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[发明专利]一种以聚硅硼氮烷为添加剂的硅硼碳氮陶瓷的制备方法-CN201611016929.9有效
发明人：杨治华;梁斌;贾德昌;段小明;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种以聚硅硼氮烷为添加剂的硅硼碳氮陶瓷的制备方法，属于硅硼碳氮陶瓷制备方法技术领域。步骤一、按摩尔比和质量百分比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和PBSZ作为原料备用；步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有非晶Si‑B‑C‑N的陶瓷粉末；其中球料质量比为10～90:1，磨球直径为5～9mm，球磨时间为10～60h；步骤三、将步骤二获得的非晶Si‑B‑C‑N陶瓷粉末与PBSZ混合，在氩气气氛保护下进行球磨即获得SiBCN复合粉末；其中球料比为1～20:1
一种聚硅硼氮烷添加剂硅硼碳氮陶瓷制备方法

[发明专利]一种毫米级sp3-CN202111127499.9有效
发明人：刘冰冰;姚明光;尚宇琛;刘兆东;董家君 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C04B35/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种毫米级sp3非晶碳块材及其制备方法。900～1000℃、最优选1000℃的温度下，以及在20～37GPa、优选20～30GPa、最优选27GPa的压力下，进行高温高压处理，以得到所述毫米级sp3非晶碳块材本发明通过改变温压条件，调节非晶碳材料中sp3碳含量的变化，其sp3含量大于80％，高质量的样品sp3含量接近100％，并可以有效调控系列非晶碳材料的光学带隙和热导率。所获得的系列非晶态碳材料具有超高硬度、高热导率、带隙可调(1.90‑2.79eV)，且其带隙超过了非晶硅、锗的带隙范围，为非晶材料的应用开辟了新的空间。
一种毫米 sp base sup

[发明专利]一种非晶碳复合涂层及其制备方法和应用-CN201510159165.8有效
发明人：贺凤飞;王秀丽;李玲玲;白文琦;金攻;涂江平 -专利权人：中奥汇成科技股份有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳复合涂层及其制备方法和应用，由依次沉积在经高能氩离子改性处理UHMWPE基体上的纯碳超薄底层和非晶碳顶层构成，高能氩离子改性以及纯碳超薄底层的设计可以提高本发明非晶碳复合涂层与基体的结合力采用闭合场非平衡磁控溅射法，便于连续化工业生产。本发明的非晶碳复合涂层大幅提高了UHMWPE基体的表面硬度并具备较低的摩擦系数和优异的耐磨性能，可以用于生物医学中，如人工关节臼杯表面等，大大提高材料的使用寿命，具有广阔的应用前景。
一种非晶碳复合涂层及其制备方法应用

[发明专利]非晶相碳/M金属层形成于基板的制造方法-CN201610347996.2有效
发明人：赖富德 -专利权人：高雄第一科技大学
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明公开一种碳、金属双层及碳、金属、碳三层形成于基板的制造方法，包含施以镍溅镀工艺，电浆轰击镍靶，以沉积铜或镍层于基板上；以电浆轰击含碳的反应气体及铜或镍靶以形成铜或镍、碳混合层于镍层上；施以真空退火工艺以形成(非)晶相碳/铜或镍层/(非)晶相碳/铜或镍层于基板上。在另一实施例中，先预于溅镀室先预镀镍层，再以电浆同时轰击铜或镍靶及石墨靶或顺序轰击铜或镍靶及石墨靶，然后，再予以退火，退火时在含氢气氛下形成(非)晶相碳/铜或镍层/(非)晶相碳三层。
非晶相碳金属形成制造方法

[发明专利]动力锂离子电池用硅碳负极材料结构及其制备方法-CN201611025046.4在审
发明人：宋雪峰;韩伟娜;李建刚 -专利权人：涵谷新能源科技（上海）有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供一种动力锂离子电池用硅碳负极材料结构，包括双相硅，为单晶硅纳米晶分布在非晶硅相中，呈猕猴桃状，所述单晶硅纳米晶的重量比范围为20％至50％；碳壳层，为有机物经缩聚、碳化后形成的碳包覆层，位于双相硅外部，碳壳层的重量比范围为15％至45％。本发明还提供一种动力锂离子电池用硅碳负极材料结构的制备方法。本发明提供的动力锂离子电池用硅碳负极材料结构，最外层的碳壳可明显改善硅的导电性，限制其向外的体积膨胀；非晶硅充电过程中的弹性软化现象能够有效缓冲硅体积变化产生的应力，大大减轻电极体积膨胀效应；分散于非晶硅中的单晶硅纳米晶可以强化非晶硅的力学性能
动力锂离子电池用硅碳负极材料结构及其制备方法

[发明专利]一种用于Pb-C电池的泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂及其制备方法-CN201310308749.8有效
发明人：王殿龙;李忠宏;朱俊生 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B01J23/42 文献下载
摘要：一种用于Pb-C电池的泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂及其制备方法，它涉及制备非晶态泡沫碳和在非晶态的泡沫碳上化学沉积钯纳米晶的方法。本发明是要解决现有铅酸电池的消氢催化剂由于钯珠颗粒较大、比表面积较小从而导致催化活性和催化效率低，不适用于析氢量较多的铅酸电池的问题，本发明方法为：一、海绵的前处理；二、制备耐硫酸溶液腐蚀的非晶态泡沫碳；三、制备粗化后的非晶态泡沫碳；四、制备活化后的非晶态泡沫碳；五、制备敏化处理后的非晶态泡沫碳；六、制备非晶态泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂，即完成。本发明的催化剂具有纳米晶结构，比表面积大，耐硫酸溶液腐蚀，催化活性高。本发明应用Pb-C电池领域。
一种用于 pb 电池泡沫碳载钯纳米晶消氢催化剂及其制备方法

[实用新型]一种硅基异质结太阳电池-CN201020102974.8无效
发明人：倪开禄;彭德香;陶然;张正权;沈文忠;司新文;张剑;孟凡英;彭铮;李长岭;高华;李正平;周红芳 -专利权人：上海超日太阳能科技股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基异质结太阳电池，结合了晶体硅与薄膜材料的特点，包括自上而下叠层结合的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，n型非晶硅碳薄膜层与n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，n型非晶硅薄膜层与n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，从而形成一种非晶硅碳/非晶硅/微晶硅/晶体硅太阳电池结构，有利于减弱非晶硅薄膜的光致衰减效应，提高太阳电池的稳定性；利用不同带隙半导体材料组成的窗口效应
一种硅基异质结太阳电池

[发明专利]一种多层纳米复合四面体非晶碳膜制备工艺-CN202010282444.4在审
发明人：朱汉钰 -专利权人：江苏利宇剃须刀有限公司
申请日： 2020-04-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层纳米复合四面体非晶碳膜制备工艺，本发明包含五个工艺步骤，并且多层纳米复合四面体非晶碳膜的膜层结构分为注入钉扎层、金属过渡层、金属氮化物过渡层和非晶碳膜层(ta‑c)，本发明的有益效果是：本发明能够有效的提高剃须刀表面沉积的非晶碳膜的硬度，膜基结合力和耐摩擦磨损性，能够制备出具有润滑效果的非晶碳膜涂层，制备过程中，设备操作简单，工艺成熟，可实现批量生产，本发明不仅仅可以应用于手动剃须刀领域
一种多层纳米复合四面体非晶碳膜制备工艺

[发明专利]一种基于非晶碳的低电流热稳定互补型忆阻器及其制备方法-CN202210823850.6在审
发明人：赵晓宁;田巧玲;王中强;徐海阳;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非晶碳的低电流热稳定互补型忆阻器及其制备方法，属于微电子材料器件领域，其结构由下至上依次包括基片、底电极层、含有限活性金属非晶碳层、有限活性金属、纯非晶碳介质层、顶电极层；所述含有限活性金属非晶碳层提供有限数量的活性金属除此之外，通过限制含有限活性金属非晶碳层中活性金属的掺杂浓度，可获得低开启电流，有利于降低器件运行电流和高温下稳定工作，有利于解决高密度集成阵列的串扰电流问题，利于商业化推广实用。
一种基于非晶碳电流稳定互补型忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种无氢型非晶碳膜的制备方法-CN201811516661.4有效
发明人：刘畅;刘晓阳;张钦辉;张海峰 -专利权人：北京首量科技股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无氢型非晶碳膜，包括无氢型非晶碳膜、CrxC过渡层、C粘结层和钢制基体，所述钢制基体的上面表设有C粘结层，所述C粘结层上设有CrxC过渡层，所述CrxC过渡层的上表面设有无氢型非晶碳膜。相对于现有技术，该无氢型非晶碳膜能够得到更好的镀层性能而在镀制无氢型非晶碳膜过程中而使用“脉冲直流/脉冲直流”靶材/基体电源配置时出现的需要同步器以及等离子体离化率低、带电离子轰击能量不足等问题。
一种无氢型非晶碳膜制备方法

[发明专利]银碳复合材料及其制备方法、锂-银碳复合电极材料和储能装置-CN202110779435.0在审
发明人：孔德钰;葛军;郇庆娜;孙兆勇;陈强;牟瀚波;关知进 -专利权人：中能中科（天津）新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种银碳复合材料及其制备方法，以及锂‑银碳复合电极材料和储能装置。银碳复合材料包含非晶碳骨架和镶嵌在非晶碳骨架结构中的银纳米颗粒。由于银纳米颗粒嵌在非晶碳骨架材料中，非晶碳骨架材料对银纳米颗粒的膨胀起到缓冲作用，有效保证银碳复合材料的结构稳定性；另外，银碳复合材料中银纳米颗粒的存在，可以降低金属锂沉积的成核能，促使金属锂发生均匀沉积；银碳复合材料制备的锂‑银碳复合负极具有三维骨架结构，可以为金属锂沉积提供预留空间，以缓解锂‑银碳复合负极的体积膨胀和结构塌陷，进而实现电极结构稳定，有利于制备长寿命的循环电极。
复合材料及其制备方法复合电极材料装置

[发明专利]一种集电器和电极-CN202110316118.5在审
发明人：甄洪滨 -专利权人：赛屋（天津）涂层技术有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种集电器和电极，在锂电池中的铜箔和铝箔的表面涂敷非晶碳膜的基础上，进一步在非晶碳膜表面涂敷和电极活性材料结合力优良的涂层。本发明能够实现活性材料和涂敷有非晶碳膜的铜、铝等金属箔的有效粘合，同时具有高的热阻力、抗腐蚀性和导电性，在保证涂覆有非晶碳膜的电极性能可靠性的同时，满足生产的工艺要求。
一种电器电极

[发明专利]高蚀刻选择性非晶碳膜-CN202180059228.6在审
发明人： R·普拉萨德;S·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;H·怀特赛尔;押尾英隆;李铜衡;D·M·拉杰米特尔;S·福克;V·R·查瓦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的方法和技术。在一个示例中，方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物种注入到非晶碳膜中。方法进一步包括将经掺杂的非晶碳膜图案化。方法进一步包括蚀刻底层。
蚀刻选择性非晶碳膜

[实用新型]一种集电器和电极-CN202120598747.7有效
发明人：甄洪滨 -专利权人：赛屋（天津）涂层技术有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集电器和电极，在锂电池中的铜箔和铝箔的表面涂敷非晶碳膜的基础上，进一步在非晶碳膜表面涂敷和电极活性材料结合力优良的涂层。本实用新型能够实现活性材料和涂敷有非晶碳膜的铜、铝等金属箔的有效粘合，同时具有高的热阻力、抗腐蚀性和导电性，在保证涂覆有非晶碳膜的电极性能可靠性的同时，满足生产的工艺要求。
一种电器电极

[发明专利]一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201910256342.2在审
发明人：李治玥;宋淑梅;杨田林;孙珲;刘通 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于晶体管制备技术领域，尤其涉及一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。本发明提供的氮掺非晶氧化物薄膜晶体管中的氮掺ITZO有源层为非晶结构，在可见光范围内透过率约90％；以氮掺ITZO为有源层的薄膜晶体管具有场效应高(场效应迁移率高达27.97cm2/(V·s))、界面态密度低、稳定性强的特点，可以实现在室温下制备高性能氮掺ITZO薄膜晶体管。
一种氮掺非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法