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[发明专利]一种多级孔氮掺杂多孔碳的制备方法-CN201711336210.8在审
发明人：杨正龙;付宁 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开一种多级孔氮掺杂多孔碳的制备方法。首先将4‑乙烯基吡啶与氯化铁、硬模板剂混合制备碳化前驱体，接着将前驱体置于管式炉中高温碳化获得碳化产物，再将碳化产物洗涤除去残余的铁盐和模板剂，最后经过滤、干燥即可得到具有多级孔结构的氮掺杂多孔碳。本发明以碳化过程中自发聚集的铁纳米晶簇为致孔剂获得微孔结构，以预先添加的硬模板剂为非微孔致孔剂获得非微孔结构，成功制备一种具有多级孔结构的氮掺杂多孔碳。本发明方法简单、适合大规模生产，同时制备的多级孔氮掺杂多孔碳比表面积大，孔道结构规整，性能优异，在环境保护、传感、能量存储转换、催化等领域有着广泛的应用前景。
一种多级掺杂多孔制备方法

[发明专利]半导体器件中的透明非晶碳结构-CN200480032967.2有效
发明人： Z·殷;W·李 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：形成透明非晶碳层。该透明非晶碳层具有低吸收系数以致非晶碳在可见光中是透明的。该透明非晶碳层可以使用于半导体器件中用于不同的目的。该透明非晶碳层可以包括在半导体器件的最终结构中。该透明非晶碳层还可在半导体器件的制造期间的蚀刻处理中用作掩模。
半导体器件中的透明非晶碳结构

[发明专利]非晶碳膜的处理方法以及使用其的半导体器件的制造方法-CN200980102550.1无效
发明人：石川拓;松冈孝明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：提供一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜的表面改性处理。
非晶碳膜处理方法以及使用半导体器件制造

[发明专利]一种双层非晶碳膜及其制备方法-CN202111549122.2在审
发明人：吴春春;杨挺;王涛;张云飞 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种双层非晶碳膜及其制备方法，涉及金属涂层材料制备技术。所述所述双层非晶碳膜包括第一层非晶碳膜和第二层非晶碳膜，且所述第一层非晶碳膜为采用类石墨结构为主的GLC非晶碳膜层，所述第二层非晶碳膜为采用类金刚石为主的DLC膜层。本发明克服了现有技术的不足，通过不同结构的非晶碳的组合，避免了单一结构非晶碳膜硬度高、内应力大、摩擦系数高或者硬度低、内应力小、摩擦系数小的极端问题，有效满足精密器件的保护与装配配合度性能要求。
一种双层非晶碳膜及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法-CN202111520125.3有效
发明人：李洁;吴胜利;胡文波;易兴康;李永东 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法，属于空间微波器件制造领域，过渡金属掺杂非晶碳薄膜包括在金属基底的表面上按照由下至上的顺序依次设置的过渡金属缓冲层、过渡金属间断性掺杂的非晶碳层以及过渡金属连续掺杂的非晶碳层；过渡金属间断性掺杂的非晶碳层由若干层过渡金属掺杂的非晶碳子层和若干层未掺杂的非晶碳子层交替叠加组成。本发明通过在非晶碳薄膜中掺杂过渡金属，过渡金属原子能与碳原子结合形成相应的碳化物，促进无定型碳网络中的sp3杂化碳碳键向sp2杂化碳碳键转变，提高非晶碳薄膜中sp2杂化碳碳键含量，增强了对电子的散射作用，从而降低非晶碳薄膜二次电子发射系数。
一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法

[发明专利]一种光伏电池的制造方法-CN201510139206.7在审
发明人：克新文 -专利权人：昆明豫云通信技术有限公司
申请日： 2015-03-28 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池的制造方法，在硅基板上形成第一透明导电层和非晶硅薄膜层，对非晶硅薄膜层进行光刻后刻蚀形成凹槽，在凹槽中沉积并充满非晶碳，对填充有非晶碳的非晶硅进行平坦化，从而分别形成非晶硅薄膜层、非晶硅材料层、非晶碳材料层和第一非晶碳薄膜层，非晶硅材料层与非晶碳材料层在水平方向上相互间隔从而形成超晶格P型半导体层，在第一非晶碳薄膜层上依次形成本征非晶硅半导体层、N型非晶硅半导体层、第二非晶碳薄膜层
一种电池制造方法

[发明专利]电催化材料及其制备方法和应用-CN202210362812.5在审
发明人：方静;王小涵;王梦然;周言根;李思敏 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：所述电催化材料由掺氮碳基底和合金纳米晶组成，所述掺氮碳基底为珊瑚状结构，所述合金纳米晶与掺氮碳基底复合、并均匀分散于掺氮碳基底。本发明的电催化材料具有珊瑚状结构形貌，该珊瑚状结构中，高蓬松的掺氮碳结构作为基底具有大比表面积，促进电子传输，合金纳米晶均匀分散在掺氮碳基底上，其合金内不同金属间协同效应提升材料的活性，大幅度提升了复合电催化材料表面的氧吸附能力和氧吸附容量
电催化材料及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化钽铪-硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法-CN202310515235.3在审
发明人：李达鑫;关景怡;蔡德龙;杨治华;段文九;贾德昌;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：一种碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法，它涉及扩散偶的制备方法。制备方法：一、高能球磨制备非晶相SiBCN粉体；二、粉体装填至模具；三、热压烧结。本发明用于碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备。
一种碳化硅硼碳氮陶瓷扩散制备方法

[发明专利]一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层-CN202210637894.X在审
发明人：鞠鹏飞;刘京周;翟运飞;臧旭升;徐州;肖金涛;周宏 -专利权人：上海航天设备制造总厂有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层，由打底层、金属掺杂非晶碳过渡层、非晶碳层、Cu/Ag共掺杂非晶碳过渡层、Cu/Ag共掺杂非晶碳层以及表层无掺杂非晶碳层构成。本发明提供的非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层能够很好的提高空间站运动部件的抗菌特性及润滑特性。
一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合

[发明专利]氮掺杂碳负载氮掺杂二硫化钼纳米晶/隔膜的制备方法-CN202111535552.9在审
发明人：何文枫;付永胜;徐畅;吴震;白武鑫;刘明亮;郭彤;孙敬文;朱俊武;汪信;陈海群;何光裕;姚超;左士祥;徐建波 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01M50/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂碳负载氮掺杂二硫化钼纳米晶/隔膜的制备方法。该隔膜采用一步煅烧法制备了氮掺杂碳负载氮掺杂二硫化钼纳米晶，并通过真空抽滤使其覆盖在锂硫电池隔膜上制成。其中，氮掺杂碳能够在提升材料整体导电性的同时对多硫化物进行物理阻隔和化学吸附；此外，氮掺杂二硫化钼纳米晶不仅拥有超小的尺度，氮掺杂的引入还能够提供丰富的边缘活性位点，催化多硫化物的转化并诱导最终产物硫化锂的生成本发明制备的氮掺杂碳负载氮掺杂二硫化钼纳米晶/隔膜方法简便，利用氮掺杂二硫化钼纳米晶的高催化活性有效抑制了多硫化物的穿梭效应，提升了锂硫电池的循环稳定性、库伦效率和倍率性能。
掺杂负载二硫化钼纳米隔膜制备方法

[发明专利]非晶质硬质碳被膜-CN200680048148.6有效
发明人：诸贯正树;松井崇;内海庆春;大原久典 -专利权人：株式会社理研;日本I·T·F株式会社
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种几乎不含有氢、实际上只包含碳的、与基质材料密合性优良的，高硬度且耐磨损性也优良的非晶质硬质碳被膜。所述非晶质硬质碳被膜由以下构成，即，在基质材料表面上形成的实际上只包含碳的第1非晶质硬碳层，和在第1非晶质硬质碳层表面上形成的实际上只包含碳的第2非晶质硬质碳层；从断面观看时，第1非晶质硬质碳层的透射型电子显微镜像比第2非晶质硬质碳层的透射型电子显微镜像明亮。
非晶质硬质碳被膜

[发明专利]一种水平电子诱导非晶碳膜低摩擦磨损的方法-CN202110051011.2有效
发明人：范雪;杨智涛;刁东风 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平电子诱导非晶碳膜低摩擦磨损的方法，包括：采用摩擦件在非晶碳膜的表面进行摩擦运动；在所述摩擦运动过程中，对所述非晶碳膜施加平行于所述非晶碳膜的表面的电场，以降低所述非晶碳膜的摩擦磨损；通过对非晶碳膜施加平行于其表面的电场，并在非晶碳膜表面进行摩擦运动，使得非晶碳膜表面的磨痕区形成少量石墨烯纳晶，磨痕区电阻降低、导电性增加，从而电子汇聚到磨痕区形成大片并且与摩擦方向平行的石墨烯纳晶，磨痕区的摩擦系数降低了一个数量级
一种水平电子诱导非晶碳膜低摩擦磨损方法

[发明专利]超高选择性的可灰化硬模膜-CN201180027816.8无效
发明人： K·D·李;M·J·西蒙斯;S·拉蒂;C·陈;M·H·林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本文提供一种在基板上形成非晶碳层的方法，基板位于基板处理腔室中，所述方法包括：将烃源引入处理腔室；单独或与氦、氢、氮以及上述气体的组合相结合地将氩引入处理腔室，其中氩具有的体积流率与烃源的体积流率的比例为约10:1至约20:1；在约2托耳至10托耳的低得多的压力下，在处理腔室中产生等离子体；及在基板上形成共形的非晶碳层。
超高选择性灰化硬模膜

[发明专利]一种光伏电池-CN201310500099.7有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池，自下而上依次包括：基板、第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层；N型非晶硅半导体层；第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。其中超晶格P型半导体层由非晶硅材料层与非晶碳材料层在水平方向上相互间隔形成，所述非晶硅材料层与非晶碳材料层的宽度相等，厚度相同；非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层所组成的三明治结构用于提高光伏电池的电特性与产生空穴
一种电池

[发明专利]一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法-CN201710317742.0有效
发明人：徐海阳;王中强;陶冶;黎旭红;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法，包括惰性金属，第一层多孔非晶碳，第二层多孔非晶碳，活性金属，所述惰性金属为底电极，第一层多孔非晶碳设在所述底电极上，所述第二层多孔非晶碳设在第一层多孔非晶碳上，在所述第二层多孔非晶碳上设有活性金属，所述活性金属为顶电极，所述第二层多孔非晶碳上的多孔的孔径尺寸大于第一层非晶碳上的多孔的孔径尺寸。
一种双层多孔结构非晶碳材料存储器及其制备方法