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[发明专利]小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法-CN202211641308.5在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法，包括以下步骤：通过临时键合胶将磷化铟晶圆胶结在临时载片的中心位置；将胶结在临时载片上的磷化铟晶圆和8寸的硅晶圆进行化学机械抛光，并去除表面铜层，使晶圆的铜柱的高度低于晶圆的表面；对磷化铟晶圆进行光刻工艺，并在临时载片上反刻有标记；键合机依据标记识别磷化铟晶圆，将磷化铟晶圆与硅晶圆实现键合，并保证磷化铟晶圆的铜柱与硅晶圆的铜柱互连；加热去除临时载片本发明有效实现了小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合，同时保证了铜柱互连问题，降低了磷化铟晶圆在进行CMP、光刻和键合等过程中碎片的风险，降低了磷化铟晶圆的应用成本。
尺寸磷化铟晶圆寸硅晶圆异质键合方法

[发明专利]一种晶体管集成的方法-CN201610801249.1在审
发明人：吴立枢;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是一种磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管集成的方法，包括以下步骤（1）盐酸清洗磷化铟异质结双极型晶体管圆片和临时载片；（2）通过临时粘接材料键合；（3）将磷化铟衬底去除；（4）将硅金属氧化物半导体场效应晶体管圆片与磷化铟异质结双极型晶体管圆片通过BCB对准键合；（5）去除临时载片和临时粘接材料；（6）在集成的圆片上旋涂光刻胶光刻出刻蚀图形；（7）以光刻胶为掩膜刻蚀出BCB通孔优点利用外延层剥离转移的方法来实现磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管在同一圆片上的集成，打破了半导体材料的固有限制，同时提高了集成度。
一种晶体管集成方法

[发明专利]一种用于GDMS检测的高纯电解锰样品的制备方法及高纯电解锰样品杂质分析方法-CN202010752644.1在审
发明人：吴景晖;缪成旭;宋彦明;姚力军 -专利权人：宁波创润新材料有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G01N30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于GDMS检测的高纯电解锰样品的制备方法，包括以下步骤：S1、首先分别取两粒铟放在聚四氟乙烯模具中，施加压力将两粒铟均压成圆片，即得A铟片和B铟片，取A铟片在中间挖出圆孔；S2、分别将A铟片和B铟片洗净后，用镊子夹取B铟片，吹干后备用；S3、将电解锰样品切割成块状，并以电解锰样品的溅射面向上放进聚四氟乙烯杯子中，洗净后，用镊子夹取电解锰样品，吹干后以电解锰样品的溅射面向上放在B铟片上，用镊子夹取A铟片，吹干后放在电解锰样品的溅射面上，将A铟片和B铟片压制结合，且A铟片和B铟片的直径均大于电解锰样品的对角线长度。
一种用于 gdms 检测高纯电解锰样品制备方法杂质分析

[实用新型]一种通过键合实现的新型晶圆片-CN201220002239.9有效
发明人：杨继远 -专利权人：杨继远
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种通过键合实现的新型晶圆片，其特征在于：包括蒸镀有反射层的外延片，反射层下蒸发设置金(Au)层；经过镜面抛光的硅片表面蒸发设置一定厚度的金层和铟(In)层，铟(In)层上面与反射层下蒸发设置金(Au)层键合连接；通过铟(In)层键合，实现外延片和硅片的成型连接。本实用新型新型晶圆片可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。
一种通过实现新型晶圆片

[发明专利]一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法-CN201510968344.6有效
发明人：王向峰;任志英;张生孔;陈盈 -专利权人：福州大学
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法，将锑化铟样片低温恒温器中，待温度稳定后，将入射线偏振太赫兹波经一线偏振片提高偏振度，聚焦后照射至锑化铟样片的表面，并将一可调稳定的磁场垂直加载于锑化铟样片根据入射太赫兹的频率，通过调整磁场的入射加载方向以及大小，完成太赫兹圆偏振光的获取。本发明所提出的一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法，具有调制频率宽、圆偏振出射完美以及偏振器件可调谐的优点。
一种基于窄带半导体锑化铟赫兹偏振光产生方法

[发明专利]一种磷化铟背孔的制作方法-CN201611154073.1有效
发明人：常龙;程伟;王元 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形本发明优点：解决了磷化铟深孔刻蚀的难题，背孔形貌、刻蚀重复性、一致性都很好，同时工艺简单，能与砷化镓工艺兼容，适合大规模推广应用。
一种磷化铟背孔制作方法

[发明专利]超薄电镀金刚石切割片制备方法-CN201910694968.1在审
发明人：蒋燕麟;秦丽芳 -专利权人：中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C25D15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄电镀金刚石切割片制备方法，采用在1mm厚度的钢环基体上压制出0.5mm厚度的环形铟片作为阴极材料，将镍和金刚石沉积在环形铟片上，在得到需要的镍度层厚度之后，再通过将钢铟体加热到200℃～300℃使环形铟片融化，从而使镍镀层和钢环基体分离，由于还有部分熔融铟附着在镍镀层上，还需用热盐酸将铟腐蚀掉，从而得到只含镍和金刚石颗粒的镍度层，然后采用激光切割对镍度层内、外圆进行修整而获得需要的尺寸和形状本发明采用电镀方式能够生产出厚度在0.01mm～0.2mm之间的超薄金刚石切割片，满足了对金刚石加工的精细要求。
超薄电镀金刚石切割制备方法

[发明专利]一种硅基液晶屏贴合固化方法-CN201110255557.6无效
发明人：代永平;范伟;董续怀;范义 -专利权人：深圳市长江力伟股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基液晶屏贴合固化方法，它包括将硅晶圆输送承载到基板正压贴合机的硅晶圆承片托上并将其真空吸附在硅晶圆承片托上；将覆盖有图案框胶的氧化铟锡玻璃输送承载到基板正压贴合机的玻璃架上并将其吸附在所述玻璃架上；使硅晶圆正对覆盖有图案框胶的氧化铟锡玻璃设置；当硅晶圆与图案框胶之间形成紧密接触时就形成了由硅晶圆、图案框胶和氧化铟锡玻璃构成的硅基液晶屏；使吸附着硅基液晶屏的硅基液晶屏承载盘接近盖板架上的透明石英玻璃直至硅基液晶屏的氧化铟锡玻璃与透明石英玻璃紧密接触
一种液晶屏贴合固化方法

[发明专利]一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法-CN201310592285.8在审
发明人：熊传兵;肖伟民;刘声龙;赵汉民 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直结构的白光LED芯片及其制造方法，包括如下步骤：在生长衬底上外延生长铟镓铝氮半导体发光薄膜，形成垂直结构的铟镓铝氮发光二极管晶圆片，在所述晶圆片的电极焊盘上形成一层掩膜层，在所述晶圆片上涂覆一层混有荧光粉的硅胶，形成一层荧光粉硅胶层，切割所述电极焊盘上的荧光粉硅胶层，使其与晶圆片台面上的其他硅胶分离，刻蚀所述电极焊盘上的掩膜层及荧光粉硅胶层，暴露出电极焊盘，对所述晶圆片划片获得单颗芯片。
一种垂直结构白光 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种利用有机熔盐法制备一维圆片形纳米硫化铟颗粒的方法-CN201510702102.2在审
发明人：张建军;陈军 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用有机熔盐法制备一维圆片形纳米硫化铟颗粒的方法，在该方法中,首先分别称取适量氯化胆碱和尿素，将两者混合碾磨成液态作为助溶剂；再称量一定量的氯化铟和硫代硫酸钠，再将氯化铟和硫代硫酸钠（加入到助溶剂中碾磨成液态然后将碾磨后的溶液装入烧杯中并放入干燥箱中，在150～250℃的条件下反应2～10h后，取出烧杯,待其自然冷却至室温,取出产物,洗涤数次,真空干燥,最后得到了具有一维圆片形的纳米硫化铟颗粒。
一种利用有机法制备一维圆片形纳米硫化颗粒方法

[实用新型]一种研磨装置-CN201921551719.9有效
发明人：廖世容;刘朝辉 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型可以提高研磨的磷化铟晶圆片的均匀性，同时可以加快研磨后从陶瓷盘上取下磷化铟晶圆片的速度。
一种研磨装置

[发明专利]锑化铟芯片的制备方法-CN202011383350.2在审
发明人：郑律;马可军;俞振中;门楠;陈占胜 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法，该制备方法包括：制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置本申请的有益之处在于提供了一种能有效克服分凝系数以及加工误差带来的良率问题的锑化铟芯片的制备方法。
锑化铟芯片制备方法

[发明专利]一种四频差动激光陀螺圆型法拉第偏频组件封接方法-CN201410142803.0有效
发明人：于文东;李龙;陈林峰;吕晚成 -专利权人：中国航空工业第六一八研究所
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明属于激光陀螺技术，涉及一种四频差动激光陀螺圆型法拉第偏频组件的封接方法。本发明四频差动激光陀螺圆型法拉第偏频组件的封接方法先在四频差动激光陀螺圆型法拉第偏频组件待连接处依次镀鉻层、铜层、镍层和金层，然后装配中间永磁体B和旋光片，并在真空熔封中间永磁体B和旋光片，然后进行装配整体组件，再在真空炉中进行铟扩散，使铟均匀扩散并冷却后实现无污染、高强度封接。
一种差动激光陀螺圆型法拉第组件方法

[发明专利]一种研磨装置和研磨方法-CN201910881765.3在审
发明人：廖世容;刘朝辉 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明可以提高研磨的磷化铟晶圆片的均匀性，同时可以加快研磨后从陶瓷盘上取下磷化铟晶圆片的速度。
陶瓷盘研磨密封圈研磨装置晶圆片连接管磷化铟真空罩定位机构夹持机构研磨机构定位柱均匀性真空泵开孔取下通孔

[发明专利]磷化铟扩散方法-CN201710401346.6有效
发明人：于浩;张宇;陈宏泰;车相辉;王晶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟扩散方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，进行表面保护，继续升温并恒温保持一段时间；通入二甲基锌流量调节至所需值，控制MOCVD设备的温度进行线性下降，进行锌扩散；温度降至430℃‑470℃以下时切断保护气体，在氢气气氛下降温至室温，氢气气氛转换为氮气后取出所述圆片。所述方法可以精确控制不同扩散深度的扩散浓度，达到圆片表面2e¹⁸高空穴浓度，圆片内部5e¹⁷低空穴浓度，扩散均一性稳定，适用于大批量生产。
磷化扩散方法

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