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[发明专利]激光键合方法和具有激光键合连接部的微机械设备-CN201811567334.1在审
发明人： J·赖因穆特;M·兰巴赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械设备，具有带着MEMS键合框的MEMS构件和带着罩键合框的罩构件，其中，MEMS构件和罩构件形成至少一个共同的空腔，其中，MEMS键合框和罩键合框在键合面上彼此贴靠。本发明的核心在于，MEMS键合框和/或罩键合框具有呈至少一个凹槽的形式的键合框结构化部并且两个键合框借助于由键合框的材料和/或罩键合框的材料形成的熔化部相互连接，其中，凹槽至少部分地填充以熔化部。本发明也涉及一种微机械构件，具有带着键合面的键合框，其中，键合框具有呈至少一个凹槽的形式的键合框结构化部，该键合框结构化部延伸至键合面。本发明也涉及一种用于借助激光键合制造微机械设备的方法。
键合微机械设备激光键合框结构熔化罩构件微机械构件材料形成键合面空腔贴靠填充延伸制造

[发明专利]半导体装置-CN202110020961.9在审
发明人：佐野努;丸山一哉;高久悟;铃谷信人 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有：衬底，设置着第1端子、第2端子、及多个第3端子；1个以上的半导体存储芯片，具有多个第1垫、多个第2垫、及多个第3垫；第1键合线，将第1端子与多个第1垫电连接；第2键合线，将第2端子与多个第2垫电连接；多条第3键合线，将多个第3端子与多个第3垫电连接；第4键合线，跨多条第3键合线中的至少1条，在多个第1垫上与第1键合线连接；或/及第5键合线，跨多条第3键合线中的至少1条，在多个第2垫上与第2键合线连接。
半导体装置

[发明专利]一种铜带键合的车用功率模块-CN202211718390.7在审
发明人：凌曦;陈烨;姚礼军;刘志红;沈莉;俞张平;周智阳 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种铜带键合的车用功率模块，包括一壳体，壳体内设有，散热铜基板；陶瓷覆铜板，设于散热铜基板上；功率芯片，设于陶瓷覆铜板上，功率芯片正面的功率极通过银浆烧结工艺连接有铜箔，铜箔通过键合设置的铜带与陶瓷覆铜板正面的功率电路区域连接；键合电阻，功率芯片正面的信号极和键合电阻通过键合设置的金属线连接，键合电阻通过键合设置的金属线与陶瓷覆铜板正面的信号电路区域连接。本发明通过采用铜带键合的方式连接功率电路，增大了模块的过电流能力，并且有效提高了键合机械强度。
一种铜带键合用功模块

[发明专利]一种三维集成芯片-CN202111026951.2在审
发明人：任奇伟;左丰国;周骏;郭一欣;江喜平 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种三维集成芯片，其中三维集成芯片包括：第一可编程阵列组件，包括第一键合区域；第一存储阵列组件，包括第二键合区域；第二存储阵列组件，包括第三键合区域；其中，第一键合区域与第二键合区域键合连接，第二键合区域与第三键合区域键合连接，以将第一可编程阵列组件、第一存储阵列组件以及第二存储阵列组件键合。以此拓展第一可编程阵列组件的存储空间，并通过三维键合技术将第一可编程阵列组件、第一存储阵列组件以及第二存储阵列组件键合，降低互连距离，实现存储访问的高带宽、低功耗，解决现有技术中存在的存储墙问题。
一种三维集成芯片

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201911185772.6在审
发明人：李乔伟;梁斐;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种键合结构及其制造方法，在待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于待键合芯片的侧边缘，在待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片，裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层时，利用待键合芯片中的封装垫层，将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层，以获得晶圆结构。该方法利用封装垫层将待键合芯片与待键合晶圆上的裸片键合形成晶圆结构，待键合芯片可以选择没有缺陷的产品，相较于晶圆与晶圆的键合，避免晶圆上有缺陷的芯片间的键合，提高产品的良率，进而降低制造成本。
一种结构及其制造方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202310956460.0在审
发明人：冯一恒;单庆山;黄寅虎;杨盛际;白枭;和永红;张大成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：键合衬垫，位于绑定区，且与外接驱动电路板绑定。键合衬垫与多条走线都位于衬底内。至少一个子像素通过位于衬底内的多条走线与键合衬垫电连接。多个键合孔，位于衬底内，且延伸至衬底靠近驱动电路板一侧的表面。多个键合互联线，位于键合衬垫的一侧，键合衬垫与多个键合互联线通过多个键合孔电连接。根据本申请实施例，可以避免键合衬垫与驱动电路板电连接后出现键合不良的问题并降低电连接后的阻抗。
显示面板显示装置

[发明专利]一种Micro-LED的转移基板及其制备方法-CN202010462205.7有效
发明人：翟峰;唐彪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：通过在键合胶层表面上形成多个键合胶凸起，所述键合胶凸起可形变并用于与Micro‑LED键合连接，分散了由于所述键合胶与翘曲的外延生长基板上的Micro‑LED进行压制键合而产生的内应力，降低了键合胶层受到的应力，使得Micro‑LED与转移基板进行临时键合时，键合胶能够更完整的粘着Micro‑LED，减小由于外延生长基板翘曲导致的临时基板中心与外围的键合胶的粘力差异，使得外延生长基板上的Micro‑LED都能与转移基板上的键合胶键合，消除了键合环现象。
一种 micro led 转移及其制备方法

[发明专利]基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置-CN201110343625.4有效
发明人：毛旭;方志强;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置，该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组，其中：真空腔室，用于提供键合所需的真空或惰性气氛；键合装置，位于真空腔室内部的支架平台上，用于对待键合圆片提供键合压力，并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路；电流源，通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连，为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流，实现局域电阻加热；真空泵组，连接于真空腔室底部本发明提供的键合系统及装置，结构紧凑，制作和组装简单，在高真空或可控惰性气体中完成键合，可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响。
基于局域加热技术圆片级低温系统装置

[发明专利]一种控制声表面波器件引线键合点根部微损伤的键合方法-CN201711147093.0在审
发明人：吴燕;陈台琼;刘冬梅 -专利权人：中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制声表面波器件引线键合点根部微损伤的键合方法，引线通过劈刀实现与待键合对象的键合连接，引线在第一键合点键合后，劈刀抬升带动引线到达第二键合点并进行键合，第二键合点高于第一键合点。所述引线为硅铝丝，直径小于50um；劈刀键合时需要施加垂直于键合面的向下的压力，所述压力不超过40g，键合时间不超过30s，超声功率的大小以键合点硅铝丝形变宽度为硅铝丝本身直径的1.2‑2倍进行控制。本方法能够解决声表面波器件硅铝丝键合根部微损伤，提高器件的键合可靠性。
一种控制表面波器件引线键合点根部损伤方法

[实用新型]半导体键合结构、显示器件及发光装置-CN202320887629.7有效
发明人：姜建兴;毛学 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体键合结构、显示器件及发光装置，涉及半导体键合技术领域。半导体键合结构包括第一芯片和第二芯片，第一芯片设置有第一键合面，第二芯片设置有第二键合面，所述第一键合面和所述第二键合面中至少有一个设置有凹陷部，所述凹陷部内设置有键合层，所述键合层与所述第一键合面和所述第二键合面分别连接，以实现所述第一芯片和所述第二芯片键合。本申请提供的半导体键合结构能够改善芯片焊接过程中，对焊机定位精度要求较高的问题。
半导体结构显示器件发光装置

[实用新型]一种半导体器件-CN201820818482.5有效
发明人：张乃千;陈明辉;吴星星 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：在半导体器件的制造过程中，通过在器件无源区上形成金属焊盘，并在金属焊盘上形成键合标记。这些键合标记就可以作为引线键合过程中，需要键合连接的位置的标记，可以通过键合标记确定器件上需要与外部结构连接的具体位置，使得引线键合中引线在器件上的键合位置可以确定，提高引线键合的准确性。
半导体器件引线键合键合金属焊盘半导体技术领域本实用新型标记确定键合连接键合位置外部结构制造过程无源区

[发明专利]一种固相键合连接方法-CN202011547883.X在审
发明人：范金虎;徐鹏;姚育成;吕辉 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种固相键合连接方法，对基体待键合表面进行表面处理后沉积一层厚度为5μm～20μm的钝化膜；将两个沉积有钝化膜的基材相向堆叠后加载机械压力，在压力状态下引燃钝化膜，引发钝化膜的自蔓延反应，利用反应的瞬时高温高热加速键合界面扩散在较低温度下实现良好的固相键合。本发明提供的固相键合连接方法，既能实现可靠的低温键合又能在空气中直接键合，既能键合同种材料也适合于异种材料的连接，使得人们在得到可靠的键合的同时，降低生产成本、提高生产效率、简化键合工艺。
一种固相键合连接方法

[发明专利]晶片键合结构及其制作方法-CN202111003008.X在审
发明人：王涛;胡思平;王家文;黄诗琪;朱继锋;陈俊;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请公开了晶片键合结构及其制作方法。该晶片键合结构的第一键合层和第二键合层彼此接触以提供第一晶片和第二晶片彼此键合，第一键合层和第二键合层的接触面为键合面，第一晶片的第一导电通道和第二晶片的金属图案彼此连接以提供所述第一晶片和所述第二晶片之间的电连接，第一晶片的第一伪通道和第二晶片的金属图案彼此接触以提供所述第一晶片和所述第二晶片之间的机械连接，所述第一导电通道的横向尺寸大于所述第一伪通道的横向尺寸。该晶片键合结构在第一晶片形成的伪通道可以改善第一晶片和第二晶片之间键合面的图案分布，从而提高键合强度和可靠性。
晶片结构及其制作方法

[发明专利]晶片键合结构及其制作方法-CN201910250069.2有效
发明人：王涛;胡思平;王家文;黄诗琪;朱继锋;陈俊;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请公开了晶片键合结构及其制作方法。该晶片键合结构的第一键合层和第二键合层彼此接触以提供第一晶片和第二晶片彼此键合，第一键合层和第二键合层的接触面为键合面，第一晶片的第一导电通道和第二晶片的金属图案彼此连接以提供所述第一晶片和所述第二晶片之间的电连接，第一晶片的第一伪通道和第二晶片的金属图案彼此接触以提供所述第一晶片和所述第二晶片之间的机械连接，所述第一导电通道的横向尺寸大于所述第一伪通道的横向尺寸。该晶片键合结构在第一晶片形成的伪通道可以改善第一晶片和第二晶片之间键合面的图案分布，从而提高键合强度和可靠性。
晶片结构及其制作方法

[发明专利]一种提升引线键合精度的楔形劈刀结构-CN202110847957.X有效
发明人：贾斌;王辉;庞婷;文泽海;张平升;董东;李慧;李悦;徐榕青;毛小红;董江;伍泽亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种提升引线键合精度的楔形劈刀结构，包括刀柄、与刀柄一端连接的刀头；所述刀头上设置有键合引线过孔，所述键合引线过孔包括设置在刀头侧面的导向孔、与导向孔连通的椭圆通孔本发明有效的限制键合引线水平方向可移动的范围，避免键合引线在键合引线过孔中发生偏移；可使键合过程中键合引线始终处于劈刀刀头端面正中；有效的提升键合引线键合的精度。
一种提升引线精度楔形劈刀结构

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