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[实用新型]一种集成式散热基板-CN201020614218.3无效
发明人：席俭飞;潘世强 -专利权人：西安麟字半导体照明有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种集成式散热基板，包括散热基板以及绝缘层，集成式散热基板的电极设置在绝缘层上，通过引线和凸起连接，散热基板的材料是铜、铝、陶瓷、铜钼、铜钨、铜-铜钼合金-钼或者铜-铜钨合金-钼。
一种集成散热

[发明专利]铜箔基板及其制作方法-CN201611095931.X在审
发明人：何明展;徐筱婷 -专利权人：臻鼎科技股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C25D5/56 文献下载
摘要：一种铜箔基板的制作方法，其包括如下步骤：提供一基板；对所述基板进行表面氧化处理，以在该基板的表面形成含有活泼氢的官能团；在所述经表面氧化处理后的基板的表面形成钛钨层；在所述钛钨层的表面形成铜层。本发明的铜箔基板的制作方法制得的铜箔基板的基板与铜层之间设置有钛钨层，该钛钨层与基板及铜层之间均具有较强的结合力，从而使铜箔基板的铜层与基板之间具有较强的结合力。另，本发明还提供一种应用所述铜箔基板的制作方法制得的铜箔基板。
铜箔基板基板钛钨层铜层表面形成表面氧化处理结合力制作活泼氢应用

[发明专利]一种钨铜复合材料的激光增材制备方法-CN202110158539.X有效
发明人：刘嘉斌;谢宏斌;王宏涛;方攸同 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B22F10/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种无限厚度钨铜复合材料的激光增材制备方法，使用铜基板、铜粉、钨粉为原材料，采用激光增材系统，激光采用多束光汇聚成平顶光模式，钨粉和铜粉采用熔覆头中心同步交替送粉形成光包粉的空间组合，在铜基板上交替形成钨铜合金层、铜层。在合金化阶段，钨粉送出，纯铜表面的铜熔化和钨粉合金化形成钨铜合金层。而在铜层熔覆阶段，只铜粉送出，通过在钨铜合金化层逐行熔覆铜，形成铜沉积层。本发明将激光熔覆和激光合金化技术有机组合起来，且把钨铜密度差变成了优势，静磁场的磁滞效应抑制熔池中的钨颗粒的运动。使得激光增材制备的钨铜复合层能通过多层累积能够实现大尺寸部件制备。
一种复合材料激光制备方法

[实用新型]一种氮化铝铜金属化陶瓷基板-CN202221426323.3有效
发明人：刁亚权 -专利权人：苏州茜恩特种陶瓷有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝铜金属化陶瓷基板，包括氮化铝陶瓷板；氮化铝陶瓷板：其上表面设有钨金属层，钨金属层的上表面电镀有铜金属化层；其中：所述氮化铝陶瓷板和钨金属层结合处的横截面为台阶形；其中：所述加固单元包括弧形凸板和弧形凹槽，所述弧形凸板分别横向均匀设置于钨金属层的下表面，氮化铝陶瓷板的台阶面设有与弧形凸板一一对应的弧形凹槽，该氮化铝铜金属化陶瓷基板，能够大大提高氮化铝铜金属化陶瓷基板的可靠性，避免了氮化铝铜金属化陶瓷基板在使用时出现分层的情况，降低氮化铝铜金属化陶瓷基板结合处的应力，大幅度增强氮化铝铜金属化陶瓷基板结合处连接强度。
一种氮化金属化陶瓷

[发明专利]LED芯片封装基板结构-CN201210116480.9无效
发明人：胡民浩;高辉 -专利权人：陕西唐华能源有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片封装基板结构。目前的LED芯片封装技术主要是采用凹型铜基板并覆盖以胶体使表面与外围的铜基板相平，部分光被胶体和基板板材阻挡，热量无法快速传递出去，色温质量下降，加快芯片老化。本发明在无氧铜基板表面嵌设钨铜合金嵌板，钨铜合金嵌板表面设置阵列凸台，阵列凸台顶面设置LED裸片；钨铜合金嵌板表面的凸台台下部分设置电路层；钨铜合金嵌板与电路层之间夹设微米级的超薄陶瓷绝缘层；LED裸片外罩设封装胶体透镜本发明的LED芯片高出电路层，配以胶体透镜覆盖LED芯片，有效的将光向最大角度发散出去；无氧铜基板和钨铜合金嵌板的组合，有效提高了散热效率，延长了使用寿命。
led 芯片封装板结

[发明专利]一种W/Cu功能梯度材料及其制备方法-CN201910158324.0在审
发明人：周燕;文世峰;甘杰;段隆臣;杨展;方小红;谭松成 -专利权人：中国地质大学（武汉）;武汉华科三维科技有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： B22F3/11 文献下载
摘要：本发明中的W/Cu功能梯度材料的结构一面为纯钨基板，另一面为纯铜基板，两基板之间由多孔钨骨架渗铜形成梯度材料进行连接，其中的多孔钨骨架由3D打印进行制备，然后通过渗铜法制得多孔钨骨架渗铜梯度材料；该梯度材料所含元素及质量百分含量为本发明采用数字化增材制造技术能快速地成形具有多孔隙地钨骨架复杂结构，且能准确地控制钨骨架孔隙的均匀分布、质量的梯度分布，为制备严格意义上的W/Cu功能梯度材料提供了新技术手段。
功能梯度材料制备梯度材料多孔钨骨架渗铜钨骨架基板粉末冶金领域复杂结构技术手段梯度分布两基板成形纯铜纯钨渗铜制造打印数字化

[实用新型]一种LED芯片封装基板结构-CN201220168404.8有效
发明人：胡民浩;高辉 -专利权人：陕西唐华能源有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED芯片封装基板结构。目前的LED芯片封装技术主要是采用凹型铜基板并覆盖以胶体使表面与外围的铜基板相平，部分光被胶体和基板板材阻挡，热量无法快速传递出去，色温质量下降，加快芯片老化。本实用新型在无氧铜基板表面嵌设钨铜合金嵌板，钨铜合金嵌板表面设置阵列凸台，阵列凸台顶面设置LED裸片；钨铜合金嵌板表面的凸台台下部分设置电路层；钨铜合金嵌板与电路层之间夹设微米级的超薄陶瓷绝缘层；LED本实用新型的LED芯片高出电路层，配以胶体透镜覆盖LED芯片，有效的将光向最大角度发散出去；无氧铜基板和钨铜合金嵌板的组合，有效提高了散热效率，延长了使用寿命。
一种 led 芯片封装板结

[发明专利]配线基板-CN201680016103.4有效
发明人：梅田勇治;伊藤阳彦 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明涉及配线基板。配线基板(12)是具有绝缘基板(18)、配置在该绝缘基板(18)表面的表面配线层(20、22)、以及配置在所述绝缘基板(18)内部的内部配线层(24)的配线基板(12)；绝缘基板(18)的结晶相至少以Al>3或含有Al₂O₃的化合物为主晶相，Al₂O₃的晶体粒径小于1.5μm，表面配线层和内部配线层含有铜和钨、或者铜和钼、或者铜和钨及钼，钨和钼的粒径小于1.0μm，表面配线层及内部配线层的表面粗糙度Ra小于2.5μm。
配线基板

[发明专利]一种制备氮化铝/钨铜金锡热沉的方法-CN202310207523.2在审
发明人：熊杰然;邹建;林逸敏 -专利权人：汕尾市栢林电子封装材料有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体导热材料技术领域，具体涉及到一种制备氮化铝/钨铜金锡热沉的方法。本申请的一种制备氮化铝/钨铜金锡热沉的方法，通过S1、预处理基板；S2、在基板上沉积金属化层，所述金属化层利用光刻及刻蚀形成金属化图案；S3、利用光刻技术在基板上留出金锡图形区域，并在所述金锡图形区域上电镀3～5μm金锡焊料层；S4、湿法去掉光刻胶以及光刻胶上的金锡焊料层，获得氮化铝/钨铜金锡热沉，从而实现氮化铝/钨铜金锡热沉的高精度生产，有效降低氮化铝/钨铜金锡热沉的生产成本，减少材料的浪费；同时利用光刻工艺及光刻胶剥离工艺
一种制备氮化钨铜金锡热沉方法

[实用新型]一种钨铜载体贴片夹具-CN202222886878.2有效
发明人：郑建波;常巍;吕怡凡;王伟 -专利权人：河北杰微科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H05K13/04 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种钨铜载体贴片夹具，属于芯片贴装技术领域，包括底座、基板以及真空泵；底座用于安装在工作台上，底座的上端面开设有发生腔，侧面设有与发生腔相连通的连通孔；基板安装于底座上，且位于发生腔的上方，基板与底座密封连接，基板上设有用于容纳钨铜合金的容纳槽和设于容纳槽内的吸附孔，吸附孔贯穿基板与发生腔相连通；真空泵与连通孔相连接，真空泵在发生腔内形成负压，用于固定基板与钨铜合金。本实用新型提供的钨铜载体贴片夹具，利用真空吸附的方式，使电容贴芯片拆卸简单，省时省力。
一种载体夹具

[发明专利]LED灯丝光源、LED灯丝球泡灯及其制作方法-CN201610640695.9在审
发明人：鲍锋辉;李春雷;冯杰 -专利权人：深圳市泓亚智慧科技股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED灯丝光源、LED灯丝球泡灯及其制作方法，该LED灯丝光源包括钨铜金属复合散热基板、通过磁控溅射生成在钨铜金属复合散热基板表面的高导热绝缘层、通过磁控溅射和电镀生成在高导热绝缘层表面的若干个呈阵列状排布的导电铜层、设置在每一导电铜层上的焊接锡膏层、共晶焊接在焊接锡膏层上的倒装芯片，以及盖设在倒装芯片上的微透镜。本发明采用了倒装芯片、钨铜金属复合散热基板、高导热绝缘层，再结合倒装焊接及共晶工艺实现了倒装芯片与基板间的大电流低热阻通道，具有良好散热性能；因倒装芯片的热源中心点到散热基板之间都采用高导热性能的材料，
led 灯丝光源球泡灯及其制作方法

[实用新型]一种LED灯丝光源及LED灯丝球泡灯-CN201620854267.1有效
发明人：鲍锋辉;李春雷;冯杰 -专利权人：深圳市泓亚智慧科技股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED灯丝光源及LED灯丝球泡灯，该LED灯丝光源包括钨铜金属复合散热基板、通过磁控溅射生成在钨铜金属复合散热基板表面的高导热绝缘层、通过磁控溅射和电镀生成在高导热绝缘层表面的若干个呈阵列状排布的导电铜层、设置在每一导电铜层上的焊接锡膏层、共晶焊接在焊接锡膏层上的倒装芯片，以及盖设在倒装芯片上的微透镜。本实用新型采用了倒装芯片、钨铜金属复合散热基板、高导热绝缘层，再结合倒装焊接及共晶工艺实现了倒装芯片与基板间的大电流低热阻通道，具有良好散热性能；因倒装芯片的热源中心点到散热基板之间都采用高导热性能的材料
一种 led 灯丝光源球泡灯

[发明专利]一种基于真空热熔与爆炸复合相结合的换热器的制作方法-CN201810133108.6在审
发明人：马宏昊;孙玉玲;姚达毛;李磊;沈兆武;杨明;周国安;马瑞杰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： B22D19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于真空热熔与爆炸复合相结合的换热器的制作方法，选具有一定槽型的钨板，作为基板，根据需要对槽型进行微加工；将钨板的界面清洗干净，不锈钢管预置在距离钨板的一定位置，放入特制的模具中，将覆板所用原材料铜块或铜板放在钨板和不锈钢管上，将其一起放入真空高温炉中，待加热温升至1083.4℃到1300℃之间，铜充分熔化，而不锈钢管和钨均未熔化，部分铜熔化液流入钨槽中，并同时浸没不锈钢管，在高温液体的热力作用和槽型的力学作用下，达到覆板铜与基板钨的初步复合然后用爆炸复合法扩孔，将爆炸纤维插入通道中爆炸，使得铜与钨紧密配合。
不锈钢管钨板换热器槽型熔化真空高温炉爆炸复合放入覆板基板热熔预置爆炸插入通道高温液体换热通道紧密配合力学作用热力作用复合法熔化液微加工浸没扩孔铜板铜块温升加热制作模具冷却清洗取出纤维复合

[发明专利]用于镍系铁氧体与钨铜基板的焊接方法-CN202211657896.1在审
发明人：姚星佳;李荣;王昊;贺兆昌;朱刚;俞畅;查放;刘煜文 -专利权人：安徽华东光电技术研究所有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明公开了镍系铁氧体与钨铜基板焊接领域的一种用于镍系铁氧体与钨铜基板的焊接方法，包括以下步骤：清洗镍系铁氧体和钨铜合金，在100‑150℃烘箱中烘干后，取出降至室温；将镍系铁氧体放入到真空镀膜设备中，在表面镀上金属过渡层；将钨铜合金放入到真空镀膜设备中，在表面镀上铜层；将镍系铁氧体和钨铜合金通过Sn‑Ag合金焊料在真空下进行钎焊，焊接温度为250‑300℃，升温速率为0.5‑3℃/min，保温5‑60min本发明的镍系铁氧体与钨铜合金的焊接方法，在300℃以下可以实现镍系铁氧体与钨铜合金的有效焊接，焊接层的剪切强度大于15MPa，解决了高温钎焊带来的铁氧体破裂以及性能衰减问题，同时降低了钎焊带来的应力问题
用于铁氧体钨铜基板焊接方法

[发明专利]一种陶瓷基板表面金属化的方法-CN201610182149.5有效
发明人：施士超;高小彬;贺贤汉;王松 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C25D5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷基板表面金属化的方法。具体包括：镀鈦钨铜、脱脂、酸化腐蚀、酸化处理、贴膜、下底铜镀铜、线路铜镀铜、第一次镀镍、第二次镀镍、预镀金、镀金、去膜、蚀刻、退钛钨、脱水，以及封闭。本发明通过调整陶瓷基板金属化膜系工艺，将现有的金铬层金属化膜系调整为钛钨层金属化膜系，缩短了产品生产周期，提高了产品的最终良品率，且进一步满足了客户对精细线路板(线距0.08毫米)的需求。
金属化膜陶瓷基板表面金属化镀镍铜镀镀金蚀刻产品生产周期精细线路板酸化处理酸化腐蚀陶瓷基板脱脂良品率钛钨层铬层去膜贴膜钨铜线距钛钨脱水封闭客户

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