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[发明专利]磁穿隧接面及三维磁穿隧接面数组-CN201610805752.4有效
发明人：林育中 -专利权人：林育中
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁穿隧接面单元具有一第一电极，第一电极具有沿着实质上垂直于一基板之一主动表面之一方向延伸的一轴向。该磁穿隧接面单元更具有一固定层、一U形自由层、夹置于该固定层与该U形自由层之间的一穿隧层、及嵌于该U形自由层中的一第二电极。设于该第一电极与该第二电极之间的该固定层、该穿隧层、及该U形自由层构成一磁穿隧接面。该穿隧层亦可为U形。
磁穿隧接面三维数组

[发明专利]一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法-CN201210539211.3在审
发明人：霍宗亮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法，该三维半导体存储器件包括：衬底；在该衬底上依次交替淀积绝缘层和电极材料层形成的多层膜结构；刻蚀该多层膜结构至该衬底形成的多个通孔；在该多个通孔内壁依次淀积阻挡层、存储层和隧穿层形成的多个栅堆栈；在该多个栅堆栈的隧穿层表面淀积沟道材料而形成的多个空心沟道；在该空心沟道上方位线连接用接触孔接触区形成的漏级；以及在该空心沟道下方通孔与衬底接触区形成的源极。
一种垂直沟道三维半导体存储器件及其制备方法

[发明专利]具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)-CN202011048141.2有效
发明人：黄朝兴;金宇中;戴文长 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)，在VCSEL中设置高掺杂浓度的穿隧接面层，其中通过使穿隧接面层的N型穿隧接面层相对于基板具有应力以及掺杂至少一元素，而使穿隧接面层不仅具有高掺杂浓度，且在后续的氧化处理时，外延层不但能被氧化且氧化速率较稳定；或者，N型穿隧接面层掺杂至少两种元素。借此，VCSEL不但能稳定进行氧化制程，且高掺杂浓度的穿隧接面层的电阻小，适合设置在VCSEL的两主动层之间或P型半导体层与N型半导体层之间；N型穿隧接面层也适合作为欧姆接触层。
具有穿隧接面层垂直激光发射器 vcsel

[发明专利]一种电感可变封装基板-CN201711288260.3有效
发明人：刘曼华 -专利权人：合肥海诺恒信息科技有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请提供了一种电感可变封装基板，其包括多层绝缘层，各个绝缘层上形成多段金属线、穿绝缘层通孔以及通孔填充柱，所述金属线两端具有扩展部，各个扩展部都具有对应的穿绝缘层通孔，所述通孔填充柱的大小对应所述穿绝缘层通孔的孔径，由绝缘材料和嵌入其中的导电材料形成，解决了目前基板中电感只具有固定电感的问题，避免基板使用时需要根据要求制作特定电感的基板，使一种基板可以用于不同电感需要的情形下。
一种电感可变封装

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN201410099069.4在审
发明人：薛家倩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是关于一种存储装置，包括衬底、井区、隧穿介电层、第一导体层、隔离结构以及阻障层。井区位于衬底中，隧穿介电层位于井区上，第一导体层位于隧穿介电层上，隔离结构位于第一导体层、隧穿介电层、井区以及衬底中，其中隔离结构与井区之间具有阻障层。本发明可以改善存储装置的临界电压的均匀性以及隧穿电流的均匀性。
存储装置及其制造方法

[发明专利]用于纳米孔DNA测序的隧穿结的制造-CN201410155307.9有效
发明人：彭红波;S·M·罗斯纳格尔;A·K·罗尤鲁;G·A·斯托洛维茨基;王德强 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米孔DNA测序的隧穿结的制造。提供了一种形成纳米器件的机制。用导电流体填充贮液器，并且形成隔膜以分开纳米器件中的贮液器。所述隔膜包括电极层，所述电极层具有形成于其中的隧穿结。形成所述隔膜以具有穿过所述隔膜的一个或多个其它层形成的纳米孔，使得所述纳米孔与所述电极层的隧穿结对准。通过电镀或者无电沉积将所述电极层的隧穿结变窄到窄尺寸。当向所述电极层施加电压时，由在所述隧穿结中的碱基产生隧穿电流，该隧穿电流作为区分所述碱基的电流特征信号被测量。当在所述隧穿结的内表面上形成有机涂层时，在所述电极层与所述碱基之间形成瞬态键。
用于纳米 dna 隧穿结制造

[发明专利]有机电激发光显示器及其制造方法-CN200610073807.3有效
发明人：李世昊;陈瑞兴;王耀常 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机电激发光显示器包括薄膜晶体管、绝缘层、半穿反电极层及有机发光二极管。薄膜晶体管位于基板之上，绝缘层位于薄膜晶体管与基板之上。绝缘层在像素区域内的高度低于像素区域外的高度以形成侧壁。半穿反电极层位于绝缘层之上并暴露出侧壁。半穿反电极层与薄膜晶体管的源极/或漏极电连接。有机发光二极管位于半穿反电极层上的像素区域上。
机电激发显示器及其制造方法

[发明专利]一种全液态量子隧穿效应器件及其制作方法-CN201710676244.5在审
发明人：刘静;赵曦;汤剑波;刘逸凡 -专利权人：北京梦之墨科技有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提出一种全液态量子隧穿效应器件，包括作为电导体的两个以上的液态金属液滴，承载液态金属液滴的容器，用于分隔各液态金属液滴的绝缘或半绝缘液体，以及电极；所述液态金属液滴的尺寸为0.1nm～20cm。本发明还提出全液态量子隧穿效应器件的制备方法。本全液态量子隧穿效应器件改变了现有固体量子隧穿效应器件的既有观念和技术范畴，首次提供了全液态量子隧穿效应器件这种崭新概念的器件，引入了独特的导电性液态金属和作为绝缘或半绝缘体常规液体的两者的变形特性和良好结合性其本身可以为多种结构的形状自适应组合体，且液态金属种类及溶液浓度可调，因而可体现出更复杂的量子隧穿行为。
一种液态量子效应器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体的测试结构-CN201710318801.6在审
发明人：彭勇 -专利权人：合肥市华达半导体有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体的测试结构，包括半导体基底，位于所述半导体基底表面上的第一测试金属层、第二测试金属层、第一绝缘层和第一导电金属层,位于半导体基底内的穿硅通孔，位于穿硅通孔周围的孔洞以及位于孔洞内的气胞；所述第一测试金属层与第二测试金属层间设置有第一绝缘层；所述第一导电金属层位于半导体基底的第二表面上；所述半导体基底内横穿若干穿硅通孔，所述穿硅通孔包括第二绝缘层和导电材料，所述第二绝缘层位于穿硅通孔的侧壁上，所述导电材料填充至第二绝缘层内；所述穿硅通孔的周围设置有孔洞，所述孔洞内填充有硅养层。本发明不仅提高穿硅通孔的稳定性和可靠性，而且降低穿硅通孔间的寄生电容，提高半导体器件的工作性能。
一种半导体测试结构

[发明专利]一种SONOS器件中ONO结构的制造方法-CN201510547787.8有效
发明人：孙勤;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，首先采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；接着对隧穿氧化层进行掺氮，且掺氮浓度随着隧穿氧化层的深度逐渐递减；然后在隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；最后采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。本发明在隧穿氧化层中，由于掺氮浓度随着氧化层深度逐渐递减，因此使得整体隧穿氧化层能级也呈平缓递减，当器件处在写入状态时，由于能带在外电场下发生偏转，从而电子发生隧穿时通过的势垒区仍与普通SONOS器件相同同时，在可靠性测试时，需要高温进行烘烤，由于梯度隧穿层的作用，电子逃逸更难以实现，从而保证了SONOS器件的数据保存能力。
一种 sonos 器件 ono 结构制造方法

[发明专利]一种基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管-CN202211222956.7在审
发明人：陈庆;孙榕;刘含笑;杨露露;苗瑞霞;贺炜;李建伟 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及双栅隧穿场效应晶体管，具体涉及一种基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管，用于解决现有双栅隧穿场效应晶体管无法在提升开态电流的同时，降低双极电流和亚阈值摆幅的不足之处。该基于双材料栅介质的双栅隧穿场效应晶体管包括沟道区、源区、漏区、栅氧化层、辅助隧穿势垒层；其中栅氧化层上采用双材料异质结构，其包括靠近漏区的第二栅氧化层、靠近源区的第一栅氧化层，第二栅氧化层介电常数相对较低，以增加反向隧穿势垒宽度来降低双极效应；源区和辅助隧穿势垒层之间形成异质结接触介面，辅助隧穿势垒层用于降低隧穿的势垒宽度；本发明解决了传统的TFET开态电流低、双极效应明显、不能很好地满足TFET器件快速发展需求的缺点
一种基于材料介质双栅隧穿场效应晶体管

[发明专利]一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法-CN202210827239.0在审
发明人：刘富才;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法

[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201580082816.6有效
发明人：杨喜超;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种隧穿场效应晶体管(TFET)及其制备方法，属于半导体技术领域。TFET中的沟道区(202)连接源区(201)和漏区(203)；口袋层(204)和栅氧层(205)依次制备于源区与栅区之间；源区中的第一区域制备有金属层，第一区域位于源区与口袋层相接触侧，口袋层至少部分覆盖金属层；口袋层与源区中的第二区域组成TFET的第一隧穿结，口袋层与金属层组成TFET的第二隧穿结。本发明通过源区中的第一区域制备有金属层，使得口袋层与源区中非金属层所在的第二区域组成TFET的第一隧穿结，口袋层与金属层组成TFET的第二隧穿结，相对于仅由口袋层与源区组成隧穿结的TFET，能够通过口袋层与金属层组成的隧穿结增加隧穿电流，从而实现在不增加TFET版图面积的情况下，增加TFET的隧穿电流。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]磁性隧穿接合元件制程/前图案化的晶种层的整合方法-CN201880023888.7在审
发明人：杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健;沈冬娜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：描述一种蚀刻磁性隧穿接合(MTJ)结构的方法。在基底(10)上提供底电极层(12)。在底电极层上沉积晶种层(16)。图案化晶种层和底电极层。于图案化的晶种层和底电极层上方沉积介电层，并将其平坦化，其中露出晶种层。其后，在图案化的晶种层上沉积磁性隧穿接合层的堆叠(30)，包括扎钉层(18)、隧穿阻障层(20)、和自由层(22)。接着，图案化磁性隧穿接合堆叠，以形成磁性隧穿接合元件。因为在磁性隧穿接合图案化的步骤之前，图案化晶种层，元件暴露于蚀刻等离子体气体的时间缩短，而因此最小化蚀刻的损害。
晶种层图案化隧穿底电极层蚀刻接合堆叠沉积等离子体气体沉积介电层接合元件时间缩短接合层平坦化扎钉层自由层阻障层最小化基底暴露损害

[发明专利]一种高压发光二极管及其制作方法-CN201610557039.2有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高压发光二极管，衬底上设置非故意掺杂层，非故意掺杂层上设置第一外延结构的n型接触层，第一外延结构的n型接触层分别设置隧穿结和第一外延结构的有源层，第一外延结构的有源层上由下至上依次设置p型接触层、p型欧姆接触层和p型电极；隧穿结上由下至上依次设置第二外延结构的p型接触层、有源层、n型接触层、n型欧姆接触层和n型电极；第一外延结构与第二外延结构之间设置绝缘层；第一外延结构的p型欧姆接触层的高度与第二外延结构的
一种高压发光二极管及其制作方法