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[其他]光接收元件-CN86108363无效
发明人：本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-11-01 - 公布日： 1987-07-15 - 主分类号： G03G5/02 文献下载
摘要：光接收元件的光敏层由含硅原子及含锗、锡原子中至少一种原子的非晶材料构成，表面层由含硅原子及含氧、碳、氮原子中至少一种原子的非晶材料构成，基底表面由具有微小不平整内表面的球形凹痕构成，光频带隙匹配在光敏层和表面层之间的界面上该光接收元件解决了所有用非晶硅制成光接收层的传统元件中的问题，特别是有效地防止了由干涉现象在图像中引起的干涉条纹，即使用可能产生干涉的相干激光束作光源，也能形成高质量图像。
接收元件

[发明专利]具有带球形凹痕的基底、非晶硅(锗、锡)光敏层和非晶硅(氧、碳、氮)表面层的光接收元件-CN86108363.6无效
发明人：本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1986-11-01 - 公布日： 1991-02-27 - 主分类号： G03G5/08 文献下载
摘要：光接收元件的光敏层由含硅原子及含锗、锡原子中至少一种原子的非晶材料构成，表面层由含硅原子及含氧、碳、氮原子中至少一种原子的非晶材料构成，基底表面由具有微小不平整内表面的球形凹痕构成，光频带隙匹配在光敏层和表面层之间的界面上该光接收元件解决了所有用非晶硅制成光接收层的传统元件中的问题，特别是有效地防止了由干涉现象在图像中引起的干涉条纹，即使用可能产生干涉的相干激光束作光源，也能形成高质量图像。
具有球形凹痕基底非晶硅光敏表面接收元件

[发明专利]一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层及其制备方法-CN202011418853.9有效
发明人：鞠鹏飞;刘京周;翟运飞;臧旭升;陈妍;肖金涛;李锐;周宏 -专利权人：上海航天设备制造总厂有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层及其制备方法，所述复合膜层包括依次设置的打底层、金属掺杂非晶碳过渡层、无掺杂非晶碳层、第一Cu/Ag共掺杂非晶碳过渡层、Cu/Ag共掺杂非晶碳层、第二Cu/Ag共掺杂非晶碳过渡层以及无掺杂非晶碳层。
一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合及其制备方法

[发明专利]一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法-CN201910508094.6在审
发明人：赵晓宁;王中强;丁文涛;林亚;徐海阳;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，属于微电子器件领域。该方法预先利用微小电流作用于非晶碳忆阻器，能够诱导非晶碳内部sp²杂化团簇团聚，增强薄膜内部局域电场，进而降低非晶碳忆阻器初始形成电压、降低导电通道随机性，从而提升非晶碳忆阻器阻变可靠性本发明提供了一种设备操作简便、CMOS工艺兼容的忆阻器性能优化方法，该方法能够有效降低非晶碳忆阻器件的形成电压，显著降低器件阻变参数波动，明显提升器件阻变耐受性，有利于突破忆阻器件集成应用技术壁垒，利于商业化推广实用
非晶碳忆阻器耐受性随机性微电子器件电场导电通道降低器件器件集成设备操作提升器件微小电流性能优化应用技术增强薄膜变参数团簇诱导壁垒兼容团聚

[发明专利]非晶性碳被覆工具及其制造方法-CN02122788.8有效
发明人：大谷聪;冈崎尚登;绪方洁;福井治世;入江美纪;内海庆春;大原久典;森口秀树;池ク谷明彦;津田圭一;濑户山诚 -专利权人：住友电气工业株式会社;日新电机株式会社
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：本发明涉及耐磨耗性及耐熔敷性均优良的被覆有非晶性碳膜的工具，其具有由WC基超硬质合金构成的基材以及在该基材上形成的非晶性碳膜，其刀尖形成非晶性碳的被覆工具，其基材含钴量为12％(质量)以下，非晶性碳膜在刀尖的最大厚度为0.05μm以上～0.5μm以下，该非晶性碳膜，是以石墨作原料，实质上在不含氢的气氛下，用物理蒸镀法形成的，提供应用于钻头、立铣刀、铰刀等转削工具、铣刀工具等车削工具中所用的刀尖交换型切削刀头、刀具、手术刀、剪切机等切断工具的非晶性碳被覆工具。
非晶性碳被覆工具及其制造方法

[发明专利]一种用于抑制锂枝晶生长的碳氮聚合物基准固态电解质及其制备方法和应用-CN201710036162.4有效
发明人：李驰麟;胡九林;田靖 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于抑制锂枝晶生长的碳氮聚合物基准固态电解质及其制备方法和应用，该准固态电解质包括电解液、和电解液填充剂，所述电解液填充剂为轻质碳氮聚合物。本发明以轻质碳氮聚合物为电解液填充剂，制备得到一种能有效抑制锂金属电池中锂枝晶的生长的准固态电解质。其中轻质碳氮聚合物具有惊喜的分层结构，有利于电解液的吸收，从而形成泥状的准固态电解质，可用于抑制锂金属电池中锂负极枝晶的生长。
聚合物碳氮准固态电解质电解液填充锂枝晶轻质制备方法和应用生长固态电解质锂金属电池电解液分层结构有效抑制锂负极可用泥状枝晶制备吸收

[发明专利]一种纳米晶碳氮薄膜的制备方法及装置-CN201110213134.8无效
发明人：张治军;张经纬;郭建辉;赵闯;张纪伟 -专利权人：河南大学
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，特别涉及一种纳米晶碳氮薄膜的制备方法及装置。把预处理好的基片放入高温管式炉中，通入载气排尽反应系统中的空气后，将液态的含碳氮组分的工作液抽入到预混合管中与载气混合，待预混合管温度超过工作液的沸点温度后，工作液蒸汽与载气进入高温管式炉中高温热解沉积得到纳米晶碳氮薄膜本发明方法合成的纳米晶碳氮薄膜均匀、致密、无杂质，结晶性好，摩擦学性能优异。实验设备简单、工艺稳定、可靠，重复性好，易于工业化生产。
一种纳米晶碳氮薄膜制备方法装置

[发明专利]一种制备硼碳氮硬质涂层的方法-CN200910021767.1无效
发明人：马胜利;陈向阳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硼碳氮硬质涂层的方法，该方法包括下列步骤：将预处理好的基体放入电弧增强磁控溅射离子镀膜设备的转架杆上面，采用平面对靶的方式将平面B₄C靶安置在炉体内壁上；通入氩气到真空室，对真空室和预处理好的基体进行清洗；清洗完成后，在基体表面镀Ti基层，然后镀TiN过渡层；在该TiN过渡层形成的基础上制备TiBCN过渡层，在基体表面的TiBCN过渡层上制备硼碳氮硬质涂层。该方法制备的硼碳氮硬质涂层为纳米晶和非晶组成的复合结构，硬度高达32GPa，膜基结合力达到45N，在室温和空气环境中，当摩擦副为Si₃N₄时的摩擦系数约在0.02
一种制备硼碳氮硬质涂层方法

[发明专利]形成用于半导体装置的薄膜图案的方法和用于所述方法的设备-CN200810171244.0有效
发明人：金熙大;权捧秀;李学宙;李来応;孙宗源 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成薄膜图案的方法包括：在衬底上形成薄膜；在所述薄膜上形成包括第一和第二碳层的非晶碳层，其中通过旋涂方法利等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)方法中的一者来形成所述第一碳层且通过物理气相沉积(PVD)方法来形成所述第二碳层；在所述非晶碳层上形成硬掩模层；在所述硬掩模层上形成PR图案；通过使用所述PR图案作为蚀刻掩模蚀刻所述硬掩模层来形成硬掩模图案；通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述非晶碳层来形成包括第一和第二碳图案的非晶碳图案；以及通过使用所述非晶碳图案蚀刻所述薄膜来形成薄膜图案。
形成用于半导体装置薄膜图案方法设备

[发明专利]在包含铬、碳和硅的底涂层上涂覆有无氢化非晶碳涂层的零件-CN201980040807.9有效
发明人： L·波姆比伦;F·普罗斯特 -专利权人：水力机械摩擦公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种零件，其包括金属基底、涂覆基底的ta‑C型或甚至a‑C型的无氢化非晶碳涂层，以及基于铬(Cr)、碳(C)和硅(Si)的子层；子层位于金属基底和非晶碳涂层之间，在子层上施加非晶碳涂层，其中，子层在其与非晶碳涂层的界面处具有以下原子比：硅含量与铬含量的比率(Si/Cr)为0.35至0.60，并且碳含量与硅含量的比率(C/Si)为2.5至3.5。
包含涂层上涂覆有无氢化非晶碳零件

[发明专利]制作双层栅极介电层的方法-CN200510050939.X无效
发明人：郑博伦;程立伟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：接着于该二氧化硅薄膜上形成一非晶硅薄膜，并进行一低温等离子体氮化工艺，以使非晶硅薄膜形成一含氮非晶硅薄膜。最后再进行一氧气退火工艺，以使氧气与含氮非晶硅薄膜反应而形成一富氮氮氧化硅层。
制作双层栅极介电层方法

[发明专利]基于针尖增强的电子束诱导碳基纳米结构的可控生长方法-CN202110148034.5在审
发明人：刘德明;申德振;刘雷;徐海;程祯;梁哲文 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：基于针尖增强的电子束诱导碳基纳米结构的可控生长方法，涉及纳米结构控制生长领域，本发明以纳米针尖为基底装载在透射电子显微镜样品杆上；通过汇聚电子束光斑辐射纳米针尖表面，诱导纳米针尖表面的非晶碳三维纳米结构生长；按模型图案移动电子束光斑进行直写，纳米针尖表面的非晶碳三维纳米结构跟随着电子束光斑的移动进行生长，实现对纳米针尖表面非晶碳三维纳米结构的可控生长。本发明利用电子束诱导的非晶碳沉积现象，以纳米针尖为基底有效增强局部电场强度，加快电子束诱导有机分子还原成非晶碳的速率，实现非晶碳三维纳米结构的精确、可控的快速生长；同时通过操控电子束的辐照位置可精确控制非晶碳在纳米针尖基底表面的生长方向
基于针尖增强电子束诱导纳米结构可控生长方法

[发明专利]MEMS器件制造方法-CN201380071919.3有效
发明人：林声圭;金暎洙;金熙渊;姜敏浩;吴在燮;李贵鲁 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种将非晶碳薄膜利用为牺牲层的MEMS器件制造方法。根据本发明的一实施例，包括如下步骤形成下部结构物；作为牺牲层，在所述下部结构物上形成非晶碳薄膜；在所述非晶碳薄膜上形成包括传感器结构的上部结构物；消除所述非晶碳薄膜而使所述下部结构物与所述上部结构物相互隔离地布置
mems 器件制造方法

[发明专利]一种原位反应制备的硅硼碳氮锆复相陶瓷及其方法-CN201611030468.0在审
发明人：贾德昌;苗洋;杨治华;段小明;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位反应制备的硅硼碳氮锆复相陶瓷及其方法。本发明溶胶凝胶液体以正丙醇锆，乙酰丙酮，无水乙醇为原料。其中，正丙醇锆为氧化锆的先驱体，正丙醇锆与乙酰丙酮会发生凝胶反应，无水乙醇为溶剂；硅粉、石墨和六方氮化硼为硅硼碳氮陶瓷复合粉末的原料。方法将正丙醇锆和乙酰丙酮在无水乙醇溶液中磁力搅拌48小时候，形成凝胶溶液，然后将硅硼碳氮陶瓷复合粉末按照比例与凝胶溶液混合，磁力搅拌48小时后烘干，在管式炉中550℃条件下裂解3小时，得到硅硼碳氮‑氧化锆陶瓷复合材料其中氧化锆与非晶氮化硼相发生碳热/硼热还原反应，生成超高温相硼化锆。
一种原位反应制备硅硼碳氮锆复相陶瓷及其方法

[发明专利]一种氮磷共掺杂硅银碳复合材料的制备方法及其应用-CN201910798311.X在审
发明人：张勇;孙毛宽;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮磷共掺杂硅银碳复合材料的制备方法，以硅为基底，银源分散在硅粉表面，同时以尿素为氮源，以磷酸为磷源，以酚醛树脂为碳源，在对硅进行碳包覆的同时，实现了氮磷的原位共掺杂。所述碳层厚度为5nm左右。本发明的氮磷共掺杂硅银碳复合材料的优点在于：(1)不同尺寸的银颗粒，增强了硅颗粒之间的电化学接触，缩短了电子的传输路径；(2)5nm的非晶碳层，在限制硅巨大膨胀的同时，提高了复合材料的导电性；(3)氮磷共掺杂使得复合材料具有较大的比表面积
复合材料共掺杂氮磷导电性银碳电化学接触电化学性能材料结构传输路径电子传输非晶碳层酚醛树脂硅粉表面硅颗粒碳包覆银颗粒磷酸氮源基底磷源碳层银源制备尿素膨胀