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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310355840.9在审
发明人：大西彻;青井佐智子;浦上泰 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，其中在沟槽(6)的端部中，露出沟槽的端部(10)的开口(22)被形成在引出电极(20)中，半导体基板的顶表面侧上的沟槽栅电极(14)的侧表面与沟槽侧表面(12)间隔开，并且与位于半导体基板的顶表面在沟槽的直线部中，沟槽栅电极的顶表面与半导体基板的顶表面对准，并且层间绝缘膜不进入沟槽，其中，在沟槽的端部中，沟槽栅电极的顶表面被刻蚀，从而在沟槽的端部中的沟槽栅电极的顶表面的高度低于半导体基板的顶表面和在沟槽的直线部中沟槽栅电极的顶表面两者
半导体器件

[发明专利]半导体内连接结构的顶金属线上的保护结构及其形成方法-CN200610078791.5无效
发明人：郭衣玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是有关一种半导体内连接结构的顶金属线上的保护结构及其形成方法，其揭露了在一内连接结构的一顶金属线上形成一保护结构，特别是一种形成保护结构在一内连接结构的顶金属线上的方法，该方法至少包括以下步骤：提供一保护层于该顶金属线上；提供一电极开口或一连接垫于该顶金属线上的一保护层中；以及形成一贵重金属层的保护电极于该顶金属线上的该电极开口中。本发明结构在该顶金属线上的该保护层中提供一电极开口，以及在该顶金属线上的该电极开口中形成一保护电极，而可以排除经常存在于习知铝焊垫中的高浓度氟，因此可避免焊垫结晶缺陷以及后续晶片封装过程中接合失败。
半导体连接结构金属线上保护及其形成方法

[发明专利]磁存储器件-CN202010391513.5在审
发明人：权倍成;金容才;南坰兑;郑求训 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括：在基板上的下接触插塞；在下接触插塞上的磁隧道结图案；底电极，在下接触插塞和磁隧道结图案之间并与磁隧道结图案的底表面接触；以及顶电极，在磁隧道结图案的顶表面上。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个在垂直于基板的顶表面的第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。
磁存储器

[发明专利]选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列-CN202310463168.5在审
发明人：李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈佑昇;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列，选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部低热导率金属和第一顶部高热导率金属。
选择器结构记忆体单元阵列

[发明专利]太阳能电池-CN201210553753.6有效
发明人：林志清;詹永平;徐维骏;王晨昀 -专利权人：台积太阳能股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：所述太阳能电池包括底电极层，半导体光吸收层，以及TCO顶电极层。在一种实施方式中，TCO种子层形成在所述顶电极和吸收层之间以改进顶电极至吸收层的粘合力。在一种实施方式中，所述种子层以比形成TCO顶电极层的温度低的温度形成并且具有不同微观结构。本发明还公开了太阳能电池。
太阳能电池

[发明专利]电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN201911027018.X有效
发明人：庞慰;徐洋;郝龙;张巍;张孟伦;杨清瑞 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-10-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极包括空隙层、第一电极和第二电极，在谐振器的厚度方向上所述空隙层形成在第一电极与第二电极之间，第一电极与压电层形成面接触；且所述空隙层内设置有至少一个支撑突起，所述支撑突起的高度与所述空隙层的厚度相同，支撑突起具有与第二电极相接的支撑面。
电极具有空隙声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]一种薄膜体声波器件及其制备方法-CN202010188672.5在审
发明人：张秀全;朱厚彬;李真宇;刘桂银 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜体声波器件及其制备方法，所述薄膜体声波器件包括：带有空腔的薄膜体、顶电极层和底电极层；所述带有空腔的薄膜体包括第一衬底层和压电薄膜层，所述空腔贯穿所述第一衬底层；所述底电极层沉积于所述空腔内裸露的压电薄膜层下，所述顶电极层沉积于所述压电薄膜层上、与所述底电极层相对。由于体声波产生区域为底电极层与顶电极层所覆盖区域，因此，本申请实施例提供的薄膜体声波器件，相对有现有技术中，在整个压电膜层的两面完全覆盖底电极层和顶电极层的方案，可以降低驱动电压，减少声波滤波器的耗能。
一种薄膜声波器件及其制备方法

[发明专利]具有热绝缘层的薄膜相变化单元及其制造方法-CN200710136486.1有效
发明人：陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种存储元件，包括顶侧的第一电极、具有顶侧的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的绝缘构件。此绝缘构件在第一与第二电极之间、接近第一电极的顶侧与第二电极的顶侧处，具有一定厚度。薄膜导桥横跨了绝缘构件，并在第一与第二电极之间、横跨绝缘构件处定义了电极间路径。一个由此存储单元所构成的阵列也被提供。
具有绝缘薄膜相变单元及其制造方法

[发明专利]用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构-CN202011273348.X在审
发明人：何忠亮;王成;刘卫宾;沈洁 -专利权人：深圳市鼎华芯泰科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：引线框架包括承载片、第一阻焊油墨层和复数个按矩阵布置的单元电路，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极；顶电极布置在第一阻焊油墨层的顶面；对应于每个单元电路，第一阻焊油墨层包括与电极对应的底电极孔，底电极布置在底电极孔中，底电极的顶部固定在顶电极的底面上；承载片可剥离地粘贴在第一阻焊油墨层和底电极的底面上。
用于芯片封装引线框架制备方法结构

[实用新型]一种用于芯片封装的引线框架和芯片封装结构-CN202022640129.2有效
发明人：何忠亮;王成;刘卫宾;沈洁 -专利权人：深圳市鼎华芯泰科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：引线框架包括承载片、第一阻焊油墨层和复数个按矩阵布置的单元电路，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极；顶电极布置在第一阻焊油墨层的顶面；对应于每个单元电路，第一阻焊油墨层包括与电极对应的底电极孔，底电极布置在底电极孔中，底电极的顶部固定在顶电极的底面上；承载片可剥离地粘贴在第一阻焊油墨层和底电极的底面上。
一种用于芯片封装引线框架结构

[发明专利]可变电阻式存储器装置及其形成方法-CN202110219081.4在审
发明人：许加庆;向往;王献德 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可变电阻式存储器(resistive random‑access memory,RRAM)装置及其形成方法，其中该可变电阻式存储器装置包含有一底电极线、一岛状顶电极以及一电阻材料。底电极线直接位于一第一金属结构上。岛状顶电极设置于底电极线侧边。电阻材料夹置于底电极线的侧壁以及岛状顶电极的侧壁之间。本发明还提供一种形成此可变电阻式存储器装置的方法。
可变电阻存储器装置及其形成方法

[发明专利]用于物理蚀刻制程的减少分流的装置的后处理-CN201880023885.3在审
发明人：王郁仁;沈冬娜;维格纳许·桑达;沙希·帕特尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：提供MTJ层在底电极上。提供顶电极在MTJ堆叠上。顶电极被图案化。未被图案化顶电极覆盖的MTJ堆叠被氧化或氮化。之后，图案化MTJ堆叠以形成MTJ装置，其中任何在MTJ装置侧壁上形成的侧壁再沉积为非导电，其中一些介电层保留在底电极的水平表面上。
顶电极图案化堆叠底电极侧壁蚀刻氮化水平表面磁通道非导电介电层再沉积接面保留覆盖

[实用新型]一种阵列温度传感器-CN201220650518.6有效
发明人：林志娟 -专利权人：林志娟
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01K7/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列温度传感器，包括底电极、顶电极、温敏材料层，其中，底电极、温敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；底电极为第一层，温敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且底电极、顶电极构成交叉结构。
一种阵列温度传感器

[实用新型]一种四边焊接机-CN201822147383.1有效
发明人：陈亚明 -专利权人：广州毅翚金属加工机械有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B23K11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种四边焊接机，包括机架、承放组件、四个负电极模组、顶压组件；所述承放组件包括设置在机架上的内模具、环绕于内模具四周四个正电极模组；所述正电极模组包括正电极座、设置在正电极座上的若干个正电极；该四个负电极模组与该四个正电极模组分别一一对应，且所述负电极模组包括负电极座、设置在负电极座上的负电极、第一驱动装置；所述负电极模组的负电极与对应正电极模组的正电极相对；所述顶压组件包括位于承放组件上方的顶压座、用于驱动顶压座升降的第二驱动装置。
负电极正电极模组四边承放本实用新型顶压组件焊接机内模具顶压第二驱动装置第一驱动装置组件包括焊接升降环绕驱动

[发明专利]电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN201911266563.4有效
发明人：庞慰;郝龙;徐洋;张巍;张孟伦;杨清瑞 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有空隙层，空隙层的上侧具有上电极层，空隙层的下侧具有下电极层，所述空隙层在谐振器的厚度方向上设置于所述上电极层与下电极层之间，上电极层与下电极层在空隙层的两端彼此并联电连接；上电极层和下电极层中的一个电极层为具有在谐振器的厚度方向上远离上电极层和下电极层中的另一个电极层的弧度的弧形电极层
电极具有空隙声波谐振器滤波器电子设备

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