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[发明专利]负斜率隔离结构-CN201811542865.5有效
发明人：古尔巴格·辛格;蔡宗翰;庄坤苍 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。在半导体衬底上形成负斜率隔离结构，以使器件彼此隔离。负斜率隔离结构的顶部临界尺寸小于底部临界尺寸。负斜率隔离结构可以穿透绝缘体上硅结构布置的绝缘层。本发明实施例涉及负斜率隔离结构。
斜率隔离结构

[实用新型]LTE天线隔离结构-CN201520404887.0有效
发明人：董文辉;初彦萍;张跃腾;阎伟然;王双锁;张慧;魏红霞;尚森;刘国才;王红江;张国亮;韩改敏 -专利权人：河北电信设计咨询有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LTE天线隔离结构，包括安装有第一天线和第二天线的主板，在所述主板上设有参考地连接点，所述第一天线和第二天线分别电连接于所述参考地连接点；在所述主板上于第一天线和第二天线之间设置有天线隔离组件本实用新型所述的LTE天线隔离结构，可使LTE天线间具有更好的隔离效果。
lte 天线隔离结构

[实用新型]浅沟槽隔离结构-CN201721589741.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括：硅衬底、第一沟槽、第二沟槽、热氧化层、内衬层、填充层以及介质层，第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部本实用新型将浅沟槽隔离结构底部的内衬层去除，使得浅沟槽隔离结构底部不会有足够量的载流子聚集，避免晶体管衬底中的空穴聚集而导致的漏电。
浅沟槽隔离结构热氧化层内衬层本实用新型介质层填充层减小去除填充隔离载流子聚集漏电空穴聚集维持电流硅衬底晶体管漏电流侧壁衬底老化显露

[实用新型]隔离阀改良结构-CN201820439945.7有效
发明人：苏信瑀;廖志朋 -专利权人：苏信瑀
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： F16K17/02 文献下载
摘要：本实用新型的隔离阀改良结构包括有一套筒、一上端盖及一下端盖，主要在该套筒的内部套设有一衬环，以及于该衬环的顶部设有一阀瓣，该衬环及该阀瓣间设有一限位结构，而该限位结构具有一导角，且该衬环及该阀瓣间设有一滑动层当隔离阀改良结构两侧的压力不同时，该隔离阀改良结构可以使该阀瓣得以压贴于该上端盖，进而将该上端盖的一第一管路接口遮蔽。
衬环阀瓣改良结构隔离阀上端盖限位结构滑动层本实用新型管路接口磨擦阻力套筒内壁下端盖导角端盖套筒压贴遮蔽移动

[实用新型]隔离开关结构-CN201721808792.0有效
发明人：汪宏伟;李八宁;苏昌平 -专利权人：株洲丰达电力机车配件实业有限责任公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01H31/10 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种隔离开关结构，包括：底板，底板上设有第一静触片与第二静触片；主动触片，包括：设置于底板上的固定部，以及与固定部连接的接触部，固定部位于第一静触片与第二静触片之间；辅助动触片，设置于底板上，且第三静触片位于凹槽内，其中，当接触部转动至垂直于底板时，辅助动触片位于滑槽内、且辅助动触片与第三静触片连接，当接触部转动至与第一静触片或第二静触片连接时，辅助动触片与第三静触片分离，能够在确保隔离开关的体积较小的情况下，使隔离开关实现单刀三投。
静触片底板辅助动触片导向块隔离开关结构隔离开关固定部滑槽转动本实用新型滑槽相连通固定部位主动触片单刀垂直侧面

[实用新型]隔离开关结构-CN201721807861.6有效
发明人：汪宏伟;何文科 -专利权人：株洲丰达电力机车配件实业有限责任公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01H31/10 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种隔离开关结构，包括：底板；主开关；以及多个辅助开关，主开关包括：设置于底板上的第一底座，第一底座的两端分别设有前支板与后支板；相互平行设置的第一导电片与第二导电片，后支板的顶部夹设于第一导电片的第一端与第二导电片的第一端之间第二导电片背对第一导电片的侧面上设有第二连接座；辅助开关包括：设置于底板上的第二底座，第二底座的顶部设有第一导电夹与第二导电夹，且第一导电夹与第二导电夹之间具有第一预设间隙；刀片，刀片的第一端与第一导电夹连接，能够使隔离开关满足复杂电路的需求
导电片导电夹底座底板第一端隔离开关结构辅助开关后支板连接座主开关刀片背对本实用新型复杂电路隔离开关平行设置预设间隙侧面前支板夹设

[实用新型]浅沟槽隔离结构-CN201820569988.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离结构包括：一半导体基底，具有一基底上表面，半导体基底的基底上表面上设有深宽比介于10～30的至少一个隔离沟槽，用以界定出晶体管的有源区，隔离沟槽具有沟槽底部和沟槽侧壁沟槽侧壁以非垂直的倾斜角度连接沟槽底部和基底上表面；反应内衬层，设于半导体基底上，反应内衬层覆盖所述沟槽底部、沟槽侧壁和基底上表面；沉积内衬层，设于反应内衬层上，沉积内衬层的厚度变异差值大于反应内衬层的厚度变异差值，以使沉积内衬层内有内应力；隔离填充体，设于隔离沟槽内的沉积内衬层上。
内衬层基底上表面沉积浅沟槽隔离结构半导体基底隔离沟槽沟槽侧壁本实用新型厚度变异角度连接晶圆产品非垂直晶体管深宽比填充体有效地源区域界定良率源区空洞倒塌隔离覆盖

[实用新型]浅沟槽隔离结构-CN201821501456.6有效
发明人：宛伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、第一沟槽、氮化硅层、第二沟槽、衬底氧化层、致密氧化物层及多孔二氧化硅层，其中，第一沟槽位于衬底内；氮化硅层位于第一沟槽的侧壁；第二沟槽位于衬底内，且与第一沟槽相连通本实用新型的浅沟槽隔离结构，不仅能够起到良好的隔离效果，且介电常数极大降低，能有效减小寄生电流，降低寄生电容，提升器件性能。
多孔二氧化硅层上表面致密氧化物层衬底浅沟槽隔离结构本实用新型衬底氧化层氮化硅层侧壁隔离效果寄生电流寄生电容介电常数提升器件减小填满

[实用新型]浅沟槽隔离结构-CN201821538265.7有效
发明人：陈龙阳;吴公一 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括衬底；氧化垫层，所述氧化垫层位于所述衬底上；沟槽，形成于所述氧化垫层及所述衬底中；以及隔离介质，包括填充于所述沟槽中的隔离填充部以及凸出于所述隔离填充部上的隔离凸起部，所述隔离凸起部的底部侧壁与所述氧化垫层紧密相接。在浅沟槽隔离结构的制作方法中，本实用新型在氧化垫层上加入牺牲介质层，降低隔离凸起部与临近介质层接触面的应力，同时，本实用新型不采用传统的酸式湿法刻蚀工艺，而采用干法刻蚀工艺形成浅沟槽隔离结构的隔离凸起部，以避免在酸式湿法刻蚀过程中造成的浅沟槽隔离结构轮廓损伤的问题，从而提高器件性能及良率。
浅沟槽隔离结构氧化垫层隔离凸起部本实用新型衬底填充湿法刻蚀干法刻蚀工艺牺牲介质层底部侧壁隔离介质紧密相接器件性能传统的介质层良率损伤制作

[实用新型]光隔离电源结构-CN201220635200.0有效
发明人：王小娜 -专利权人：西安思能网络科技有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/024 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电源，特别是一种光隔离电源结构。
隔离电源结构

[实用新型]讯号隔离箱结构-CN201120178089.2有效
发明人：廖清钦 -专利权人：技越电子股份有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型目标在于提供一种讯号隔离箱结构，在一箱体预设有至少一物件存取开口，该箱体是由一预定厚度的金属材料所制成，并在该箱体表面的至少一部分形成有一较该预定厚度为薄的凹入区域物件存取箱门经由箱门连结构件结合在箱体的物件存取开口
讯号隔离结构

[实用新型]优化隔离天线结构-CN201620706199.4有效
发明人：张南;粘明源;陈威谕;林家正;陈建勋 -专利权人：上海华章信息科技有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种优化隔离天线结构，包括天线，所述天线包括单极天线和PIFA天线，所述单极天线包括第一馈电点、第一短路点和第一天线本体，所述PIFA天线包括第二馈电点、第二短路点和第二天线本体，所述单极天线的辐射体采用本实用新型的不同形式的两种天线结构，并使用1575MHz的四分之一波长的PIFA天线配合1800MHz的二分之一波长的单极天线，使得两天线间的射频电流为零，不但可以有效增加隔离度，而且拥有很好的辐射效率
优化隔离天线结构

[实用新型]隔离带结构-CN201521061084.6有效
发明人：陈远兰 -专利权人：重庆锴环建材有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： E01F15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种隔离带结构，其关键在于：包括底座，所述底座上对称并排置有两个条形水槽，所述底座和所述条形水槽一体成型结构，且该一体成型结构中空，形成填充腔，所述填充腔内填充有沙子，所述底座的两侧面为内凹的弧面本实用新型的显著效果是：提供了一种隔离带结构，相邻水箱内的水可以流动形成“活水”，有效防止现有水箱内的“死水”易腐烂变臭的问题，降低人工维护的成本。
隔离带结构

[实用新型]道路排水隔离结构-CN201721402562.4有效
发明人：苟浩军;蔺栓宝 -专利权人：酒泉科聚生产力促进中心
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： E03F5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种道路排水隔离结构，包括隔离带、道路本体和排水沟；所述隔离带设有竖直部的上部和人字部的下部；所述人字部上设有排水孔；所述道路本体的中心开挖一条排水沟；所述排水沟的两侧沟口处分别设有一个角型卡槽；所述隔离带安放在所述排水沟的沟口上，且所述人字部的底部卡在所述排水沟的角型槽中。
排水沟隔离带人字本实用新型隔离结构排水沟口道路分割分流作用排水功能角型槽排水孔竖直部角型卡槽开挖

[实用新型]草坪道路隔离结构-CN201721301742.3有效
发明人：柏杰 -专利权人：北京京润园林绿化工程有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： E01C11/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种草坪道路隔离结构，包括道路段、草坪段以及设置在道路段和草坪段之间的隔离带，所述隔离带处设置有低于道路段高度并与草坪段外部连通的排水槽，所述排水槽靠近草坪段的一侧设置有高出草坪段的隔离板，所述隔离板上设置有水流通过的滤水孔，所述排水槽的端部连接有低于排水槽槽底高度的下水道口，所述下水道口下部连通有下水道，上端盖合有水箅，所述下水道口周围设置有护坡，所述护坡上设置有与排水槽连通的导流槽。本实用新型通过在草坪和道路之间设置隔离带，使草坪上的流水流到隔离带内，通过隔离带下水道导流排出，不会流到路面上，保持路面的干燥洁净，方便行人的通行。
草坪道路隔离结构