“镓肖特基结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果129408个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法-CN202210044122.5在审
发明人：卢星;徐童龄;王钢;陈梓敏 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法，涉及氧化镓半导体及其制造技术，针对氧化镓结势垒肖特基二极管制造时光刻对准次数多等缺陷提出本方案。包括三维鳍式沟槽结构的制作步骤；PN结的制作步骤和电极的制作步骤；在N型氧化镓漂移层上表面铺设图形化的半牺牲肖特基金属层，利用所述半牺牲肖特基金属层作为掩膜对N型氧化镓漂移层进行刻蚀，制作出三维鳍式沟槽结构优点在于，先制备二极管中的半牺牲肖特基金属层，直接采用该半牺牲肖特基金属层做为刻蚀氧化镓的掩膜。使半牺牲肖特基金属层与氧化镓肋条形成自对准的肖特基接触，直接规避了在肋条顶部去除P型氧化物半导体层及铺设肖特基金属层时必要的光刻对准工作。
一种对准氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202111404908.5在审
发明人：刘超;尹健 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法。本发明氮化镓结势垒肖特基二极管包括：重掺杂N型氮化镓衬底区；轻掺杂N型氮化镓漂移区，位于重掺杂N型氮化镓衬底区上方；轻掺杂N型氮化镓漂移区上设置有沟槽；沟槽底面和侧壁包覆有P型氮化镓区；金属电极层，设置于重掺杂N型氮化镓衬底区下表面以及P型氮化镓区和轻掺杂N型氮化镓漂移区的上表面。本发明方法可以实现制备更深PN结的结势垒肖特基二极管，避免使用过高的离子注入能量。所形成的P型GaN包裹沟槽的结构，不仅可以实现更深的PN结，也能提高对肖特基接触表面的保护能力，从而提高器件的击穿性能。
一种具有沟槽结构垂直氮化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]基于n型氧化镓-p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法-CN202210190219.7在审
发明人：马晓华;侯斌;常青原;武玫;杨凌;张濛;朱青;宓珉瀚;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于n型氧化镓‑p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法。肖特基二极管包括n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层、p型金刚石结区、阳极、绝缘介质和阴极；阴极、n型氧化镓衬底、n型氧化镓外延层依次层叠；p型金刚石结区分布在n型氧化镓外延层的表层中，形成终端结构；阳极位于n型氧化镓外延层上，且其两个端部分别与p型金刚石结区部分交叠；绝缘介质位于n型氧化镓外延层上，且与阳极的两端相接触。该二极管改善了氧化镓基肖特基势垒二极管反向偏压低、反向漏电流大、热效应明显、以及异质肖特基结附近电场集中效应等问题，获得了更大的功率容量以及较高的器件可靠性。
基于氧化金刚石肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法-CN201410270490.7无效
发明人：李迪;贾利芳;何志;樊中朝;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为肖特基二极管的阴极；介质钝化层形成在势垒层上，并暴露出凹槽；肖特基接触形成在介质钝化层的表面，作为肖特基二极管的阳极。本发明同时还公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管的制备方法。本发明通过刻蚀阻断部分氮化镓异质结沟道二维电子气的凹槽阳极氮化镓异质结肖特基势垒二极管，可同时获得低开启电压、低反向漏电流和高击穿电压的优秀电学特性。
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基垂直型超级结肖特基二极管及其制备方法-CN202210173476.X在审
发明人：刘超;尹健 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基垂直型超级结肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括：重掺杂n型氮化镓衬底区；轻掺杂n型氮化镓漂移区，位于重掺杂n型氮化镓衬底区上方；轻掺杂n型氮化镓漂移区上设置有沟槽；沟槽侧壁，或侧壁和底面设置有重掺杂p型氮化镓层；二氧化硅层，设置于重掺杂p型氮化镓层上，并填充沟槽至与轻掺杂n型氮化镓漂移区顶部平齐；金属电极层，设置于重掺杂n型氮化镓衬底区下表面，以及轻掺杂n型氮化镓漂移区的上方。本发明能有效解决GaN垂直型超级结肖特基二极管得到深p型GaN区域的问题，不仅能提高对肖特基接触表面的保护能力，也能实现超级结器件的电荷平衡，提高器件的击穿性能并保持较好的正向特性。
一种氮化垂直超级结肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管-CN202210570829.X在审
发明人：王元刚;吕元杰;敦少博;卜爱民;韩婷婷;刘宏宇;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面依次生长氧化镓外延层、氧化镍层、介质层；基于预设斜面图形对介质层进行刻蚀处理，直至露出氧化镍层，得到梯形状斜面结构；在氧化镍层的上表面和梯形状斜面结构的内侧制备阳极；在衬底的下表面制备阴极，通过上述方法制备的氧化镓肖特基二极管，其梯形状斜面结构可以调制器件沟道的电场分布，使耗尽区沿着场板方向向外扩展，显著增大了肖特基结边缘处的曲率，缓解了肖特基结边缘处的电场集中效应。采用该方法制备的氧化镓肖特基二极管，可有效降低峰值电场，降低器件漏电，提高器件击穿电压。
氧化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]氮化镓肖特基二极管的制备方法-CN201610099349.4有效
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉积钝化层；制备氮化镓肖特基二极管的阴极；在该钝化层的中心进行干法刻蚀，形成肖特基接触孔；在该肖特基接触孔内，该钝化层的表面和该阴极的表面沉积金属钛，形成欧姆金属层；对该欧姆金属层进行光刻，刻蚀和退火处理，形成呈栅状结构的欧姆金属结构；制备氮化镓肖特基二极管的阳极；其中，欧姆金属结构呈栅状结构，且被阳极包裹。从而实现在不影响氮化镓肖特基二极管输出性能的情况下，减小肖特基结面积，从而减小肖特基接触电阻，提高氮化镓肖特基二极管的器件性能和寿命。
氮化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管-CN202110317471.5有效
发明人：罗小蓉;魏雨夕;鲁娟;杨可萌;魏杰;蒋卓林;王元刚;吕元杰;冯志红 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且器件边缘电场集中的问题，提出一种兼具肖特基结、异质PN结以及含有变掺杂分布氟离子的钝化层终端的二极管。正向导通时，低势垒的肖特基结使器件具有低正向导通压降；反向阻断时，异质PN结屏蔽高电场，变掺杂分布的氟离子终端结构缓解电场集中效应，从而减小反向泄漏电流并增大击穿电压。本发明在钝化介质层中而不是氧化镓材料中注入氟离子，减少氧化镓材料晶格损伤对正向导通特性的影响。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具正向压降小、泄漏电流小和反向击穿电压高的优点。
一种具有终端结构氧化镓基结势垒肖特基二极管

[发明专利]带有斜场板的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN202011138083.2在审
发明人：周弘;杨蓉;雷维娜;张进成;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有斜场板的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有技术击穿电压低、可靠性差的问题。其自下而上包括欧姆阴极金属层(4)、N+氮化镓衬底层(1)、N‑氮化镓外延层(2)、P型结层(3)及肖特基阳极金属层(5)，该肖特基阳极金属层(5)两端的上方设有第一钝化介质层(6)；该肖特基阳极金属层本发明增高了氮化镓结势垒肖特基二极管的反向击穿电压，降低其反向漏电，可用于高频高功率电子设备。
带有斜场板氮化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]基于氧化镓的结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201710264497.1在审
发明人：龙世兵;何启鸣;董航;刘琦;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氧化镓的结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括衬底，由氧化镓材料制备；上漂移层，形成于衬底的上侧，由氧化镓材料制备；n型掺杂区，存在于上漂移层和下漂移层中；p‑n结势垒，形成于上漂移层中，包含n型掺杂区和p+离子掺杂区；下漂移层，形成于衬底的下侧，由氧化镓材料制备；肖特基接触电极，与上漂移层上表面的一部分相接触；氧化层，形成于上漂移层上表面，部分与肖特基接触电极的外侧相切；以及金属欧姆接触电极通过在结势垒肖特基二极管上采用氧化镓材料，其较大的禁带宽度和较高的击穿场强适合用作大功率半导体器件，且制备工艺简单，成本较低，实现与现有半导体工艺的接驳。
基于氧化结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202010494372.X有效
发明人：刘新科;利健;罗江流;王磊;贺威;林峰;黎晓华;朱德亮;吕有明 -专利权人：深圳市爱迪芯半导体有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述的一种氮化镓基结势垒肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层、p型氮化镓组块和阳极接触电极，所述p型氮化镓组块与阳极接触电极之间还设置有p+型氮化镓铝层，所述p型氮化镓组块包裹在p+型氮化镓铝层与n型氮化镓层之间。
一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种非对称电极MSM结构氧化镓紫外探测器-CN202110303309.8有效
发明人：王少青;马建博;刘祥泰;郭三栋;陈海峰 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种非对称电极MSM结构氧化镓紫外探测器，以解决现有肖特基势垒型MSM结构的氧化镓基紫外探测器中肖特基结面积与光入射面积互相制约的问题。该探测器包括衬底、氧化镓层、石墨烯层、阳极电极、阴极电极、介质增透层。氧化镓层位于衬底上表面；石墨烯层和阴极电极均位于氧化镓层上表面，且石墨烯层与阴极电极不接触；石墨烯层与氧化镓层形成异质结；阴极电极与氧化镓层形成肖特基接触；阳极电极位于石墨烯层上表面，并与石墨烯层形成欧姆接触；阳极电极与阴极电极形成叉指结构；介质增透层位于衬底、氧化镓层、石墨烯层所形成整体的外表面，介质增透层上设有电极窗口，阳极电极和阴极电极从所述电极窗口伸出。
一种对称电极 msm 结构氧化紫外探测器

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底-CN200680000560.0有效
发明人：三浦广平;木山诚;樱田隆 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(10¹2)－面XRD半峰全宽。
氮化物半导体器件外延衬底

[发明专利]一种基于纳米结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202011253021.6在审
发明人：尹以安;李佳霖;毛明华 -专利权人：迪优未来科技(清远)有限公司;华南师大(清远)科技创新研究院有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法，其包含依次设置于衬底上的n+型β‑氧化镓纳米柱、β‑氧化镓本征层、p型氮化镓纳米线阵列、阳极金属填充层以及阳极保护层，阳极金属填充层填充p型氮化镓纳米线阵列的间隙，与本征层形成肖特基接触，β‑氧化镓纳米柱水平设置于衬底上，其一端面设置与其形成欧姆接触的阴极，实现了pin结与肖特基二极管相结合，使得该微型化的肖特基二极管在保持低导通电压的同时具有低反向漏电流和耐压高的特性
一种基于纳米结构结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓超结器件-CN201310077499.1无效
发明人： S·W·比德尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓超结器件。氮化镓高电子迁移率晶体管结构允许高击穿电压并可用于大功率和/或高频切换。肖特基二极管便于高电压应用并提供快速切换。由氮化镓中的p/n结形成的超结便于高电子迁移率晶体管结构、肖特基二极管以及由晶体管结构的漏极至栅极连接形成的栅控二极管的操作。
氮化镓超结器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条