高研抛精度，同时，游星轮的每个工作孔中容纳多个晶体，增加了研抛效率。
一种晶体端面方法

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