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[发明专利]非水系二次电池负极用碳材料、非水系二次电池用负极及非水系二次电池-CN202110664580.4在审
发明人：长山大悟;布施亨;近藤寿子 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供高容量、高输出且循环特性优异、不可逆容量少的非水系二次电池负极用碳材料等。本发明涉及的非水系二次电池负极用碳材料含有：(1)含有硅元素的复合碳粒子(A)、以及(2)由石墨粒子(C)与非晶质碳复合化而成的非晶质复合石墨粒子(B)。
水系二次电池负极材料

[发明专利]非水系二次电池负极用碳材料、非水系二次电池用负极及非水系二次电池-CN201480065097.2有效
发明人：长山大悟;布施亨;近藤寿子 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供高容量、高输出且循环特性优异、不可逆容量少的非水系二次电池负极用碳材料等。本发明涉及的非水系二次电池负极用碳材料含有：(1)含有硅元素的复合碳粒子(A)、以及(2)由石墨粒子(C)与非晶质碳复合化而成的非晶质复合石墨粒子(B)。
水系二次电池负极材料

[实用新型]一种齿轮的防渗装置-CN202022951744.5有效
发明人：孔令晶;李科锋;李长林;王维朋;史君林;潘文东;张海英;富尧;刘胜民;孙洪梅;张春辉;张宇坤;孙岩 -专利权人：哈尔滨第一机械集团有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C8/04 文献下载
摘要：为解决现有缺少专用的防渗装置，以对齿轮的非碳氮共渗面进行防碳氮共渗保护的问题，本实用新型提供了一种齿轮的防渗装置，包括：吊杆、托盘、间隔套、底座、和防渗套装置，吊杆固定安装在底座上，间隔套和托盘由下至上依次贯穿于吊杆并安装，以调节托盘高度，托盘上环形阵列开有多个防渗套装置安装孔，将防渗套装置套在待加工的齿轮的非碳氮共渗面上，防渗套装置与齿轮的整体竖直放入所述托盘的防渗套装置安装孔内。本实用新型设计了一个防渗装置，对零件非碳氮共渗面进行了防碳氮共渗保护，实现了碳氮共渗过程有效实施。该防渗装置在碳氮共渗过程中安全、可靠，装拆便捷。
一种齿轮防渗装置

[发明专利]一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法-CN200610154423.4无效
发明人：杜丕一;张翼英;翁文剑;韩高荣;赵高凌;汪建勋;宋晨路;沈鸽;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开的Al/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的制备方法，先采用真空热蒸发法在基板上沉积Al膜，然后在同一反应室中采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法在Al膜上再沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。经过热处理，Al膜诱导非晶硅碳合金薄膜晶化。选用硅烷和甲烷作为反应气源，而无需采用昂贵的SiC晶体作为原料，且成分可以通过设定气体比例来控制；选用普通玻片、石英玻璃或Si片作为基板，可满足各种需求；采用射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜结构有序程度较高，薄膜质量较好，在Al的诱导下有利于非晶硅碳薄膜结晶性能提高。
一种制备氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜方法

[发明专利]一种基体表面高导电性的碳基涂层及其制备方法-CN201410727479.9在审
发明人：张栋;张海峰;汪爱英;柯培玲;陈仁德 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种基体表面高导电性的碳基涂层。该涂层由铜和类石墨非晶碳组成，铜作为过渡层，类石墨非晶碳作为表面层，并且该涂层的沉积方法为直流磁控溅射法。与现有技术相比，本发明能够保证非晶碳涂层的结构以sp²键态为主，从而减小电阻率，同时采用铜作为过渡层有利于诱导类石墨非晶碳涂层中芳香类环状sp²结构的断链，形成更多sp²链结构，增加自由电子，从而进一步降低碳涂层的电阻率，提高其导电性。
一种基体表面导电性涂层及其制备方法

[发明专利]一种宽温域自润滑Si、WC组元掺杂的非晶碳基薄膜及其制备方法-CN202110821195.6有效
发明人：李泽清;何卫锋;张虹虹;张广安;聂祥樊 -专利权人：西安交通大学;中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温域自润滑Si、WC组元掺杂的非晶碳基薄膜及其制备方法，属于涂层材料技术领域。本发明采用多靶闭合场非平衡溅射系统实现宽温域自润滑多组元掺杂非晶碳基薄膜的制备，依次包括基体表面处理、在基体表面沉积Cr粘结层和梯度过渡层(Cr→Cr/a‑C→Si/WC/a‑C)、在梯度过渡层(Cr→Cr/a‑C→Si/WC/a‑C)表面沉积Si、WC组元共同掺杂的非晶碳目标层(Si/WC/a‑C)。该非晶碳基薄膜在大气环境25‑500℃宽温域条件下具有优良的自润滑性能，有效提高了非晶碳基薄膜的高温润滑性能，显著拓展了其润滑适用温域，为其应用于大气宽温域或高温苛刻工况的润滑提供了有力的技术支撑。
一种宽温域润滑 si wc 掺杂非晶碳基薄膜及其制备方法

[发明专利]抗菌耐磨非晶碳涂层及其制备方法、抗菌耐磨器件-CN201710511145.1有效
发明人：刘小强;向佳;姚霞;陈鑫琦;孟辉 -专利权人：四川理工学院
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及离子束材料表面改性技术领域，具体涉及抗菌耐磨非晶碳涂层及其制备方法、抗菌耐磨器件，所述抗菌耐磨非晶碳涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)对基底进行等离子体清洗，得到基底A1；(2)涂层沉积：向沉积室中通入碳源气体和惰性气体，开启偏压电源，以银硅复合靶T为靶材，在基底A1上溅射沉积银硅共掺杂类石墨非晶碳涂层C1，本发明通过银和硅对类石墨非晶碳涂层进行改性，硅的掺入使类石墨非晶碳涂层的润滑性能和耐磨损性能显著提升，银的掺入显著提高了类石墨非晶碳涂层材料的抗菌性能，而且银的释放速度慢
抗菌耐磨非晶碳涂层及其制备方法器件

[发明专利]一种CoCrFeNi高熵合金掺杂非晶碳薄膜及其制备方法-CN202210199226.3有效
发明人：周野飞;韩世超;邢晓磊;陈琳;杨庆祥 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种CoCrFeNi高熵合金掺杂非晶碳薄膜及其制备方法，是采用具有较高堆垛层错形成能力的CoCrFeNi高熵合金作为掺杂组元，以氩气作为溅射气体，通过物理气相沉积装置制备的具有CoCrFeNi纳米孪晶结构掺杂的非晶碳薄膜材料。该薄膜的显著特征在于，在非晶碳中掺入了高熵相。不同于单组元或多组元掺杂，该薄膜可利用高熵相形变诱导塑性的特征，解决非晶碳薄膜高残余应力的问题，并通过高熵相孪晶结构的形成，使该薄膜具有高硬度、高强韧性、低摩擦系数、高膜基结合力的优点。鉴于以上描述，本发明可为高性能自润滑材料设计提供基础理论与方法，并拓展非晶碳薄膜在机械工程及其他领域的应用。
一种 cocrfeni 合金掺杂非晶碳薄膜及其制备方法

[发明专利]非晶氮硫化铁薄膜正极材料及其制备方法、薄膜锂电池-CN202210344791.4在审
发明人：夏晖;何艳;夏求应;刘威;吴川智;王金石;昝峰;徐璟 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶氮硫化铁薄膜正极材料及其制备方法与包含其的薄膜锂电池，该正极材料利用氮原子取代非晶硫化亚铁中的部分硫原子，形成非晶氮硫化铁，且氮硫化铁中的铁、硫以及氮的原子比为1:(0.3‑0.6)氮硫化铁的非晶态结构可以避免晶态材料因晶格畸变导致的体积膨胀；并且氮原子的存在，可以有效抑制其在循环过程中生成的多硫化物的穿梭效应，从而使正极薄膜能够更牢固、避免活性材料向电解质中的扩散，可以获得提高电池的容量和循环寿命的有益效果且本发明制备方法工艺简单，所得氮硫化铁正极材料具有导电性好、生长速度快、比容量高、循环寿命长、制备温度低等优点。
非晶氮硫化薄膜正极材料及其制备方法锂电池

[发明专利]一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法-CN201510179485.X在审
发明人：肖天金;温振平;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅薄膜及一种半导体器件的制造方法，所述非晶硅薄膜的制造方法采用两步成膜工艺，第一步成膜阶段使用原子层沉积方式沉积晶粒较小和均匀性良好的第一非晶硅层，第二步成膜阶段在第一非晶硅层上沉积掺杂碳原子或氮原子的第二非晶硅层，在第二非晶硅层的晶格中掺杂碳原子或氮原子，可避免硅原子在第一非晶硅层的硅晶粒上连续沉积，进而得到晶粒尺寸较小的非晶硅薄膜。同时，所述半导体器件的制造方法，采用非晶硅薄膜的制造方法获得较小晶粒尺寸的非晶硅，以满足器件性能要求，尤其是较小晶粒尺寸的非晶硅用作虚拟非晶硅栅极后，可以在其去除后形成侧壁较为平整的沟槽，以改善后续金属栅的沉积形貌
一种非晶硅薄膜半导体器件制造方法

[发明专利]包括石墨烯层插入结构的硬掩模膜及其制造方法-CN202211334930.1在审
发明人：安星柱;吴世兰;金延昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种用于在半导体器件的制造工艺中使用的硬掩模膜，包括：第一石墨烯层；第一非晶碳层，形成在第一石墨烯层上；第二石墨烯层，形成在第一非晶碳层上；以及第二非晶碳层，形成在第二石墨烯层上。
包括石墨插入结构硬掩模膜及其制造方法

[发明专利]一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法-CN201610093956.X在审
发明人：李颖;赵高扬;刘自成 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，采用蒸镀仪进行制备，在室温下，将碳绳固定在蒸发源上，随后将Pt基板放入基片托片上并固定好，调节蒸镀仪的电流至61～65A，进行蒸镀，碳绳断裂，则停止蒸镀，冷却后，得N掺杂的非晶导电碳膜，将所得碳膜放入溅射仪中进行溅射后，即得。本发明可以直接利用蒸镀仪进行N掺杂非晶导电碳膜的制备，无需复杂的掺杂工艺、昂贵的掺杂设备，且制备工艺简便、工艺参数易于控制，能大大地降低生产成本；此外，利用本发明方法所得的N掺杂非晶导电碳膜制得的阻变存储器有较好的阻变性能
一种掺杂非晶碳膜阻变存储器制备方法

[发明专利]一种非晶硫化钴纳米线及其制备方法-CN202010197337.1有效
发明人：于琪瑶;王伟;胡俊;锁国权;方岱宁 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硫化钴纳米线及其制备方法，该非晶硫化钴纳米线包括一碳纳米框限域结构以及填充于该碳纳米框限域结构内的非晶硫化钴纳米线丝，该方法能够简单、高效、低成本地制备该非晶硫化钴纳米线，且制备的非晶硫化钴纳米线具有较高的导电性和较大比表面积
一种硫化纳米及其制备方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201710377242.6有效
发明人：郑二虎;齐金和 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：所述方法包括：在基底上的待刻蚀材料层的表面上形成半导体层；在所述半导体层上形成非晶碳层；在所述非晶碳层上形成图案化的掩模层；以及以所述掩模层为掩模对所述非晶碳层、所述半导体层和所述待刻蚀材料层进行刻蚀。本申请可以提高非晶碳层的均匀性，从而使得在刻蚀待刻蚀材料层后形成的图形的位置不会偏离期望的位置，并且使得图形的形状为期望的形状。
半导体结构制造方法

[发明专利]金属掺杂非晶碳压阻传感元件、其制备方法与调控方法-CN201410424861.2有效
发明人：汪爱英;郭鹏;李润伟;张栋;檀洪伟;柯培玲 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属掺杂非晶碳压阻传感元件。该压阻传感元件由衬底、金属掺杂非晶碳薄膜、金属电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于衬底表面，金属电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。
金属掺杂非晶碳压阻传感元件制备方法调控