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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器装置及存储器模块-CN201810620354.4在审
发明人：张牧天;牛迪民;郑宏忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：存储器装置包括双晶体管单电容器动态随机存取存储器的阵列以及存储器控制器。动态随机存取存储器单元被排列成多行动态随机存取存储器单元及多列动态随机存取存储器单元。存储器控制器处于存储器装置的内部且耦合到动态随机存取存储器单元的阵列。存储器控制器能够接收被输入到存储器装置的命令且能够响应于所接收的命令来控制对动态随机存取存储器单元的阵列的行主序存取及列主序存取。本发明提供支持行“主序”存取及列“主序”存取二者的动态随机存取存储器架构，以使得可利用实质上相等的速度及效率来对行与列二者进行存取。
存储器装置动态随机存取存储器单元存取存储器控制器动态随机存取存储器存储器模块随机存取存储器单元电容器双晶体管耦合到多列相等架构响应

[发明专利]一种在静态随机存取存储器上的混合型映象表-CN201911056103.9在审
发明人：张盛豪;魏智汎;王展南;谢享奇 -专利权人：江苏华存电子科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：本发明公开了一种在静态随机存取存储器上的混合型映象表，将静态随机存取存储器上的映象表，与映射到快速缓冲贮存区的映象表结合。即可以节省静态随机存取存储器空间上的使用，以有效提高静态随机存取存储器的使用率。依照快速缓冲贮存区的大小，亦可减少n个静态随机存取存储器的空间使用。
一种静态随机存取存储器混合映象

[发明专利]具有转接电路的动态随机存取存储器模块-CN03154025.2无效
发明人：陈俊宏 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-08-14 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态随机存取存储器的转接装置，特别是一种具有转接电路的动态随机存取存储器模块，当动态随机存取存储器的规格不同于计算机主机板的插槽规格，于动态随机存取存储器模块上设置转接电路，使得动态随机存取存储器模块的针脚符合计算机主机板的规格
具有转接电路动态随机存取存储器模块

[实用新型]存储器晶圆-CN201520369872.5有效
发明人：李怀兆;俞大立;方晓东;黄泽 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种存储器晶圆，其特征在于，包括：若干动态随机存取存储器；设置于动态随机存取存储器间切割道上的若干测试焊盘，至少两个动态随机存取存储器共用相邻的测试焊盘。本实用新型增加了动态随机存取存储器有效的版上面积，提高了动态随机存取存储器的测试效率，节省了测试时间。
存储器

[发明专利]在视频译码中从清晰随机存取图片的全面随机存取-CN201380022304.1有效
发明人：王益魁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H04N21/236 文献下载
摘要：本发明的技术提供关于执行从位流中的特定存取单元的随机存取是否要求从先前存取单元提取参数集的指示。清晰随机存取CRA图片可定位于经译码视频序列内的任何点处且不清除视频解码器的经解码图片缓冲器DPB。为了执行从所述CRA图片的随机存取解码，视频解码器可能需要提取包含于在所述CRA图片之前的不可用的存取单元中的一或多个参数集。所述技术针对每一CRA图片提供指示是否需要包含于先前存取单元中的参数集以执行从所述图片的随机存取的指示。当不需要来自先前存取单元的参数集以进行从特定CRA图片的随机存取时，视频解码器可确定执行从该图片的随机存取。
视频译码清晰随机存取图片全面

[发明专利]选择码提供电路及其提供方法-CN201610525414.5有效
发明人：陈毓明;林纪舜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种选择码提供电路及其提供方法，其选择码提供电路包含多个电阻式随机存取记忆元以及控制器。控制器决定是否提供控制信号以对电阻式随机存取记忆元进行重形成操作。其中，控制器对电阻式随机存取记忆元施行读取操作以决定重形成电阻式随机存取记忆元的位数，而选择码是根据重形成电阻式随机存取记忆元的位数或非重形成电阻式随机存取记忆元的位数产生。
选择提供电路及其方法

[发明专利]随机存取存储器RAM的测试方法、装置、设备及介质-CN202211111147.9在审
发明人：路鹏程;史瑞瑞 -专利权人：北京物芯科技有限责任公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种随机存取存储器RAM的测试方法、装置、设备及介质。方法包括：通过预设格式转换脚本，将各类随机存取存储器RAM的参数信息转换为预设格式的参数信息，存储至预设参数文档中；对各类随机存取存储器RAM对应的测试激励信号和参考模型进行存储；若获取到用户输入的被测随机存取存储器RAM的预设格式的参数信息，则根据被测随机存取存储器RAM的预设格式的参数信息，获取对应的目标测试激励信号和目标参考模型进行测试。本发明实施例可以自动根据参数信息，获取用于触发随机存取存储器RAM测试的测试激励信号、用于模拟随机存取存储器RAM的参考模型，自动根据测试激励信号和参考模型进行测试。
随机存取存储器 ram 测试方法装置设备介质

[发明专利]处理随机存取响应的方法-CN201210251123.3有效
发明人：周建铭 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H04W74/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理随机存取响应的方法，用于一无线通信系统的一网络端。该方法包括有通过多个分量载波中的一第一分量载波，从该无线通信系统的一第一移动装置接收一第一随机存取前置信息；通过该多个分量载波中的一第二分量载波，从该无线通信系统的一第二移动装置接收一第二随机存取前置信息，其中，该第二随机存取前置信息与该第一随机存取前置信息相同且为该网络端所分配；以及通过该第一分量载波，使用包括关于该第二移动装置的一时序先行指令的一随机存取响应信息来响应被分配的该第二随机存取前置信息。
处理随机存取响应方法

[发明专利]磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法-CN200510090270.7有效
发明人：刘继文;江国庆;曾鸿辉;邓端理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法。该磁阻性随机存取存储器装置包含位于基板上的支柱，且该支柱至少拥有一斜面，而该斜面自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器装置亦包含磁阻性随机存取存储器堆叠，该磁阻性随机存取存储器堆叠大致上与该斜面相平行，因此该磁阻性随机存取存储器堆叠亦自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器堆叠包含大致为平面且相平行的多个的迭层，各迭层皆自基板倾斜一锐角角度。
磁阻随机存取存储器装置及其制造方法

[发明专利]在同一芯片上组合NVM类别和SRAM类别MRAM元件的方法-CN201880081072.X有效
发明人： M·皮纳巴斯;B·A·卡戴茨;T·D·布恩 -专利权人：芯成半导体(开曼)有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种用于制造磁性随机存取存储器芯片的方法，该芯片具有形成在同一芯片上的具有不同性能特性的磁性存储器元件。磁性存储器元件可以是磁性随机存取存储器元件。存储器芯片可以具有在传感器的第一区域中形成的具有第一组物理和性能特性的第一组磁性随机存取芯片，以及在芯片的第二区域中形成的具有第二组性能特性的第二组磁性随机存取芯片。例如，第一组磁性随机存取存储器元件的性能特性可以匹配或者超过非易失性存储器的性能特性，而第二组磁性随机存取存储器元件的性能特性可以匹配或者超过静态随机存取存储器元件的性能特性。
同一芯片组合 nvm 类别 sram mram 元件方法

[发明专利]集成电路装置与其制造方法-CN202010513463.3在审
发明人：萧清泰;陈升照;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：使用填充电阻切换随机存取存储器单元之间的区域且改变高度以与较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者的顶部对准的介电复合物，来解决在包括不同高度的电阻切换随机存取存储器单元的装置中形成提供一致结果的顶部电极通孔的问题可在介电复合物之上形成刻蚀停止层，以在较高电阻切换随机存取存储器单元及较矮电阻切换随机存取存储器单元二者之上提供相等厚度的耐刻蚀介电质。介电复合物使刻蚀停止层横向延伸远离电阻切换随机存取存储器单元，以在即使通孔开口未对准时仍保持通孔开口与电阻切换随机存取存储器单元侧之间的分开。
集成电路装置与其制造方法

[发明专利]相变随机存取存储器的存储单元-CN201010524974.1有效
发明人：吴关平;徐成;刘燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变随机存取存储器的存储单元，包括：相变材料层和柱状同轴电极；柱状同轴电极包括位于柱状同轴电极的轴线位置的第一电极、嵌套在第一电极之外并与第一电极同轴的第二电极及填充在第一电极和第二电极之间的第一绝缘层本发明还公开了一种相变随机存取存储器，包括：控制电路、存储单元层、选通器件层和衬底。根据本发明的相变随机存取存储器的存储单元和相变随机存取存储器可以有效地降低相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的发热量和功耗。并经济地提高相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的性能。
相变随机存取存储器存储单元

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构-CN201510429176.3有效
发明人：徐懋腾;黄丘宗 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器结构，包括电阻式随机存取存储器。电阻式随机存取存储器包括晶体管、介电层及多个第一电阻式随机存取存储单元串。介电层覆盖晶体管。第一电阻式随机存取存储单元串设置于介电层中。各第一电阻式随机存取存储单元串包括多个第一存储单元、多条第一位线及内连线结构。第一位线分别电连接各第一存储单元。第一电阻式随机存取存储单元串包含的内连线结构彼此分离，内连线结构将第一电阻式随机存取存储单元串电连接至同一晶体管的同一端子。
电阻随机存取存储器结构

[发明专利]具有高频宽和小面积的静态随机存取存储器-CN200710085584.7有效
发明人：江政隆;邱明正 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器器件，其包含多行的静态随机存取存储器单元，以及一个线缓冲器静态随机存取存储器单元。每一列静态随机存取存储器单元是由一个字线所控制。该线缓冲器静态随机存取存储器单元耦接到该多行的静态随机存取存储器单元，并由一个读取使能线所控制。该提供给线缓冲器静态随机存取存储器单元的电源被选择性地切断。此外，在读取使能线上的信号被取消时，则提供电源给该线缓冲器静态随机存取存储器单元。
具有高频宽和面积静态随机存取存储器

[发明专利]双倍速动态随机存取存储器的读写方法-CN200410096081.6有效
发明人：徐昌发 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算机领域中的双倍速动态随机存取存储器的读写方法，包括以下步骤：双倍速动态随机存取存储器进入正常工作模式后，一直判断是否存在需要写入或者读出的数据，需要写入双倍速动态随机存取存储器的数据预先存在一个先入先出缓存器中，在对双倍速动态随机存取存储器进行写操作的过程中，一直判断先入先出缓存器中是否有数据，如果有数据则一直对双倍速动态随机存取存储器进行写操作，如没有数据则判断是否进行读操作；在读出数据过程中类似操作；在双倍速动态随机存取存储器控制器中本发明克服了现有技术中使用双倍速动态随机存取存储器效率不高、双倍速动态随机存取存储器控制复杂的问题，能够灵活提高双倍速动态随机存取存储器效率、简化控制。
双倍动态随机存取存储器读写方法

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