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[发明专利]制造多成分薄膜的方法-CN201110048467.X有效
发明人：萧满超;杨柳;雷新建;I·布查南 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：在一个实施方式中，本发明所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。
制造成分薄膜方法

[发明专利]基于锗锑碲纳米柱阵列动态可调的透射型波片及其制备方法-CN202110196200.9在审
发明人：束方洲;沈常宇;张冬芹 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开一种基于锗锑碲纳米柱阵列动态可调的透射型波片，包括衬底及形成于衬底表面的锗锑碲纳米柱阵列；所述锗锑碲纳米柱阵列包括多个周期性排布的锗锑碲纳米柱，所述锗锑碲纳米柱沿水平x方向和y方向的长度不同；所述透射型波片在红外波段的工作波长响应于锗锑碲纳米柱阵列相变变化而变化；当偏振入射光垂直入射于所述透射型波片后，形成的透射光在x和y方向的分量的振幅相同而相位差不同，所述相位差为0.5π或1.5π时，为四分之一波片本发明在红外波段可以实现高效透射型半波片和四分之一波片，并且波片的工作波长可以通过锗锑碲相变动态调节。
基于锗锑碲纳米阵列动态可调透射型波片及其制备方法

[发明专利]刻蚀锗锑碲合金材料的方法-CN200810204832.X无效
发明人：吴关平;万旭东;冯高明;徐成;杨左娅;谢志峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：一种刻蚀锗锑碲合金材料的方法，包括如下步骤：提供锗锑碲合金层，所述锗锑碲合金层布置于半导体衬底表面；在所述锗锑碲合金层的表面覆盖刻蚀阻挡层；图案化所述刻蚀阻挡层，以使预定部份的锗锑碲合金层的表面暴露出来；使暴露出的锗锑碲合金层的表面浸没于含有卤素的刻蚀气体以及钝化剂的气氛中，所述含有卤素的刻蚀气体混合有钝化剂，所述钝化剂的化学式为CxHyF4x-y，其中x和y均为整数，并且x＞0，0≤y＜4x；将刻蚀气体激发成等离子体，以刻蚀锗锑碲合金层。
刻蚀锗锑碲合金材料方法

[发明专利]一种二维材料碲化锗的制备方法-CN201710444137.X在审
发明人：李瑀;张盼盼;封伟 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料碲化锗的制备方法：包括以下步骤：(1)称取一定量的碲化锗粉末加入有机溶剂中，混合均匀，其中碲化锗粉末的质量份数与有机溶剂的体积份数比为(2‑100)：(5‑100)，其中质量份的单位为mg，体积份的单位为mL；(2)将步骤(1)中混合均匀的溶液放入细胞粉碎机，进行超声处理；(3)对超声后的碲化锗分散液进行离心处理，取灰黑色的上层清液，二维材料碲化锗分散在上层清液中。
碲化锗二维材料制备上层清液有机溶剂质量份细胞粉碎机超声处理离心处理分散液灰黑色超声称取放入

[发明专利]一种锗锑碲合金的金相腐蚀方法及金相组织显示方法-CN202210623840.8在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云;肖佳敏;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗锑碲合金的金相腐蚀方法，将锗锑碲合金浸入金相腐蚀剂进行腐蚀，所述金相腐蚀剂中各物质的体积比为氢氟酸：硝酸：水的体积比例为0.9‑1.1：0.9‑1.1：40；还提出了一种锗锑碲合金的金相组织显示方法
一种锗锑碲合金金相腐蚀方法组织显示

[发明专利]锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法-CN201310250531.1有效
发明人：李宗雨;丘立安;汪晏清 -专利权人：成都先锋材料有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产制备领域，具体而言，涉及一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法。包括：将质量分数为13%～16%的锗，22%～25%的锑，60%～64%的碲混合，组成原料；对原料进行真空熔炼处理，得到GeSbTe金属化合物；将GeSbTe金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的GeSbTe粉末；将干燥的GeSbTe粉末进行真空热压烧结处理，得到锗锑碲相变材料溅射靶材。本发明中的锗锑碲相变材料溅射靶材生产方法，将利用真空熔炼方法，完成锗锑碲所形成稳定化合物制成粉末，使之成分均匀；后将该粉末放入热压机进行高压烧结，形成致密的靶材。
锗锑碲化合物相变材料溅射生产方法

[发明专利]锗锑碲粉体、靶材的制备方法-CN201910664915.5在审
发明人：沈文兴;白平平;朱刘;童培云;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗锑碲粉体的制备方法，其包括如下步骤：S1、二元合金合成；S2、粉碎制粉；S3、均质混料；S4、三元合金粉体合成。本发明同时提出一种锗锑碲靶材的制备方法。本发明提出一种锗锑碲合金、靶材的制备方法，所制备得到的锗锑碲合金的收率大于98%；所制备得到的靶材相对密度大于98%，靶材纯度为4N或以上，相对密度高、组分均匀、微观缺陷少。
制备靶材锗锑碲粉体锗锑碲合金合成靶材纯度二元合金粉碎制粉三元合金微观缺陷混料均质收率

[发明专利]一种基于碲锗化铬可饱和吸收体的锁模飞秒光纤激光器-CN202210013261.1在审
发明人：张华年;鲁成;张文飞;孙硕;尚新新;程帅 -专利权人：山东淄特新材料科技有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本发明公开一种基于碲锗化铬可饱和吸收体的锁模飞秒光纤激光器，由泵浦光源和激光器谐振腔构成，其中激光器谐振腔包括波分复用器、掺铒光纤、偏振控制器一、偏振无关隔离器、单模光纤、可饱和吸收体、偏振控制器二和输出耦合器；所述可饱和吸收体为碲锗化铬可饱和吸收体。本发明还提供了一种基于碲锗化铬的可饱和吸收体，本发明采用液相剥离法和旋转涂层法合成了薄膜型碲锗化铬可饱和吸收体，制备方法是将碲锗化铬纳米晶体分散液与聚乙烯醇水溶液混合，形成碲锗化铬/聚乙烯醇复合薄膜，将碲锗化铬本发明所述的碲锗化铬可饱和吸收体具有优异的超快调制特性，并为演示锁模操作提供了新的机会。
一种基于碲锗化铬可饱和吸收体锁模飞秒光纤激光器

[发明专利]可切换吸收与滤波的太赫兹控制器及其方法-CN202110035610.5有效
发明人：李九生;黎哲文 -专利权人：之江实验室;中国计量大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：它包括N×N个正方形单元结构，N为大于0的自然数，N×N个正方形单元结构周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上；每个单元结构从上往下依次包括金属层，介质层和碲化锗层；其中，顶层复合结构层位于介质层上方，介质层下方为碲化锗层；复合结构层由矩形开口环和矩形竖条组成；矩形开口环开口处贴有第一碲化锗嵌入条；矩形开口环与矩形竖条之间贴有第二碲化锗嵌入条和第二碲化锗嵌入条。通过外界施加温度，改变碲化锗的介电常数与电导率，实现了太赫兹控制器吸收与滤波的功能切换。本发明的可切换吸收与滤波的太赫兹控制器具有方便调节、控制灵活、功能转换等特点，满足太赫兹波系统的应用要求。
切换吸收滤波赫兹控制器及其方法

[发明专利]一种锗单晶退火过程电阻控制的方法-CN201810166049.2在审
发明人：孙建坤;罗玉萍 -专利权人：昆明凯航光电科技有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗单晶退火过程电阻控制的方法，制备过程如下：称取一定量锗锭和碲粉，其中碲粉的质量为锗锭的0.1‰‑2‰，将锗锭和碲粉装料、熔料，待炉温稳定后引晶、缩颈、放肩、转肩、等径，待单晶长至所需的尺寸时用本方法制备的锗单晶电阻范围可宽可窄，满足红外级锗单晶电阻5‑40Ω的要求，也能制备极端电阻需求的锗单晶，比如0.2‑0.5Ω、1‑5Ω，10‑20Ω等。
锗单晶单晶电阻锗锭碲粉电阻控制退火过程炉温制备熔断退火装料制备过程阶梯度称取等径放肩拉速熔料缩颈引晶升高

[发明专利]绿光输出的锗碲酸盐玻璃光纤预制棒制备方法-CN200910030592.0无效
发明人：柳祝平 -专利权人：柳祝平
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： C03C3/253 文献下载
摘要：本发明涉及一种绿光输出的锗碲酸盐玻璃光纤预制棒制备方法，该玻璃的组分配方及制备过程，该玻璃材料具有较强的上转换绿光发光强度。通过熔融法制备得到的氧氯碲酸盐玻璃透明，抗析晶能力好，物理化学性能优良。对具有不同ZnCl2含量的氧氯碲酸盐玻璃通过980nm波段的半导体光源泵浦后，发现该玻璃上转换氯光强度显著提高。
输出锗碲酸盐玻璃光纤预制制备方法

[发明专利]金属掺杂锗碲基阻变存储材料及制备方法和阻变单元器件-CN201310719978.9在审
发明人：缪向水;许磊;李祎;徐荣刚;赵俊峰 -专利权人：杭州华为数字技术有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100-x-y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn，其中金属M的掺杂提高了锗碲基阻变存储材料的晶化温度从而提高了非晶态的热稳定性，阻变特性受热扰动因素较小，解决了现有锗碲材料晶化温度低导致数据存储的丢失或扰动以及能耗增高的问题，具有较高的实际应用价值。本发明实施例还提供了该金属掺杂锗碲基阻变存储材料的制备方法，该制备方法操作灵活，适用范围广。本发明实施例提供了包括该金属掺杂锗碲基阻变存储材料的阻变单元器件。
金属掺杂锗碲基阻变存储材料制备方法单元器件

[发明专利]锗锑碲合金粉体的制备方法-CN202011595073.1在审
发明人：白平平;童培云;张强;张绍桢 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种锗锑碲系合金粉体的制备方法，包括步骤：步骤一，以Ge2Sb2Te5碲单质，锗、锑、碲单质的纯度为4.5N以上，真空熔炼锗、锑、碲单质以形成熔融混合物，采用高压惰性气体将熔融混合物气雾化冷凝保留高温相，得到粒度小于45微米的Ge22Te4或GeSb4Te7的锗锑碲合金粉末；步骤二，将步骤一所得的锗锑碲合金粉末进行气流粉碎处理；步骤三，将步骤二粉碎的锗锑碲合金粉末进行气流分级，得到D90小于10微米的锗锑碲粉体。Te4或GeSb4Te7的脆性通过气流粉碎和气流分级来获得D90小于10的锗锑碲粉体
锗锑碲合金粉制备方法

[发明专利]具有高迁移率高性能的菱形碲化锗基化合物热电材料及其制备方法-CN201811427343.0在审
发明人：裴艳中;李文;卜中林 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高迁移率高性能的菱形碲化锗基热电材料及其制备方法，该热电材料的表达式用GeTe‑xCu₂Te‑yBiTe‑zPbTe合金表示(0＜x≤0.02，0＜y≤0.045，0＜z≤0.1)；制备方法是以金属单质为原料，按比例进行配料，通过真空封装、高温熔融、退火热处理后，研磨成粉末，进行真空热压烧结、缓慢降温后得到片状材料即为目标组分的新型碲化锗基热电材料。通过固溶少量碲化亚铜，在晶体结构和价带结构影响可忽略的情况下有效地降低了载流子浓度，揭示了菱形碲化锗是一种具有高迁移率高热电性能的材料(其热电优值zT在650K达到2.4，在300‑650K的平均zT达到1.2)，而且揭示了菱形碲化锗的轴间角可作为推进碲化锗热电工程的核心指导参数，为进一步研究发展低对称热电材料提供了一种新的方法。
碲化锗热电材料菱形高迁移率制备载流子真空热压烧结退火高热电性能热处理高温熔融缓慢降温基化合物结构影响金属单质晶体结构片状材料热电工程真空封装碲化亚铜研磨有效地轴间角固溶价带热电对称合金研究

[发明专利]一种镓/铝酸锌掺杂的近红外碲锗酸盐纳米晶玻璃及其制备方法-CN202211561711.7在审
发明人：黄飞飞;王俊逸;王政;雷若姗;华有杰;徐时清 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓/铝酸锌掺杂的近红外碲锗酸盐纳米晶玻璃及其制备方法，涉及近红外发光材料技术领域。本发明在碲锗酸盐玻璃中引入的纳米晶ZnGa/AlO4:Ni2+含量达到6～8％，其在为Ni2+
一种铝酸锌掺杂红外碲锗酸盐纳米玻璃及其制备方法