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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]背光模组及其显示装置-CN202111062678.9有效
发明人：王学辉;陈安稳 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明公开了一种背光模组及其显示装置，背光模组包括直下式灯板、设于直下式灯板上的多个发光器和隔离结构，隔离结构将多个发光器间隔开，隔离结构能够在透光和不透光之间进行切换，在第一状态时，隔离结构为不透光状态，隔离结构能够阻挡发光器发出的部分光线，在第二状态时，隔离结构为透光状态，发光器发出的光线能够穿过隔离结构。通过设置隔离结构将多个发光器间隔开，且隔离结构能够在透光和不透光之间进行切换，在需要局部调光时，控制隔离结构为不透光状态，从而避免相邻发光器的相互干扰，以产生光晕现象，在需要同步亮度时，控制隔离结构为透光状态，以避免在控制隔离处出现暗纹的现象。
背光模组及其显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810026747.2有效
发明人：张焕云;吴健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述隔离区鳍部中具有开口；在所述衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁，且所述初始隔离结构填充所述开口；在所述隔离区初始隔离结构上形成保护层，所述保护层侧壁表面具有侧墙；以所述保护层和侧墙为掩膜对所述初始隔离结构进行刻蚀，在所述开口中形成第一隔离结构，并在所述器件区形成第二隔离结构所述器件区的隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面所述形成方法能够改善半导体结构性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法-CN201410138290.6在审
发明人：周建志;郑光茗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法，该方法包括形成部分埋置在衬底中的隔离结构。隔离结构的部分从衬底的上表面突出。部分地去除隔离结构，从而形成改进的隔离结构。改进的隔离结构的上表面低于衬底的上表面。形成部分位于衬底上且部分位于改进的隔离结构的上表面上的栅极介电结构。
形成具有改进隔离结构集成电路方法

[发明专利]形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法-CN201910360343.1在审
发明人：周建志;郑光茗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法，该方法包括形成部分埋置在衬底中的隔离结构。隔离结构的部分从衬底的上表面突出。部分地去除隔离结构，从而形成改进的隔离结构。改进的隔离结构的上表面低于衬底的上表面。形成部分位于衬底上且部分位于改进的隔离结构的上表面上的栅极介电结构。
隔离结构上表面衬底改进集成电路栅极介电结构埋置去除

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110240323.8有效
发明人：王景皓;辛欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法。制造方法包括：提供基底以及位于基底上的位线结构；形成第一隔离层，第一隔离层位于位线结构的侧壁以及基底上；形成第二隔离层，第二隔离层覆盖位于位线结构侧壁的第一隔离层，且露出位于基底上的第一隔离层；去除被第二隔离层暴露的第一隔离层以及位于第二隔离层正下方的部分第一隔离层，以使剩余第一隔离层相较于第二隔离层朝向位线结构侧壁方向内凹以形成凹槽；形成填充凹槽的第三隔离层，第三隔离层覆盖凹槽露出的第一隔离层表面，且第三隔离层的材料与第一隔离层的材料不同；刻蚀位于相邻第二隔离层之间的基底本发明实施例可以提高半导体结构的性能。
半导体结构及其制造方法

[实用新型]隔离罩结构及其模组封装结构-CN200720153896.2无效
发明人：吴扬威;丘鸿起 -专利权人：丽台科技股份有限公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型是揭露一种隔离罩结构及其模组封装结构，此隔离罩结构包含一平板、至少一侧板及至少一弹性臂，其中侧板是由平板的边缘向下延伸，弹性臂则形成于侧板上。模组封装结构是包含前述的隔离罩结构及印刷电路板。印刷电路板相对应于隔离罩结构的弹性臂的位置，设置一沟槽以供隔离罩结构的弹性臂的夹持。侧板的长度与印刷电路板的厚度相加大于弹性臂的长度。藉以于模组封装制程过程中隔离罩结构不易脱落或避免对印刷电路板的破坏。
隔离结构及其模组封装

[发明专利]半导体结构以及半导体结构的形成方法-CN202011043756.6在审
发明人：于有权;吴公一;张仕然 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构以及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：基底，包括阵列区和外围区，外围区内具有第一隔离结构，阵列区内具有第二隔离结构，第一隔离结构的顶部开口面积大于第二隔离结构的顶部开口面积；第一隔离结构中具有第一凹槽，以及用于填充第一凹槽的第一绝缘结构；第一绝缘结构至少包括顶隔离层，顶隔离层顶部表面与基底顶部表面齐平，且顶隔离层至少包括低介电常数材料。本发明实施例通过外围区的第一绝缘结构填充第一隔离结构中的第一凹槽，从而防止外围区浅沟槽隔离结构出现边缘漏电等缺陷，以提高形成的最终器件的良率，并防止浅沟槽隔离结构的性能损失。
半导体结构以及形成方法

[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法-CN201711217315.1有效
发明人：陈维邦;郭廷晃;张简旭珂;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。方法包含在基底上形成多个鳍式结构，且基底包含第一区和第二区。方法包含形成多个隔离结构环绕鳍式结构，且隔离结构中每一个的顶面低于鳍式结构中每一个的顶面，以及隔离结构包含在第一区上的第一隔离结构和在第二区上的第二隔离结构。方法包含在第一隔离结构上形成掩模层以暴露出第二隔离结构，以及移除第二隔离结构的一部分，使得第二隔离结构中每一个的顶面低于第一隔离结构中每一个的顶面。
鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法

[发明专利]具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法-CN201980000403.7有效
发明人：孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高电压半导体器件包括半导体衬底、栅极结构、至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构、以及至少一个第一漂移区。栅极结构设置在半导体衬底上。第一隔离结构和第二隔离结构设置在栅极结构的一侧的半导体衬底的有源区中。第二隔离结构的端部设置于第一隔离结构与栅极结构之间，并且第一隔离结构的端部设置于第一掺杂区与第二隔离结构之间。至少一个第一隔离结构的底部和至少一个第二隔离结构的底部比第一漂移区的底部深。
具有增大击穿电压半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法-CN202010353373.2有效
发明人：孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：高电压半导体器件包括半导体衬底、栅极结构、至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构、以及至少一个第一漂移区。栅极结构设置在半导体衬底上。第一隔离结构和第二隔离结构设置在栅极结构的一侧的半导体衬底的有源区中。第二隔离结构的端部设置于第一隔离结构与栅极结构之间，并且第一隔离结构的端部设置于第一掺杂区与第二隔离结构之间。至少一个第一隔离结构的底部和至少一个第二隔离结构的底部比第一漂移区的底部深。
具有增大击穿电压半导体器件及其制造方法

[发明专利]隔离结构及其制造方法-CN201510711903.5在审
发明人： P·A·科克二世;R·A·詹姆克;R·G·伯利顿;J·G·道尼 -专利权人：美国圣戈班性能塑料公司
申请日： 2009-01-30 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本发明涉及隔离结构及其制造方法。本披露是针对一种隔离结构，该隔离结构包括一个氟聚合物层以及一个聚合体层。这种隔离结构按照ASTM F739测量对于危险化学药品具有大于约一个小时的化学品渗透贯穿检测时间。本披露进一步是针对一种形成上述隔离结构的方法。这种隔离材料被设计为适合于建造掩蔽体、服装、容器以及要求隔离特性的其他物品。
隔离结构及其制造方法

[发明专利]超高压隔离结构-CN201510607050.0在审
发明人：邢军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压隔离结构，形成于P型衬底中，所述P型衬底上具有一N型外延；所述隔离结构的外围，P型衬底与N型外延的交界处具有俯视平面呈环形的P型埋层；P型埋层上方为高压P阱；所述隔离结构的中间区为高压区本发明通过使用一层N型外延，其厚度和电阻率都满足RESURF要求；采用超高压LDMOS的纵向结构，满足横向耐压；通过采用低电阻率的P型衬底，满足纵向耐压；通过在高压区加入一层N型深阱，实现满足纵向的穿通耐压
超高压隔离结构

[发明专利]隔离结构及其制造方法-CN201510569427.8在审
发明人：叶金瓒;骆统;杨大弘;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离结构及其制造方法。隔离结构包括缓冲层和包覆层。缓冲层位于基底的沟道中。包覆层位于沟道中且环绕包覆缓冲层，其中缓冲层未裸露出来且未与沟道接触，且缓冲层的材料与包覆层不同。
隔离结构及其制造方法

[发明专利]灭菌器隔离结构-CN201710084474.2在审
发明人：张冰;朱亮;姚春峰;朱垒林;周建芳;王其鳌;高彩龙;张瑞林;徐建良 -专利权人：张家港华菱医疗设备股份公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： A61L2/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种灭菌器隔离结构，包括灭菌柜主体，所述灭菌柜主体的轴向两端分别连通所述装载区与卸载区，所述灭菌柜主体包括内部柜体与外部保温层，所述外部保温层包覆于所述内部柜体外表面，所述内部柜体的轴向表面焊接有一环状支架本发明的优点在于实现了灭菌柜装载区与卸载区完全隔离，简单结构即实现密封结构，无需维护检查，设备就位后客户安装方便，完全满足生物隔离标准。
灭菌隔离结构

[发明专利]具有隔离结构的封装-CN201811389012.2在审
发明人：尼尚特·拉赫拉;安德鲁·杰佛森·莫尔;阿希莱什·库马尔·辛格;纳瓦斯·坎·奥拉提卡兰达尔 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本文提供了一种封装的半导体装置的实施例，所述封装的半导体装置包括半导体管芯；在所述半导体管芯的有源侧上的再分布层(RDL)结构，所述RDL结构包括在所述RDL结构的外表面上的多个接触焊盘；附接到所述多个接触焊盘的多个外部连接；和在所述RDL结构的所述外表面上、在所述多个接触焊盘中的一个或多个接触焊盘周围的隔离结构，其中所述隔离结构的高度是所述外部连接的高度的至少三分之二。
接触焊盘隔离结构封装半导体管芯半导体装置外部连接再分布层源侧

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