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[发明专利]有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法-CN200710196789.2有效
发明人：赖二琨;何家骅;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法，此结构包括多个可编程电阻随机存取存储单元，每一可编程电阻随机存取存储单元包括多个存储构件，以在每一存储单元中进行多位存储。此双稳态电阻随机存取存储器包括第一电阻随机存取构件，其经过内连接金属衬底与金属氧化物长条而连接至第二电阻随机存取构件。第一电阻随机存取构件具有第一电阻值Ra，其由第一电阻随机存取构件的厚度所决定，取决于第一电阻随机存取构件的沉积步骤。第二电阻随机存取构件具有第二电阻值Rb，其由第二电阻随机存取构件的厚度所决定，取决于第二电阻随机存取构件的沉积步骤。
金属氧化物电阻随机存取存储结构及其制造方法

[发明专利]处理音频信号的装置和方法-CN200680025137.6无效
发明人： T·利伯成 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G10L19/02 文献下载
摘要：在一个实施例中，随机存取单元信息被添加至含多个随机存取单元的音频信号。每个随机存取单元包括多个帧，并且这些帧中的至少一个为随机存取帧。每个随机存取帧是以使得解码该随机存取帧不需要用到之前的帧的方式编码的帧。随机存取单元信息指示按字节计各随机存取帧中的至少两个之间的距离。
处理音频信号装置方法

[发明专利]可增加写入裕量的静态随机存取存储器-CN201010163847.3有效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器，至少包含：静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元；以及可控电源电路，连接于该静态随机存取存储单元阵列，用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压，本发明在读出和保持模式下，静态随机存取存储单元阵列每列的供电电压及电源负端电压不变，当需要进行写入操作时，使被操作的静态随机存取存储单元所在列的供电电压减小或使得被操作的静态随机存取存储单元所在列的电源负端电压提高，其他列电压不变，这样可以使得本发明的静态随机存取存储单元可接受的低电平范围得以扩展，增加本发明静态随机存取存储器的写入裕量。
可增加写入静态随机存取存储器

[发明专利]使用于移动装置和基站的方法及其移动装置和基站-CN200910225277.3无效
发明人：吴志祥 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H04W88/02 文献下载
摘要：该使用在移动装置上的方法，包括：传送一广播随机存取前导至一基站以起始一第一随机存取程序；于起始该第一随机存取程序之后，自该基站接收一专用随机存取前导；以及传送该专用随机存取前导至该基站以起始一第二随机存取程序
使用移动装置基站方法及其

[发明专利]电阻式随机存取存储器单元-CN201780075505.6有效
发明人： J·L·麦科勒姆 -专利权人：美高森美SOC公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器单元，该电阻式随机存取存储器单元包括三个电阻式随机存取存储器装置(102，104，106)，每个电阻式随机存取存储器装置均具有离子源层(156，166，186)和固体电解质层第一电阻式随机存取存储器装置和第二电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个离子源层或两个固体电解质层均彼此相邻。第三电阻式随机存取存储器装置与第一电阻式随机存取存储器装置和第二电阻式随机存取存储器装置串联连接。
电阻随机存取存储器单元

[发明专利]利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法-CN201910082292.0有效
发明人：金镇湖;康太京 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法生成的动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元对各自的第一动态随机存取存储器单元及第二动态随机存取存储器单元共享支撑条及位线插头。由此，根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法所生成的动态随机存取存储器单元阵列，很大程度地减少整体布局面积。并且，在本发明优选实施例的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法中，动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元各自的存储器呈具有多个侧面突出部的多鳍类型，从而很大程度地增加存储器的面积。
利用支撑动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法

[发明专利]动态随机存取存储系统及数据处理方法-CN202110650569.2在审
发明人：杜海涛;康一 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储系统及数据处理方法，其中，动态随机存取存储系统包括：片上网络节点，包括动态随机存取存储节点和动态随机存取存储对外接口节点；片上网络，与动态随机存取存储节点和动态随机存取存储对外接口节点分别通信连接
动态随机存取存储系统数据处理方法

[发明专利]电阻式随机存取记忆体与其控制方法-CN201510031573.5有效
发明人：简才淦;邱瀝毅;林璟谦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式随机存取记忆体与其控制方法。上述电阻式随机存取记忆体包括温度感测器以检测电阻式随机存取记忆体的温度。上述控制方法可检测电阻式随机存取记忆体的温度，以及根据此温度设定电阻式随机存取记忆体的感测放大器的参考阻值。上述控制方法也可根据电阻式随机存取记忆体的温度切换操作模式而适应温度变化以提高电阻式随机存取记忆体的可靠度。
电阻随机存取记忆体与其控制方法

[发明专利]静态随机存取存储器阵列以及存储器器件-CN202110680621.9在审
发明人：王屏薇;包家豪;叶主辉;林祐宽;林建隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供了静态随机存取存储器阵列以及存储器器件。在一个实施例中，存储器器件包括静态随机存取存储器阵列。静态随机存取存储器阵列包括静态随机存取存储器阵列。静态随机存取存储器阵列包括：第一子阵列，其包括多个第一静态随机存取存储器单元；以及第二子阵列，其包括多个第二静态随机存取存储器单元。多个第一静态随机存取存储器单元中的每个n型晶体管包括第一功函数堆叠件，并且多个第二静态随机存取存储器单元中的每个n型晶体管包括与第一功函数堆叠件不同的第二功函数堆叠件。
静态随机存取存储器阵列以及存储器器件

[发明专利]处理随机存取响应的方法-CN201410630746.0有效
发明人：周建铭 -专利权人：宏碁股份有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H04W74/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理随机存取响应的方法，用于一无线通信系统的一网络端，该方法包括有：通过多个分量载波中的一第一分量载波，分配一第一随机存取前置信息给一第一移动装置；通过一第二分量载波，从一第二移动装置接收一第二随机存取前置信息，其中，该第二随机存取前置信息与该第一随机存取前置信息相同；在一段时间内，在该第一分量载波上未接收到从该第一移动装置的该第一随机存取前置信息；以及不传送用来回复该第一随机存取前置信息及该第二随机存取前置信息的随机存取响应信息
随机存取前置分量载波移动装置随机存取响应信息无线通信系统网络端响应回复传送分配

[发明专利]应用随机存取响应帧的无线网络通信的方法-CN200910003155.X有效
发明人：吴春丽;林立晟;王崇山;卢忠良 -专利权人：凌阳电通科技股份有限公司
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H04W80/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用随机存取响应帧的无线网络通信的方法。本发明提供一种无线网络通信的方法，该方法应用无线通信传输的随机存取响应的帧，帧格式包括旗标区段以及可变长度数据区段。该旗标区段包含随机存取响应次旗标，以及0到N个负载控制次旗标；该可变长度数据区段包含随机存取响应有效负载数据，对应于该随机存取响应次旗标。该随机存取响应次旗标进一步包含状态指示栏位，用以指示最后一个随机存取响应次旗标、负载控制次旗标、具有T-CRNTI栏位的随机存取响应有效负载数据、或不具有T-CRNTI栏位的随机存取响应有效负载数据。
应用随机存取响应无线网络通信方法

[发明专利]用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及相关存取方法-CN201610850031.5在审
发明人：刘得平 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明提供一种用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及动态随机存取存储器存取方法。该计算系统包含处理电路，在发送时钟频率切换信号之前发送早期通知信号，其中早期通知信号通知后续时钟频率切换信号的到来以及时钟频率切换信号请求改变动态随机存取存储器时钟的频率；队列，包含N个条目，其中N是正整数，且每个条目储存要被发送到动态随机存取存储器的至少一个地址与相关命令；以及动态随机存取存储器控制器，控制动态随机存取存储器的存取，其中动态随机存取存储器控制器在接收早期通知信号后降低队列的占用率到目标水平本发明提供的用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及动态随机存取存储器存取方法能够保证存储器系统的性能。
用于存取动态随机存取存储器计算系统以及相关方法

[发明专利]移动装置及其网络资源随机访问方法-CN201711225109.5在审
发明人：许俊彦;许献聪 -专利权人：财团法人资讯工业策进会
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H04W8/24 文献下载
摘要：一种移动装置及其网络资源随机访问方法。移动装置发送至少二随机存取前置码至基站，并自基站接收相应于至少二随机存取前置码的至少二随机存取回应。移动装置自至少二随机存取响应中挑选第一随机存取回应。第一随机存取响应记录第一网络资源区块。移动装置通过第一网络资源区块传送无线消息至基站。
移动装置随机存取网络资源随机存取回应随机访问前置码基站基站接收区块传送无线消息响应区块发送记录

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法-CN202010776346.6在审
发明人：林大钧;蔡旻桦;侯泰成;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包含一介电层，一第一磁阻式随机存取存储器、一第二磁阻式随机存取存储器和一第三磁阻式随机存取存储器由右至左设置在介电层上，第二磁阻式随机存取存储器包含一磁性隧穿结，二个间隙分别位于第一磁阻式随机存取存储器和第二磁阻式随机存取存储器之间以及位于第二磁阻式随机存取存储器和第三磁阻式随机存取存储器之间，二个伸张应力材料块分别设置于各个间隙中
磁阻随机存取存储器结构及其制作方法

[发明专利]计算装置以及计算装置的操作方法-CN201310378896.2在审
发明人：朴永辰;丁日奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：示例性实施例可提供一种计算装置，包括：第一随机存取存储器；第二随机存取存储器；存储器控制器，被配置为控制第一随机存取存储器和第二随机存取存储器；处理器，被配置为通过存储器控制器将第一随机存取存储器和第二随机存取存储器用作工作存储器，其中，存储器控制器被配置为访问在第一随机存取存储器和第二随机存取存储器当中通过来自处理器的传送命令选择的一个存储器。
计算装置以及操作方法

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