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[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202210252574.2在审
发明人：王颖慧;罗晓菊;唐金凤 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；将衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅气体，含氮气体与含硅气体反应，以于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个孔隙；停止向氢化物气相外延设备中通入含硅气体，持续向氢化物气相外延设备中通入含氮气体，并向氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，以于孔隙内及图形化掩膜层远离衬底的表面形成氮化镓层本申请通过向氢化物气相外延设备内通入含氮气体和含硅气体，即可在衬底上形成具有若干个孔隙的图形化掩膜层，无需光刻及刻蚀等工艺步骤，大大简化了工艺流程，提升了生产效率。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法-CN202210238474.4在审
发明人：罗晓菊;王颖慧;唐金凤 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；将衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅混合气体，含氮气体与含硅混合气体反应，以于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个孔隙；调整含硅混合气体的流量后，持续向氢化物气相外延设备中通入含硅混合气体及含氮气体；并向氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，以于孔隙内及图形化掩膜层远离衬底的表面形成掺杂氮化镓层上述实施例提供的制备方法不易引入新的污染，还能够简化氢化物气相外延设备的设计。
半导体结构支撑掺杂氮化及其制备方法

[发明专利]一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置-CN200610165539.8无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种或者经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体/载气通道，生成或者直接的金属卤化物通过载气携带进入氢化物气相外延炉进行氮化物材料的生长；氢化物气相外炉延生长室包括有；一外延生长室；一衬底装置设于外延生长室内，衬底装置在外延生长室外部接有调速马达；反应气体管道通过外延生长室的密封盘进入外延生长室，载气携带反应气体通过该反应气体管道进入外延生长室内，并流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一加热装置，环绕于外延生长室外。
一种独立供应金属卤化物氢化物外延装置

[发明专利]制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法-CN200910235336.5无效
发明人：胡强;段瑞飞;魏同波;杨建坤;霍自强;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤1：首先在衬底上生长一层ZnO膜；步骤2：在ZnO膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤3：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长GaN厚膜；步骤4：在氢化物气相外延系统中高温生长后，因氢化物气相外延系统中的HCl和NH3等腐蚀性气体，将ZnO膜2腐蚀，使GaN厚膜直接从衬底上脱离下来形成大尺寸的GaN自支撑衬底。
制备尺寸 gan 支撑衬底方法

[发明专利]一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法-CN201410764375.5有效
发明人：孔苏苏;李辉杰;冯玉霞;赵桂娟;魏鸿源;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备；步骤4：结束生长后，关闭氢化物源；步骤5：当反应室温度降到550℃以下，关闭氮源；步骤6：反应室温度降到室温后，取出样品。
一种氮化铝一维纳米结构材料制备方法

[发明专利]一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统-CN201010549754.4有效
发明人：修向前;张荣;华雪梅;谢自力;韩平;施毅;顾书林;胡立群;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物气相外延(HVPE)生长系统，以实现GaN基材料生长的大规模应用，可一次性生长多片大面积GaN基材料。
一种多片多源卧式氢化物外延生长系统

[实用新型]氢化物气相外延系统-CN202121448484.8有效
发明人：蔡德敏;徐琳;沈振华;张波;王建峰;徐科 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氢化物气相外延系统。所述氢化物气相外延系统包括：气相外延生长单元，其包括反应室、源气体供给机构和第一密封机构，所述源气体供给机构与所述反应室连接，所述反应室具有第一开口，所述第一密封机构与所述反应室连接并能够打开关闭所述第一开口本实用新型提供的氢化物气相外延系统，可以对外延生长的样品单独进行降温处理，从而提高了外延生长设备的利用率，提高了产出，进而降低了生产成本。
氢化物外延系统

[发明专利]一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法-CN200810100953.X有效
发明人：魏同波;段瑞飞;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN外延层的制备方法，以m面蓝宝石为衬底，用磁控溅射方法沉积ZnO缓冲层，再用氢化物气相外延方法生长低温GaN保护层，之后升温到高温，在NH₃气氛中退火，最后使用氢化物气相外延快速生长GaN厚膜。本发明的非极性m面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性LED、LD等光电器件的制备。
一种蓝宝石衬底生长极性 gan 方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202110048560.4在审
发明人：罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：包括：提供衬底；于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；采用氢化物气相外延工艺于图形化掩膜层的表面形成牺牲层；包括：将形成有图形化掩膜层的所述衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括氯化氢及氨气的反应气体，氯化氢的气体流量恒定，氨气的气体流量在预设范围内呈连续性变化；于牺牲层上形成半绝缘掺杂厚膜氮化镓层。本申请可以使得牺牲层在刚开始外延生长时保持较高质量，并在后续外延过程中增大横向外延，减少凹坑缺陷的形成，为后续形成半绝缘掺杂厚膜氮化镓层提供高质量少凹坑缺陷的晶种衬底。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202110049797.4在审
发明人：王颖慧;罗晓菊;特洛伊·乔纳森·贝克 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：包括：提供衬底；于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；采用氢化物气相外延工艺于图形化掩膜层的表面形成牺牲层；包括：将形成有图形化掩膜层的所述衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括氯化氢及氨气的反应气体，氯化氢的气体流量恒定，氨气的气体流量在预设范围内呈连续性变化；于牺牲层上形成N型掺杂厚膜氮化镓层。本申请可以使得牺牲层在刚开始外延生长时保持较高质量，并在后续外延过程中增大横向外延，减少凹坑缺陷的形成，为后续形成N型掺杂厚膜氮化镓层提供高质量少凹坑缺陷的晶种衬底。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]可实现氮化物晶体同质外延的气相外延沉积装置-CN201110341401.X无效
发明人：甘志银 -专利权人：甘志银
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：可实现氮化物晶体同质外延的气相外延沉积装置，包括一金属氯化物供应腔和一气相外延反应腔，其中供应腔外部设有加热装置和通气管道，内部设有一石英舟以放置金属源；气相外延反应腔上部设有一个反应气体进气装置，内部设有载片盘以放置衬底材料本发明的优点是载片盘上、下方设置加热装置改变反应腔内的温度梯度分布，结合氢化物气相外延与金属有机物化学气相外延各自的优点，在同一个反应腔内实现氮化的氢化物外延与金属有机物外延，实现厚膜及薄膜的外延生长，从而实现同质外延；本方法也可以单独用于通过反应腔内的温度梯度改变而改善独立的金属有机物外延工艺，改进氮化物晶体的质量，提高器件性能。
实现氮化物晶体同质外延沉积装置

[发明专利]一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器-CN202011466005.5有效
发明人：余盛杰;汪洋;潘影;刘佳宝;柴攀;万强 -专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日： 2020-12-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅过渡层，硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层，TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。
一种用于氢化物外延生长氮化蒸发器

[发明专利]氢化物气相外延装置-CN201110377192.4无效
发明人：甘志银 -专利权人：甘志银
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：氢化物气相外延装置，包括一气相外延反应腔，反应腔上部设有进气装置，进气装置下方设有一石英舟，反应腔下部设有载片盘，载片盘下方和上方设有加热装置，载片盘下方的加热装置与反应区由载片盘支撑隔开，反应腔底部设有排气口本发明的优点是可在一个反应腔内生成金属氯化物并进行材料的外延生长，结构简单；载片盘上方和下方的加热装置可调节反应腔内部的温度梯度分布，从而改进材料的晶体质量；该装置设计方案具有可扩展性，并可与金属有机化合物气相外延设备结合使用
氢化物外延装置

[实用新型]氢化物气相外延装置-CN201120472255.X有效
发明人：甘志银 -专利权人：甘志银
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：氢化物气相外延装置，包括一气相外延反应腔，反应腔上部设有进气装置，进气装置下方设有一石英舟，反应腔下部设有载片盘，载片盘下方和上方设有加热装置，载片盘下方的加热装置与反应区由载片盘支撑隔开，反应腔底部设有排气口本实用新型的优点是可在一个反应腔内生成金属氯化物并进行材料的外延生长，结构简单；载片盘上方和下方的加热装置可调节反应腔内部的温度梯度分布，从而改进材料的晶体质量；该装置设计方案具有可扩展性，并可与金属有机化合物气相外延设备结合使用
氢化物外延装置

[发明专利]氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置-CN201910950458.6在审
发明人：蔡德敏;徐琳;沈振华;张波;徐科;王建峰 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置，其中，所述氢化物气相外延用的浮舟包括：舟体、连接于所述舟体上的进气管；所述舟体内部具有气体输送通道，该气体输送通道的进气口和出气口延伸至所述舟体的表面上，本发明的氢化物气相外延用的浮舟能够浮在液体生长源的表面，随着反应的进行，跟随液体生长源的液面下降，保证了氯化氢与液体生长源的充分反应。
生长源舟体氢化物气相外延出气口进气口气体输送通道进气管液面下降氯化氢体内部延伸保证

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