“钛钨”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果178835个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]钨钛靶材的车削方法-CN201510315997.4在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;马松 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B23B1/00 文献下载
摘要：一种钨钛靶材的车削方法，包括：提供钨钛靶材和背板；将所述钨钛靶材和背板焊接在一起，形成钨钛靶材组件；采用第一刀具对所述钨钛靶材组件中的所述钨钛靶材进行第一车削，所述第一刀具切削刃的夹角为80°；在所述第一车削后，对所述钨钛靶材组件的所述背板进行加工；在对所述钨钛靶材组件的所述背板进行加工后，采用第二刀具对所述钨钛靶材的坯料进行第二车削，所述第二刀具切削刃的夹角为35°～55°。所述车削方法以提高所形成的钨钛靶材的质量，并且减缓刀具的磨损。
钨钛靶材车削方法

[发明专利]钨钛靶材的制造方法和钨钛靶材组合的制造方法-CN201210374822.7有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了钨钛靶材的制造方法和钨钛靶材组合的制造方法。其中，所述钨钛靶材的制造方法包括：在模具中装入钨粉和钛粉的混合粉末；对所述混合粉末进行冷压成型处理，形成钨钛靶材坯料；将所述钨钛靶材坯料进行真空热压烧结处理，形成钨钛靶材。本发明所公开的钨钛靶材的制造方法通过冷压成型处理和真空热压烧结及相关工艺参数的设定，制得的靶材致密度大于或者等于99%的钨钛靶材，并且所获得的钨钛靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
钨钛靶材制造方法组合

[发明专利]用于NOx去除的钒/钨/二氧化钛催化剂及其制备方法-CN201210159618.3有效
发明人：李康弘;南承河;徐泌源;金申汉 -专利权人： CERACOMB株式会社
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供了用于NOx去除的钒/钨/二氧化钛催化剂及其制备方法。具体地，本发明提供了在选择性催化还原方法中用于NOx去除的高效钒/钨/二氧化钛催化剂的制备方法。本发明提供了在宽温度范围内具有优异的NOx去除活性的钒/钨/二氧化钛催化剂的制备方法、根据该方法制备的钒/钨/二氧化钛催化剂及其应用方法，所述制备方法包括通过用钨前体浸渍二氧化钛担载体并且干燥和烧结经浸渍的二氧化钛担载体来制备钨/二氧化钛载体；以及通过用钒前体浸渍钨/二氧化钛载体并且干燥和烧结经浸渍的钨/二氧化钛载体来制备钒/钨/二氧化钛催化剂，其中钨/二氧化钛载体不包括钨晶粒而包括无定形钨。
用于 nox 去除氧化催化剂及其制备方法

[发明专利]钨塞的制备方法-CN201810201276.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种钨塞的制备方法，包括，提供一衬底，于衬底中形成自所述衬底表面凹进所述衬底内的接触窗；于接触窗的内壁及底部形成钛薄膜；对钛薄膜的表面进行原位氮化处理，以形成氮化钛阻挡层；以六氟化钨作为钨源于具有氮化钛阻挡层的接触窗中填充钨层；去除位于衬底上表面的钛薄膜、氮化钛阻挡层及钨层，以形成钨塞于接触窗中。本发明采用原位氮化法在钛薄膜的表面形成一层氮化钛阻挡层，不仅可以避免填充钨层时六氟化钨与钛反应形成三氟化钛而造成的“火山”缺陷以及钨扩散至衬底中造成的钨污染，提高产品良品率，降低生产成本，而且原位氮化生成的氮化钛阻挡层和钛薄膜的结合强度高
制备方法

[发明专利]三五族化合物半导体组件的铜金属连接线-CN201210034035.8无效
发明人：花长煌;朱文慧 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，包含一金属接触层以及一含铜金属层；其中该金属接触层位于该含铜金属层下方，由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜(Ti/Pd/Cu)、钛/镍钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜(TiW/TiWN/TiW/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金(TiW/TiWN/TiW/Au)、钛钨/铜(TiW/Cu)以及钛钨/金(TiW/Au)；该含铜金属层还包含一金属保护层
三五化合物半导体组件金属连接线

[发明专利]一种硼化钨钛基核屏蔽复合材料及其制备方法-CN202210191783.0在审
发明人：曹晓舟;刘剑波;薛向欣 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼化钨钛基核屏蔽复合材料及其制备方法，复合材料包括硼化钨和钛元素，且在硼化钨与钛界面有针状的硼化钛增强相。其制备方法是将将硼化钨粉体和含钛粉体混合，加入有机溶剂进行球磨混料，之后干燥，将干燥后的粉体放入石墨模具中，进行真空热压烧结得到致密的硼化钨钛基核屏蔽复合材料。本发明提供的硼化钨钛基核屏蔽复合材料的制备方法，在真空热压烧结过程中，钛会与硼化钨中的硼元素发生反应，在硼化钨于钛元素界面生成针状的硼化钛，在界面生成的硼化钛增强了硼化钨钛基复合材料的力学性能；其烧结温度低提供的硼化钨钛基核屏蔽复合材料，对于伽马射线和中子的屏蔽能力优于传统的铝基碳化硼/钨复合屏蔽材料。
一种硼化钨钛基核屏蔽复合材料及其制备方法

[发明专利]钨钛靶材坯料的制作方法-CN201110372337.1有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：一种钨钛靶材坯料的制作方法，包括：首先提供钨钛粉末；接着将钨钛粉末放置入真空包套，抽真空；然后采用热等静压工艺进行烧结成型；完成烧结成型后，进行冷却并拆除真空包套取出钨钛靶材坯料。采用本发明提供的钨钛靶材坯料的制作方法，避免使用模具，同时，形成的钨钛靶材坯料的致密度、内部组织结构的均匀性优于采用热压形成的钨钛靶材坯料的致密度、内部组织结构的均匀性。
钨钛靶材坯料制作方法

[发明专利]钨钛管靶的制造方法-CN201510351156.9有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;李力平 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明提供一种钨钛管靶的制造方法，其中所述方法包括：提供钨、钛混合粉末和不锈钢；对所述钨、钛混合粉末和不锈钢进行冷等静压工艺，形成钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料；将所述钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料装入真空包套并对所述真空包抽真空后，对所述钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料进行热等静压工艺；去除所述真空包套，获得钨钛管靶。通过所述冷等静压工艺，使所述钨、钛混合粉末和不锈钢预成型化，形成半致密性的钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料，并使后续的热等静压工艺可以进行更好的致密；再通过热等静压工艺，向所述真空包套施加各向均等且全方位的气体压力，最终获得高致密度的、组织结构更均匀的半导体用钨钛管靶。
钨钛管靶制造方法

[发明专利]一种制备大尺寸高纯钨钛合金靶材的方法-CN201610473417.9在审
发明人：张俊敏;闻明;王传军;谭志龙;沈月;毕珺;管伟明;易伟 -专利权人：贵研铂业股份有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备大尺寸高纯钨钛合金溅射靶材的方法，包括高纯钨钛复合粉末的制备，粉末的成型，及钨钛合金靶材机加工。具体为采用纯度大于等于99.95％的钛粉和纯度大于等于99.95％仲钨酸铵为原料，先通过气体雾化法制备得到核壳结构的仲钨酸铵‑钛复合粉，再通过微波煅烧得到核壳结构的氧化钨‑钛复合粉，最后采用通氢还原法得到高纯、超细钨钛复合粉末，用真空热压结合热等静压对制备得到的钨钛复合粉末进行烧结成型得到高纯钨钛合金溅射靶材。使用上述方法制备得到的高纯钨钛靶材纯度大于等于99.99％，钨钛合金溅射靶材由富钨基体相及富钛相组成，富钛相比例小于15％，平均晶粒尺寸不大于50μm，且靶材边缘与靶材中心的晶粒尺寸差别不大于5μm。
一种制备尺寸高纯钛合金方法

[发明专利]靶材组件的焊接方法-CN201410854699.8有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;袁海军 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钨钛靶材组件的焊接方法，包括提供钨钛靶材、铜背板和中间层；将所述钨钛靶材、中间层和铜背板置于真空包套内并使所述中间层与所述钨钛靶材的待焊接面和铜背板的待焊接面贴合；利用热等静压工艺将所述钨钛靶材、中间层和铜背板焊接在一起以形成钨钛靶材组件；焊接完成后，对所述真空包套进行冷却，去除所述真空包套以获得所述钨钛靶材组件。通过本发明的焊接方法，可以实现钨钛靶材与铜背板之间的焊接，并且焊接效率较高，形成的钨钛靶材组件的焊接强度较高、变形量小，能够满足长期稳定生产和使用靶材的需要。
组件焊接方法

[发明专利]钨钛铝靶材组件的焊接方法-CN201310754922.7有效
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B23K20/14 文献下载
摘要：一种钨钛铝靶材组件的焊接方法，包括以下步骤：提供钨钛靶材、铝背板，所述铝背板具有容纳部分所述钨钛靶材的凹槽，所述凹槽的深度为1～2mm；将钨钛靶材置于所述凹槽内，所述钨钛靶材的待焊接面与所述凹槽底面接触，形成靶材组件坯料；将所述靶材组件坯料放入真空包套；利用热等静压工艺将所述钨钛靶材的待焊接面与所述凹槽底面焊接形成钨钛铝靶材组件；焊接完成后，对所述真空包套进行冷却，去除所述真空包套以获得所述钨钛铝靶材组件
钨钛铝靶材组件焊接方法

[发明专利]钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或它们的氮化物的蚀刻液-CN200980135062.0无效
发明人：佐藤浩之介;齐藤康夫 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的蚀刻液，该蚀刻液含有过氧化氢、有机酸盐和水。通过使用该蚀刻液，可进行抑制了起泡的钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的均匀的蚀刻，可得到钛系金属、钨系金属、钛钨系金属的相对于其他金属和基板材料的选择蚀刻性优异的蚀刻液。
金属钛钨系它们氮化物蚀刻

[实用新型]一种蒸发钛离子的复合绕制丝杆-CN202021132562.9有效
发明人：张银博;袁宏伟 -专利权人：宝鸡阿尔法金属科技有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本实用新型属于金属钛加工技术领域，具体涉及一种蒸发钛离子的复合绕制丝杆，包括钨芯杆、钼丝和钛丝，所述钼丝和所述钛丝交错缠绕在所述钨芯杆上形成基层，所述钛丝缠绕至基层末端时反向缠绕在所述基层上形成致密的外层，所述钼丝和所述钛丝的两端均与所述钨芯杆焊接固定，所述钨芯杆的熔点高于所述钼丝的熔点；本实用新型的蒸发钛离子的复合绕制丝杆结构简单合理，钨芯杆连接电源，钨芯杆及绕制在钨芯杆上的钼丝线圈产生高温，钨芯杆和钼丝的熔点都远高于钛丝的熔点，从而蒸发出钛离子，使钛离子附着在被加工工件上。
一种蒸发离子复合绕制丝杆

[发明专利]钨钛管靶的制造方法-CN201510347491.1在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;段高林 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种钨钛管靶的制造方法，其中所述方法包括：提供钨、钛混合粉末和不锈钢空心管；对钨、钛混合粉末和不锈钢空心管进行冷等静压工艺，形成钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料；将所述钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料装入真空包套并对真空包抽真空后，对所述钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料进行热等静压工艺；去除真空包套，获得钨钛管靶。通过所述冷等静压工艺，使所述钨、钛混合粉末和不锈钢空心管预成型化，形成半致密性的钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料，并使后续的热等静压工艺可以进行更好的致密；再通过热等静压工艺，向所述真空包套施加各向均等且全方位的气体压力，最终获得高致密度的、组织结构更均匀的半导体用钨钛管靶。
钨钛管靶制造方法

[发明专利]碳化钨与二氧化钛复合光催化材料及其制备方法-CN201210132530.2无效
发明人：林敬东;黄勤栋;崔云鹤;闫石;廖代伟 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：碳化钨与二氧化钛复合光催化材料及其制备方法，涉及光催化材料及其制备方法。碳化钨与二氧化钛复合光催化材料由碳化钨和二氧化钛组成，按质量比，碳化钨∶二氧化钛为(0.0025～0.1)∶1。按配比将碳化钨和二氧化钛混合后研磨，即得碳化钨与二氧化钛复合光催化材料。由于用价格相对低廉的碳化钨取代贵金属Pt与二氧化钛复合，因此具有价格低廉和原料易得等优点。由于采用充分研磨的方法使碳化钨和二氧化钛相互作用混合，因此工艺简单。
碳化氧化复合光催化材料及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条