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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]DRAM的列选择信号的控制电路及包括其的存取存储器-CN201110369979.6有效
发明人：解玉凤;林殷茵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-11-20 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明属动态随机存取存储器技术领域，涉及一种动态随机存取存储器的列选择信号的控制电路。所述控制电路包括列选择信号生成电路，还包括：与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块；其中，当所述冗余单元的放大读出电压与预置的电压阈值相匹配时，所述列选择信号生成电路生成列选择信号该动态随机存取存储器，其包括存储阵列、存储阵列中的存储单元的读通路，其特征在于，所述存储阵列中还包括冗余单元，所述动态随机存取存储器还包括该列选择信号的控制电路。该动态随机存取存储器在保证读可靠性的同时，提高读操作速度。
dram 选择信号控制电路包括存取存储器

[发明专利]静态随机存取存储器和静态随机存取存储器电压控制方法-CN200610162857.9有效
发明人：兰迪·W·曼;罗伯特·C·王;戴维·J·韦杰;韦恩·F·埃利斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：提供了一种静态随机存取存储器(“SRAM”)，其包括被排列在阵列中的多个静态随机存取存储器单元。该阵列包括多行和多列。所述静态随机存取存储器包括与所述阵列的所述多列中的各列相对应的多个电压控制。所述多个电压控制电路的每一个耦接到电源的输出，每个电压控制电路具有这样的功能，该功能用来暂时减小提供给属于静态随机存取存储器的列中被选中的列的多个静态随机存取存储器单元的电源输入的电压。在将比特写入属于被选中的列的静态随机存取存储器单元之一的写入操作期间，选择被选中的列，并且减小对于该列的电源电压。
静态随机存取存储器电压控制方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器装置以及感测电路-CN201611055692.5有效
发明人：黄科颖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存取存储器装置，包括具有耦接至源极线的多个电阻式随机存取存储器单元的电阻式随机存取存储器阵列、控制器、位线解码器以及感测电路。储存逻辑准位的每一电阻式随机存取存储器单元由对应的位线以及字线选取。控制器选取电阻式随机存取存储器单元，且根据感测信号判断逻辑准位。位线解码器将数据位线耦接至选择的位线。感测电路耦接至数据位线，且将流经电阻式随机存取存储器单元的存储器电流以及参考电流相比而产生感测信号。当操作于重置操作以及反相读取操作时，感测电路自数据位线汲取存储器电流。
电阻随机存取存储器装置以及电路

[发明专利]在便携式电子装置的动态存储器中保留数据的电路和方法-CN98123467.4无效
发明人：拉尔福·斯诺登;温迪·里德;格林·詹姆斯·泽尼;关伟坚;朱安琪;姚庆良 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1998-10-27 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：在将内部复位信号加到中央处理单元的同时，提高由动态随机存取存储器控制器所生成的用于刷新动态随机存取存储器中数据的刷新信号的速率。然后，当使外部复位信号无效时，生成一个延迟的复位信号并将其加到动态随机存取存储器控制器以将其复位。已经被复位的中央处理单元能够很快重新配置动态随机存取存储器控制器，使它刷新动态随机存取存储器从而能保持动态随机存取存储器中的数据。
便携式电子装置动态存储器保留数据电路方法

[发明专利]自给式电源供应存储器-CN200610008541.4无效
发明人：连世雄 -专利权人：宏连国际科技股份有限公司
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明为一种自给式电源供应存储器，该存储器设置有动态随机存取存储器芯片，且动态随机存取存储器芯片电性连接有充电电池模块，而动态随机存取存储器芯片可透过导线架或基板与充电电池模块呈电性连接，亦可将动态随机存取存储器芯片与充电电池模块以一体成型封装制成，藉此让动态随机存取存储器芯片可利用充电电池模块电力，以维持动态随机存取存储器芯片所记忆的内容，再者，当使用者不小心将其遗失，经过一段时间后会因电力不足而使资料流失，藉此可达到保密效果，避免其所储存资料遭他人使用
自给电源供应存储器

[实用新型]动态随机存取记忆体发光控制系统-CN201620045261.X有效
发明人：郑翰鸿;郭继汾 -专利权人：宇帷国际股份有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： F21V33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种动态随机存取记忆体发光控制系统，包含：复数个动态随机存取记忆体，各动态随机存取记忆体包含一处理单元与一发光单元，该处理单元能驱使该发光单元以特定的模式发光，该些发光单元集合为一发光模组；一行动电子装置，内嵌一控制单元，该控制单元用于向相应的动态随机存取记忆体的处理单元发送相应的控制信号，该控制信号与相应的动态随机存取记忆体进行配对与辨认，并使相应的处理单元控制发光单元发光，使发光模组以特定模式发光本实用新型能控制动态随机存取记忆体的发光模式，以符合使用者的需求与喜好。
动态随机存取记忆体发光控制系统

[发明专利]混合存储器类型混合高速缓存-CN201480013145.3有效
发明人： X·董;J·徐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G06F12/0846 文献下载
摘要：混合高速缓存包括静态随机存取存储器(SRAM)部分和电阻性随机存取存储器部分。混合高速缓存的高速缓存线被配置成包括SRAM宏和电阻性随机存取存储器宏两者。混合高速缓存被配置成使得在每个高速缓存访问循环中SRAM宏在电阻性随机存储器宏之前被访问。在SRAM宏被访问时，较慢的电阻性随机存取存储器达到数据访问就绪状态。
混合存储器类型高速缓存

[发明专利]电子装置及其电源管理方法-CN201310133138.4在审
发明人：高嘉维;林照轩;简志宏 -专利权人：纬创资通股份有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：电子装置包括动态随机存取存储器、电源集成电路及中央处理器。当电子装置的待机模式被设为快速重新开机模式后，中央处理器停止供应动态随机存取存储器的时钟讯号，并控制电源集成电路持续供电至动态随机存取存储器，使得动态随机存取存储器进入自我更新模式。
电子装置及其电源管理方法

[发明专利]随机存取存储器单元的电压模式位线预充电-CN202080017482.5在审
发明人：达努特·马内亚 -专利权人：合肥睿科微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：所公开的电路和方法用于随机存取存储器单元的电压模式位线预充电。一种电路包括：随机存取存储器单元阵列；用于提供预充电电压的低阻抗电压源；控制电路，该控制电路用于在读取其中一个所述随机存取存储器单元之前，利用所述低阻抗电压源，将该其中一个所述随机存取存储器单元的位线预充电至所述预充电电压
随机存取存储器单元电压模式位线预充电

[发明专利]集成DRAM存储器件-CN200510129454.X无效
发明人： P·佩希米勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本发明的一个实施例提供了一种集成存储器件，包括多个包括存储单元的存储块，其中存储单元排列成位线和字线的矩阵，其中该多个存储块包括第一组存储块，其存储单元具有第一随机存取时间，以及第二组存储块，其存储单元具有第二随机存取时间，其中第二随机存取时间比第一随机存取时间小。
集成 dram 存储器件

[发明专利]具有深度学习加速器和随机存取存储器的集成电路装置-CN202180025067.9在审
发明人： P·卡利;J·卡明斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：集成电路可经配置以至少对矩阵操作数执行计算且经配置有：随机存取存储器，其经配置以存储可由所述深度学习加速器执行的指令且存储人工神经网络的矩阵；所述随机存取存储器与所述深度学习加速器之间的连接；以及到存储器控制器的接口所述接口可经配置以促进所述存储器控制器对所述随机存取存储器的存取。响应于在所述随机存取存储器中提供的指示，所述深度学习加速器可以执行所述指令以将存储于所述随机存取存储器中的输入应用于所述人工神经网络，从所述人工神经网络产生输出，且将所述输出存储于所述随机存取存储器中。
具有深度学习加速器随机存取存储器集成电路装置

[发明专利]随机存取存储器及调整随机存取存储器读取时序的方法-CN201410012964.8有效
发明人：吴顺科 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G11C11/4096 文献下载
摘要：本发明提供一种随机存取存储器及调整随机存取存储器读取时序的方法，该随机存取存储器包括一命令解码器、一移位计算电路及一列使能电路。命令解码器，输出一读取指令，以存取该随机存取存储器；其中，该命令解码器还输出具有一列地址控制器值的一模式暂存器指令，以定义该随机存取存储器的一列地址控制器延迟。本发明的随机存取存储器能够动态的调整读取时序。
随机存取存储器调整读取时序方法

[发明专利]交互式参数数据更新方法-CN01117790.X无效
发明人：林至贤 -专利权人：明碁电通股份有限公司
申请日： 2001-05-17 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：数据管理系统包括版本数据储存装置、随机存取记忆装置及异动数据储存装置,当用户端的需求改变时,可修改随机存取记忆装置内的相关参数并将修改部分写入异动数据储存装置中储存,万一系统须重新启动时,便会先将版本数据储存装置内的数据写入随机存取记忆装置后,再依据异动数据储存装置的内容来更新随机存取记忆装置内的相关参数,使随机存取记忆装置的内容能回复到用户系统中断前的最后设定。
交互式参数数据更新方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其存取方法-CN201310007115.9有效
发明人：刘得平 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器及其存取方法。其中用于动态随机存取存储器的存取方法包括，将行地址划分为第一部分以及第二部分。通过地址总线提供行地址的第一部分并通过命令总线提供第一主动命令至动态随机存取存储器。在提供第一主动命令之后，通过地址总线提供行地址的第二部分并通过命令总线提供第二主动命令至动态随机存取存储器。在提供第二主动命令之后，通过地址总线提供列地址并通过命令总线提供存取命令至动态随机存取存储器。地址总线由多个地址线所形成。地址线的数量小于行地址的比特的数量。存取命令为读取命令或写入命令。本发明所提出的动态随机存取存储器及其存取方法，可减少地址线的数量。
动态随机存取存储器及其存取方法

[发明专利]一种用于内存计算的电路结构-CN202010224134.7有效
发明人：赖振安;陈俊晟;黄召颖 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：该电路结构包括多个八管静态随机存取存储器、四条位线、两条字线，以及方向配置电路。每一八管静态随机存取存储器包括两组读写双向端口、两个字线端口及两个方向配置端口。各位线连接对应处理器，并按行方向和列方向连接各八管静态随机存取存储器的对应读写双向端口的各读写端口。各字线连接对应处理器，并连接各八管静态随机存取存储器的对应字线端口。方向配置电路连接各八管静态随机存取存储器的各方向配置端口，配置用于激活各八管静态随机存取存储器的任一方向配置端口，以进行各八管静态随机存取存储器在对应方向的逻辑运算。
一种用于内存计算电路结构

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