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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310312323.X有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和层间介电层；在所述层间介电层中形成铜金属互连结构；在所述铜金属互连结构中形成铜金属层；以及在所述铜金属层的顶部形成自下而上层叠的钴金属层和AlN层。根据本发明，在所述铜金属互连结构中的铜金属层的顶部形成自下而上层叠的钴金属层和AlN层，可以有效抑制由所述铜金属层中的铜向上层层间介电层中的扩散所引发的电迁移，同时可以显著改善所述铜金属层与后续形成在其上的上层蚀刻停止层之间的附着性，避免层离现象的出现。
铜金属层互连结构铜金属半导体器件层间介电层蚀刻停止层钴金属层衬底半导体制造有效抑制避免层电迁移附着性介电层上层扩散

[发明专利]一种用于数据通信线缆的非连续的屏蔽胶带及其制造方法-CN201810043051.0有效
发明人：杨政国;邱绍坤;贾健佳;邹海鸥;张丽红;齐刚;庞凯 -专利权人：上海电气集团腾恩驰科技（苏州）有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01B11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于数据通信线缆的非连续的屏蔽胶带及其制造方法，其屏蔽胶带包括第一带层,所述第一带层的顶部安装有金属层，且金属层的宽度比第一带层的宽度小，金属层的顶部等间距开设有多条刻痕线，且金属层通过多条刻痕线分隔为多个独立的金属元件，第一带层的一侧延伸出金属层对应一侧的部分设置为空白区，所述金属层的底部与第一带层的顶部连接处填充有胶水，且金属层的长度与第一带层的长度相同，所述第一带层的空白区用于防止金属层发生短路。本发明经济实用，第一带层上的空白区在金属层进行刻痕的过程中并不会出现刻痕，使得屏蔽胶带在拉伸的过程中不会出现断裂，进而屏蔽胶带具有较好的完整性。
一种用于数据通信线缆连续屏蔽胶带及其制造方法

[实用新型]一种用于数据通信线缆的非连续的屏蔽胶带-CN201820073482.7有效
发明人：杨政国;邱绍坤;贾健佳;邹海鸥;张丽红;齐刚;庞凯 -专利权人：张家港特恩驰电缆有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01B11/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于数据通信线缆的非连续的屏蔽胶带，其屏蔽胶带包括第一带层,所述第一带层的顶部安装有金属层，且金属层的宽度比第一带层的宽度小，金属层的顶部等间距开设有多条刻痕线，且金属层通过多条刻痕线分隔为多个独立的金属元件，第一带层的一侧延伸出金属层对应一侧的部分设置为空白区，所述金属层的底部与第一带层的顶部连接处填充有胶水，且金属层的长度与第一带层的长度相同，所述第一带层的空白区用于防止金属层发生短路。本实用新型经济实用，第一带层上的空白区在金属层进行刻痕的过程中并不会出现刻痕，使得屏蔽胶带在拉伸的过程中不会出现断裂，进而屏蔽胶带具有较好的完整性。
金属层带层胶带屏蔽空白区数据通信线缆本实用新型非连续刻痕线刻痕顶部安装金属元件经济实用胶水宽度比短路拉伸分隔填充断裂延伸

[实用新型]一种防腐蚀的保温板-CN201920472991.1有效
发明人：陈文华;陈庆鸿;黄天焕;谢恩盛 -专利权人：福建鑫永华工业有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： E04B1/80 文献下载
摘要：该防腐蚀的保温板，包括两个金属保护层，两个金属保护层之间填充有聚氨酯保温层，所述金属保护层的外壁镀有防腐蚀层，所述聚氨酯保温层的内部设置有Z形加强筋，两个金属保护层之间并位于聚氨酯保温层的顶部焊接固定有金属防水层，所述金属保护层的顶部高出聚氨酯保护层并形成卡槽。该防腐蚀的保温板，通过金属保护层的顶部和右侧设置的卡槽以及底部和左侧设置的卡接齿，可使保温板具有拼接的功能，通过金属保护层顶部和左侧设置的密封凸条与密封凹条相适配，可在安装后具有减少雨水灌入的功能，有效减少雨水灌入到聚氨酯保温层内
金属保护层保温板聚氨酯保温层防腐蚀灌入雨水聚氨酯保护层本实用新型建筑保温板金属防水层防腐蚀层焊接固定密封凹条密封凸条内部设置有效减少卡槽适配外壁拼接填充

[发明专利]使用流体包封物的发光二极管封装-CN202110834511.3在审
发明人：陆内夫·亚历山大;周瓴;张剑平;高英;邓华中 -专利权人：博尔博公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种UV或DUV发光二极管封装，包括：基底；第一金属层、第二金属层和第三金属层，形成于基底的顶部表面上，其中第一金属层与第二金属层通过第一间隙电气隔离，第三金属层环绕第一金属层和第二金属层，且通过第二间隙与第一金属层和第二金属层电气隔离；透镜，附接于基底的顶部表面，其中基底与透镜之间形成腔体；LED芯片，设置于腔体中，其中芯片的阳极电气连接到第一金属层，且芯片的阴极电气连接到第二金属层；以及，流体包封物，其中腔体完全或部分地填充有流体包封物
使用流体包封物发光二极管封装

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610213621.7在审
发明人：邓武锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，表面具有介质层，介质层内具有开口；形成第一金属层，位于介质层顶部表面上，形成第一金属层的温度为第一温度；形成第二金属层，形成第二金属层的温度为第二温度，第二温度高于第一温度本发明通过在介质层顶部表面上形成第一金属层，在开口内填充第二金属层，第一金属层在第一温度下形成，第二金属层在第二温度下形成，且第二温度高于第一温度。因此第一金属层的晶体结构较完整，晶粒较小，强度较大，能够在平坦化处理过程中保护介质层顶部表面，能够有效的减少在平坦化处理过程中产生碎片，降低晶圆在平坦化处理过程中被碎片划伤的可能，提高平坦化后晶圆表面的平整程度
半导体结构形成方法

[实用新型]一种带凸包薄膜开关-CN202122832374.8有效
发明人：李勇 -专利权人：深圳市泰达薄膜开关有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01H13/7073 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带凸包薄膜开关，包括有底座保护层、线路板层、薄膜层和面板层，底座保护层的顶部设有线路板层，线路板层的顶部一侧设置有弧形结构的金属弹片，线路板层的顶部上位于金属弹片的外侧设置有黏胶层，黏胶层的顶部粘接固定有薄膜层，薄膜层上位于金属弹片的顶部中央处设有弧形凸包，薄膜层的顶部上位于弧形凸包的外侧四周设置有面胶层。有益效果：弧形凸包下压中缓冲弹簧带动按压板对金属弹片进行作用，不需要按压力度大，降低使用者的力度，弧形底座包和弧形面板凸包对金属弹片的顶部作用，增强使用者的按压手感，提高了按压舒适度，操作简单，线路板层用于设置电路；薄膜层和面板层均起到防水和保护电路的作用。
一种带凸包薄膜开关

[实用新型]一种具有改善差分信号对完整性的印刷电路板-CN202023249339.5有效
发明人：陈晓芳;刘健 -专利权人：无锡凯盟威电子科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有改善差分信号对完整性的印刷电路板，包括基板，所述基板的顶部焊接有第一金属编织层，所述基板的顶部设置有通信接口，所述通信接口贯穿于第一金属编织层的内部，所述基板的顶部安装有指示灯，所述基板的顶部贯穿连接有电源开关，所述基板的顶部安装有屏蔽控制器，所述屏蔽控制器一侧贯穿连接有引脚导线，所述引脚导线的一端连接有信号屏蔽器，所述第一金属编织层的顶部开设有散热引导孔，所述基板的底部焊接有第二金属编织层通过设置第一金属编织层和第二金属编织层，可通过金属编织层对电路板内部的连接电线进行包覆，减少外部电磁场或通信线路对电路板线路的干扰，有利于提升差分信号对的完整性。
一种具有改善信号完整性印刷电路板

[发明专利]存储器的制造方法-CN202010929515.5在审
发明人：向海斌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储器的制造方法，包括：提供衬底，衬底内具有沟槽；在沟槽表面形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成金属层，金属层至少填充满沟槽；对金属层进行表面处理，以提高金属层表面的平坦度；刻蚀去除部分厚度的金属层，形成栅极，栅极顶部低于衬底表面。本发明实施例有利于解决栅极顶部表面不平坦的问题。
存储器制造方法

[发明专利]一种基于等离子波导的偏振旋转器-CN201610367207.1有效
发明人：肖金标;黄炎 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于等离子波导的偏振旋转器，包括正方形硅芯层、顶部金属银条带、侧面金属银条带、二氧化硅包层和衬底；正方形硅芯层位于衬底上，正方形硅芯层为纵向截面为正方形的柱状；侧面金属银条带位于正方形硅芯层的一侧，且不与正方形硅芯层接触，侧面金属银条带的形状为纵向截面为长方形的柱状；顶部金属银条带位于正方形硅芯层的顶部，且不与正方形硅芯层接触，顶部金属银条带的形状为纵向截面为长方形的柱状；正方形硅芯层、顶部金属银条带、侧面金属银条带的外部包覆有二氧化硅包层。本发明使用金属条带的表面场局域化和场增强作用调整模场分布，相比使用倾斜单边或刻蚀方法，减小了器件尺寸，同时金属条带对于模场影响具有选择性。
一种基于等离子波导偏振旋转

[实用新型]一种高阻抗绝缘金属基板-CN202122704800.X有效
发明人：黄景忠;文红英 -专利权人：肇庆昌隆电子有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高阻抗绝缘金属基板，包括金属板本体，所述金属板本体的两端均往内凹陷设置有开口；所述金属板本体包括金属层，设置在所述金属层的顶部的导热绝缘层，设置在所述导热绝缘层的顶部的导电层；所述金属层的上表面往下凹陷设置有若干条的凹槽，所述导热绝缘层的下表面往下延伸设置有与所述凹槽的形状相适应的凸条；通过在金属层上设置凹槽，使得导热绝缘层的下表面填充进凹槽内形成凸条，既能使得导热绝缘层能与金属层结合的更加紧密，又能增大导热绝缘层与金属层的接触面积，提升金属基板的绝缘性能和导热性能。
一种阻抗绝缘金属

[发明专利]提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法-CN201010571656.0有效
发明人：杨涛;赵超;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在进行针对金属层的化学机械平坦化工艺之前，采用一金属刻蚀工艺，使得相邻金属栅之间的金属层与金属栅正上方的金属层的高度落差大幅减小，从而在研磨过程中，高度落差不会传递至金属栅正上方的金属层，极大地减小金属栅顶部的凹陷，得到了具有平坦顶部的金属栅，从而提高器件电学性能和成品率。
提高金属化学机械平坦化工均匀方法

[发明专利]MRAM装置和与逻辑集成兼容的集成技术-CN201180038473.5有效
发明人：李霞;朱晓春;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种半导体装置包含磁性隧道结MTJ存储元件，其经配置以与逻辑元件一起安置于共同金属层间电介质IMD层中。盖层使所述共同IMD层与顶部和底部IMD层分离。顶部电极和底部电极耦合到所述MTJ存储元件。到所述电极的金属连接分别通过所述分离盖层中的通孔形成于所述顶部和底部IMD层中。替代地，所述分离盖层是凹入的且所述底部电极是嵌入的，使得建立到所述底部IMD层中的金属连接的直接接触。到所述共同IMD层中的所述顶部电极的金属连接是通过用金属岛状物和隔离盖使所述金属连接与所述MTJ存储元件隔离来实现的。
mram 装置逻辑集成兼容技术

[发明专利]防止超厚金属上钝化层的破裂-CN201210038062.2有效
发明人：陈郁文;谢宗翰;林坤佑;蔡冠智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：防止超厚金属上钝化层的破裂。器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。
防止金属钝化破裂

[发明专利]间隙波导天线结构及电子设备-CN202080004835.8有效
发明人：赵志东;李强;劳大鹏;杨勇 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本申请提供一种间隙波导天线结构和电子设备，涉及通信雷达领域，该天线结构包括：包括顶部层、间隙波导结构、微带结构和底部层，顶部层与底部层平行，在顶部层的介质层的两侧分别铺设有第一金属层和第二金属层，微带结构设置于第二金属层中且微带结构的边框通过留空与第二金属层的金属隔开此外，还可以在第二金属层上设置元器件或芯片等，从而使得该天线结构的可集成性变好，扩大了该天线结构的适用范围。
间隙波导天线结构电子设备

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