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[发明专利]一种变形镜-CN202210407183.3在审
发明人：李金潮;杨晋玲 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B26/06 文献下载
摘要：本公开提供一种变形镜，包括基座9、驱动机构、镜面1，驱动机构包括多个驱动柱13，多个所述驱动柱13呈阵列化排布于所述基座9上，并且每一所述驱动柱13的底部与所述基座9进行紧配；所述镜面1上下表面镀有反射膜，所述镜面1的下表面通过极头2与所述驱动柱13的顶端柔性粘接。本公开提供的变形镜可实现高精度的大行程低阶像差校正和小行程高阶像差校正，同时，兼具高工作频率。本公开通过优化的变形镜结构和驱动柱结构，确保变形镜在高工作频率下的大行程和高精度调控。显著提高了自适应光学系统性能，在大视场、宽光谱范围、大焦距变焦、精密成像自适应光学系统中具有显著优势。
一种变形

[发明专利]变形镜-CN202210352978.9在审
发明人：李金潮;杨晋玲 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B26/06 文献下载
摘要：一种变形镜，该变形镜包括：镜面，适用于反射照射到镜面上的光束；位移驱动模块，与镜面固定连接，适用于基于镜面的柔性驱动镜面在多个部位中的至少一个部位产生轴向方向的变形；以及偏转驱动模块，该偏转驱动模块包括：第一基座，位移驱动模块设置于第一基座上；以及多个偏转单元，安装在第一基座内，每个偏转单元适用于基于偏转单元在镜面的轴向方向的尺寸变化驱动位移驱动模块和镜面在镜面的轴向方向上发生偏转。
变形

[发明专利]一种用于组装变形镜的装置及变形镜组装方法-CN202210308428.7在审
发明人：李金潮;杨晋玲 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于组装变形镜的装置，该装置用于变形镜驱动器大阵列与变形镜镜面高精度装配，包括：底座；气浮轴承，设置在底座上，用于支撑变形镜镜面及为变形镜镜面提供参考平面；其中，变形镜镜面上设置多个胶点，每个胶点上设置具有弹性的黏胶；定位环，套设于气浮轴承外侧；位移台，位于定位环上，且与定位环可拆卸连接；驱动器支撑座，设置于位移台内，用于支撑驱动器阵列；其中，通过调节位移台使驱动器阵列垂直向下或向上移动，使得驱动器阵列的粘接端与多个胶点一一对接，完成驱动器支撑座、驱动器阵列及变形镜镜面的组装。本公开还提供了一种变形镜的组装方法。
一种用于组装变形装置方法

[发明专利]一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器及其阵列-CN202210291742.9在审
发明人： 杨晋玲;刘文立;逯玉洁;赵俊元;朱银芳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器，包括：第一谐振单元，其为环形结构；第一支撑单元，其一端与第一谐振单元连接，另一端与第一基座连接；其中，第一支撑单元的长度等于该静电式MEMS谐振器谐振波长的四分之一；对电极，包括：第一电极及第二电极，第一电极位于第一谐振单元的内侧，第二电极位于第一谐振单元的外侧；其中，第一电极及第二电极分别与第一谐振单元通过第一间隙层间隔设置。本公开还提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器阵列。
一种动态电阻静电 mems 谐振器及其阵列

[发明专利]变形镜的设计方法-CN202310473329.9在审
发明人： 杨晋玲;李金潮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本公开提供一种变形镜的设计方法，包括：根据目标行程要求，确定变形镜的镜面和促动器的结构参数范围；构建变形镜仿真模型，获得各个促动器的影响函数；通过将各个促动器的影响函数代入高精度电压迭代算法，反复优化各个促动器的控制电压，获得初始拟合面形；以及对所述初始拟合面形进行效果评估并进行结构优化，获得拟合效果最佳的变形镜结构，完成变形镜的设计。
变形设计方法

[发明专利]基于电化学腐蚀的MEMS谐振器频率修调方法-CN202010226174.5有效
发明人：王天昀;杨晋玲;陈泽基;贾倩倩;袁泉;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：一种基于电化学腐蚀的MEMS谐振器频率修调方法，该方法包括将MEMS谐振器与金属电极相连后放入电解质溶液中，其中，金属电极与MEMS谐振器的谐振单元在电解质溶液中形成原电池，使谐振单元发生电化学腐蚀反应形成多孔结构，从而改变谐振器谐振频率，达到频率修调的目的。本发明只需将具有金属电极的谐振器放入电解质溶液内，通过电化学腐蚀改变材料的力学特性达到谐振器频率的改变，具有损伤小、频率修调范围宽、简单可靠和低成本等优势，且方法操作简便，无需对谐振单元进行额外设计，可广泛适用于各类MEMS谐振器的频率修调中。
基于电化学腐蚀 mems 谐振器频率方法

[发明专利]一种温度传感器-CN202011461453.6有效
发明人：赵东艳;王于波;张鹏;张海峰;陈燕宁;王帅鹏;王峥;付振;郭彦;付登源;朱银芳;杨晋玲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;中国科学院半导体研究所;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
一种温度传感器

[发明专利]圆片级纳米针尖及其制作方法-CN202110232359.1有效
发明人：刘美杰;杨晋玲;朱银芳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01Q70/08 文献下载
摘要：本发明提供一种圆片级纳米针尖及其制作方法，方法包括：刻蚀硅基衬底，得到第一针尖原胚，其中，第一针尖原胚的最细处尺寸为微米或者亚微米尺度；对第一针尖原胚进行第一热氧化，去除第一针尖原胚的表面缺陷，刻蚀第一热氧化后的第一针尖原胚得到第二针尖原胚；对第二针尖原胚进行至少一次第二热氧化，使第二针尖原胚进入自限制热氧化阶段，直到第二针尖原胚的针尖曲率半径达到一临界值，得到圆片级纳米针尖，其中，每次第二热氧化后均对第二针尖原胚进行刻蚀。本发明通过高温热氧化工艺和低温热氧化工艺相结合的方法，先去除纳米针尖原胚的表面缺陷，再对圆片范围内的纳米针尖尺寸进行精确控制，实现了纳米针尖的高成品率规模化制作。
圆片级纳米针尖及其制作方法

[发明专利]阵列化的平面剪切模态射频微机电谐振器-CN201910088523.9有效
发明人：陈泽基;阚枭;王天昀;袁泉;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列化的平面剪切模态射频微机电谐振器，包括：配置为工作在平面剪切模态下的谐振单元，该谐振单元的顶角处的振动幅度最大，且边缘处具有位移节点，与配置为工作在长度拉伸模态的耦合梁，共同组成阵列式谐振结构；支撑梁，一端与阵列式谐振结构中谐振单元边缘处的位移节点相连，另一端固定在一基座上，实现谐振结构的悬空；驱动/检测电极，配置于谐振单元侧面，通过一介质层与谐振单元相隔，该介质层，为谐振单元与电极之间的纳米尺度间隙层，用作阵列式谐振结构的机电转换介质。本发明提供的谐振器提高了谐振结构间的能量传递，可获得大规模阵列结构，降低动态电阻，并实现自差分驱动与检测，抑制馈通信号，提取纯净谐振频谱。
阵列平面剪切射频微机谐振器

[发明专利]阵列化的分布式兰姆模态射频微机电谐振器-CN201910088450.3有效
发明人：陈泽基;阚枭;王天昀;袁泉;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列化的分布式兰姆模态射频微机电谐振器，包括：配置为工作在分布式兰姆模态下的谐振单元，该谐振单元的顶角、边缘及内部均具有位移节点，实现该谐振单元的位置固定，该谐振单元在振动过程中的总体积保持不变；耦合梁，该耦合梁与谐振单元同属分布式兰姆模态，共同组成阵列式谐振结构；支撑梁，一端与谐振结构中谐振单元顶角或边缘处的位移节点相连，另一端固定在一基座上，实现谐振结构的悬空；多电极结构，配置于谐振单元侧面，通过一介质层与谐振单元相隔，以及该介质层，用作阵列式谐振结构的机电转换介质。本发明提供的谐振器在大尺寸下保持高频率，降低工艺难度，实现动态电阻，提升Q值，保证频谱纯净，减小系统功耗。
阵列分布式兰姆模态射频微机谐振器

[发明专利]一种检测生产工况下金属薄板微缺陷的微纳器件-CN202211012250.8在审
发明人：魏丙坤;王晓东;刘文立;朱银芳;杨晋玲;倪明玖 -专利权人：中国科学院大学;中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测生产工况下金属薄板微缺陷的微纳器件，包括微纳器，所述微纳器包括壳体，壳体的上部为安装口，壳体内底部设置有印刷电路板，所述壳体内两侧对称设置有衬垫，所述衬垫下端与印刷电路板相连，对应安装口位置的壳体另外两侧内对称设置有弹簧梁组件，两个弹簧梁组件之间共同水平固装一质量块，实施质量块的中心处制有凹槽，用于限位安装有永磁体，所述质量块相对衬板两侧中部等间距排列有可移动平行极板，所述可移动平行极板、质量块和永磁铁构成活动体，且衬垫相对侧壁上等间距排列有固定平行极板，固定平行极板另一端穿插在所述可移动平行极板的间隔中。本发明可以对在生产工况下对金属薄板的微缺陷进行检测、且检测精度高。
一种检测生产工况金属薄板缺陷器件

[发明专利]微纳射频器件及其制备方法-CN202110353170.8有效
发明人：陈泽基;杨晋玲;袁泉;刘文立;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种微纳射频器件及制备方法，方法包括：在SOI片上生长隔离层；图形化隔离层，以在SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环；在谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层；去除电极引线、信号屏蔽层及封装环表面的隔离层，在SOI表面生长一层导电层，对导电层图形化，保留电极引线、信号屏蔽层、封装环部分上的导电层，以及在谐振单元与电极引线之间形成输入电极及输出电极；去除谐振单元表面的隔离层及SOI片上正对谐振单元的绝缘层。该方法可在微纳射频器件谐振单元侧壁制备微纳级间隔层，进而实现微纳级电容间隙，突破微纳射频器件机电转换效率低、驱动电压高等技术瓶颈，且制备垂直引线结构，可实现低寄生、小尺寸封装。
射频器件及其制备方法

[发明专利]一种微机械谐振器的制备方法-CN202111184437.1在审
发明人： 杨晋玲;逯玉洁;朱银芳;刘文立;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明提供一种微机械谐振器的制备方法，其包括以下步骤：获取衬底结构，所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部；在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化，呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设置；淀积第一多晶硅并图形化，对应所述谐振部以及所述两个所述电极部形成有谐振结构、输入电极以及输出电极，其中，所述输入电极以及所述输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；释放所述谐振结构下的所述牺牲层，获得谐振器晶片；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述谐振器晶片，形成MEMS谐振器。保证真空气密性，整体工艺流程简单可靠，可实现高精度、高质量、大批量低成本制备。
一种微机谐振器制备方法

[发明专利]一种MEMS谐振器制备方法-CN202111184562.2在审
发明人： 杨晋玲;刘文立;朱银芳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS谐振器制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的输入电极、谐振结构以及输出电极，其中，所述输入电极以及输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；自所述电容间隙，腐蚀去除处于所述谐振结构下的所述埋氧层；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述封装环，形成MEMS谐振器。在本发明提供的技术方案中，利用顶硅层定义谐振结构、电极、电容间隙及封装环，并将埋氧层作为牺牲层，释放后使得谐振结构悬空；工艺流程简单可靠，提高MEMS谐振器的成品率。
一种 mems 谐振器制备方法

[发明专利]镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针-CN202110787431.7在审
发明人： 杨晋玲;刘美杰;朱银芳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G01Q70/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针，制备方法包括：在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜；形成针尖原胚结构和补偿结构；锐化针尖；背面各向异性深刻蚀体硅层；正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层；去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层，形成基座和悬臂梁；在针尖的表面镀膜，形成镀膜针尖，完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法，实现了探针的可靠制备，该方法操作简单、可靠；通过优化薄膜沉积条件，实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积，可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。
镀膜探针圆片级制备方法

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