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[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法-CN201310040588.9无效
发明人：向勇;张海涛;谢梦;张庶 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-02-03 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C25D3/58 文献下载
摘要：一种铜锌锡硫薄膜的共电沉积制备方法，属于光电材料新能源技术领域，该方法可在同一种溶液中同时沉积三种金属，一步电沉积得到铜锌锡三种金属的前躯体薄膜，且成分、形貌易于控制，然后通过热处理得到铜锌锡硫薄膜。其步骤包括：1）将含铜、锌、锡三种金属阳离子的盐和络合物溶解于水中；2）使用三电极法将阴极、阳极分别与导电衬底、惰性阳极连接，同时将参比电极置于溶液中且不与阴阳极连通；3）打开电源，采用固定电位共沉积铜、锌、锡三种金属；4）取出沉积的前驱体将其干燥；5）将前驱体通过热处理得到铜锌锡硫薄膜。
一种铜锌锡硫薄膜沉积制备方法

[实用新型]一种电镀反射光学薄膜-CN202120263991.8有效
发明人：刘志龙 -专利权人：东莞市财源薄膜科技有限公司
申请日： 2021-01-30 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B32B15/02 文献下载
摘要：本实用新型属于薄膜技术领域，尤其为一种电镀反射光学薄膜，包括反光镀层，所述反光镀层的下表面设置有铜镍底镀层，所述铜镍底镀层的下表面设置有镀漆防护层，所述铜镍底镀层的内部设置有第一编织金属网层和第二编织金属网层，所述第一编织金属网层设置有两层，所述第二编织金属网层设置有一层，一层所述第二编织金属网层设置在两层第一编织金属网层之间；通过反光镀层下表面设置的铜镍底镀层，以及铜镍底镀层下表面设置的镀漆防护层，便于铜镍底镀层对反光镀层之间，同时便于镀漆防护层对铜镍底镀层的下表面进行防护，增加了电镀薄膜的稳定性，同时铜镍底镀层的内部通过第一编织金属网层和第二编织金属网层进行支撑。
一种电镀反射光学薄膜

[实用新型]用于复合铜箔膜的水电镀设备-CN202222425188.7有效
发明人：吴培服;吴迪;周振;刘鸿纬 -专利权人：江苏双星彩塑新材料股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：一种用于复合铜箔膜的水电镀设备，包括铜电镀槽和保护电镀槽；沿着聚脂薄膜输入铜电镀槽的方向，在铜电镀槽的上游和下游分别设置有一个第一液体导电槽，形成有金属铜溅射层的聚酯薄膜通过与第一液体导电槽中的第一导电液体接触而与电源负极联通；沿着聚脂薄膜输入保护电镀槽的方向，在保护电镀槽的上游和下游分别设置有一个第二液体导电槽，形成有金属铜电镀层的聚酯薄膜通过与第二液体导电槽中的第二导电液体接触与电源负极联通。本申请通过去掉导电辊，让聚酯薄膜上的金属铜溅射层与第一导电液体和第二导电液体通过非接触的液体方式与电源负极联通，杜绝了现有技术在导电辊上形成刺破薄膜的镀层的情况。
用于复合铜箔水电设备

[发明专利]溅射锡靶和硫化铜靶制备铜锡硫薄膜电池的方法-CN201611002477.9有效
发明人：王书荣;杨敏;蒋志;李志山;刘思佳;陆熠磊;郝瑞亭 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用射频磁控溅射锡（Sn）靶和硫化铜（CuS）靶制备铜锡硫（Cu2SnS3，CTS）薄膜的方法，其特征在于采用了金属单质锡靶和化合物硫化铜靶混合溅射制备铜锡硫薄膜预制层，然后对预制层进行软退火及高温硫化，得到铜锡硫薄膜；该方法与传统的溅射金属单质铜靶和锡靶相比，能够更好地控制薄膜体内的载流子浓度；与溅射硫化铜靶和硫化锡靶相比，能够解决高温硫化，薄膜易从衬底脱落和产生孔洞的问题；溅射制备的预制层经过软退火及高温硫化后，得到均匀致密、光电特性较优的铜锡硫薄膜，尝试将其用于制备铜锡硫薄膜电池，最终获得了1.32%的光电转换效率；为制作铜锡硫薄膜太阳电池提供了一种较佳的吸收层制备方案
溅射硫化铜制备铜锡硫薄膜电池方法

[发明专利]一种透明导电薄膜-CN201310642530.1有效
发明人：喻志农;李旭远;张世玉;蒋玉蓉;薛唯 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZOTFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZOTFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZOTFT具有良好的透光性和电特性。
一种透明导电薄膜

[发明专利]一种无光阻中毒碳化硅的前处理方法-CN201110123700.6无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种无光阻中毒碳化硅的前处理方法，其中，在低介电常数薄膜中形成后道互连金属铜，暴露在低介电常数薄膜之外的金属铜的表面形成氧化铜的情况下，在淀积金属阻挡介质层覆盖低介电常数薄膜和金属铜之前，采用碳氢化合物气体对铜表面的氧化铜进行前处理，而后再淀积所述金属阻挡介质层。所述碳氢化合物为甲烷，所述金属阻挡介质层为碳化硅。本发明降低了光阻中毒的风险，从而提高互连关键尺寸的一致性。
一种无光中毒碳化硅处理方法

[实用新型]一种抗EMI电磁屏蔽膜片-CN200820134932.5无效
发明人：陈奇;沈励;许沭华;迟晓晖;石富银 -专利权人：芜湖长信科技股份有限公司
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗EMI电磁屏蔽膜片，由塑料注塑件膜片(1)和镀覆在光线入射一侧表面的抗EMI电磁屏蔽膜构成的，所述的电磁屏蔽膜为沿塑料注塑件膜片(1)表面依次设置的金属铬薄膜(2)、金属铜薄膜(3)和不锈钢保护膜(4)构成的金属膜系，塑料注塑件膜片(1)一侧表面上设置有金属铬薄膜(2)层，金属铬薄膜(2)上设置有金属铜薄膜(3)层，不锈钢保护膜(4)设置在金属铜薄膜(3)层上，塑料注塑件膜片(1
一种 emi 电磁屏蔽膜片

[发明专利]一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法-CN202211089623.1有效
发明人：万磊;王金明;陈盈杰;周儒;毛小丽;牛海红;王欢 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，采用先溅射金属预制层后硒化的方法。磁控溅射提高了成膜均匀性，同时控制溅射功率和沉积时间易于调节金属预制层的厚度和成分，使其成分富锑；之后进行了金属预制层的合金化和硒化，先将金属预制层在真空管式炉内退火，使其形成合金，之后再在双温区管式炉内进行硒蒸气热处理，对金属预制层进行硒化，最终生成结晶性良好的铜锑硒薄膜。本发明的制备方法不仅解决了化学计量比的铜锑硒薄膜难以制备的问题，也提高了薄膜均匀性和结晶性，为制备铜锑硒薄膜太阳能电池打下了基础。
一种铜锑硒太阳能电池光吸收薄膜制备方法

[发明专利]触控面板及其制造方法-CN201110116725.3无效
发明人：许明松 -专利权人：许明松
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控面板及其制造方法，在一透明基板上依序涂布一氧化铟锡薄膜及一铜金属薄膜，再利用半导体蚀刻技术在前述氧化铟锡薄膜及铜金属薄膜上各形成一电极图案位在前述基板的一中央可视区，以及一走线图案位在该中央可视区外缘的一动作区，并在该动作区上涂布一抗蚀膜，再以特定溶剂溶解该中央可视区范围内的铜金属薄膜；本发明方法可利用全蚀刻制程方式制作触控面板。
面板及其制造方法

[发明专利]一种铜薄膜的制备方法-CN201810077450.9有效
发明人：崔云涛;汤剑波;王玉书;赵曦;刘静 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C18/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜薄膜的制备方法，该方法包括：以液态金属为模板，NaOH溶液为沉积液相介质，向NaOH溶液中加入含铜化合物，制备铜薄膜。本发明所制备的铜薄膜物理特性均匀、致密，厚度均匀可控，操作简单、高效便捷，可实现从纳米尺度到微米尺度厚度连续可控的柔性铜薄膜，具有较高的电导率，有较强的生产适用性，能在超大规模集成电路及微电子机械系统(MEMS)中金属布线、微流器件、生物芯片或半导体芯片表面技术等领域应用。
铜薄膜制备超大规模集成电路半导体芯片表面微电子机械系统电导率致密含铜化合物厚度均匀金属布线领域应用纳米尺度生物芯片微流器件微米尺度物理特性液态金属沉积液可控的可控生产

[实用新型]一种高导电复合薄膜-CN202220192643.0有效
发明人：臧世伟 -专利权人：重庆金美新材料科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高导电复合薄膜，其特征在于，包括塑料薄膜层、所述塑料薄膜层的上下两面均设有碳层，所述碳层为石墨层或无定形碳层，所述碳层的外表面设有金属铜层或金属铝层。本实用新型采用塑料薄膜层作为基材，极大减少了成品复合薄膜的重量，同时降低了复合薄膜的成本；利用石墨层或者无定形碳层表面镀有金属铜层或金属铝层，保证了成品复合薄膜的高导电性，从而获得高性价比的导电复合薄膜
一种导电复合薄膜

[发明专利]一种双金属掺杂DLC抗菌薄膜及其制备方法-CN202110278362.7有效
发明人：肖瑶;李嘉荣;谭玉勇;赵杰;龚连生 -专利权人：中南大学湘雅医院
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种双金属掺杂DLC抗菌薄膜及其制备方法，选用廉价的金属铜和锌作为掺杂元素，避免了现有技术中选用银作为抗菌元素所带来的成本浪费。通过添加少量的抗菌金属粒子铜和锌，在保证了DLC薄膜必要的耐腐蚀性及硬度的情况下，赋予了手术刀具所需的抗菌性能。并且，在特定掺杂量时，铜锌双金属粒子会发生协同作用，使得薄膜的抗菌性能比同等掺杂量的银更加优异。
一种双金属掺杂 dlc 抗菌薄膜及其制备方法

[发明专利]一种镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备方法及其在太阳能电池中的应用-CN202210509998.2在审
发明人：刘芳洋;黄子仪;蒋良兴;贾明;张宗良;赵祥云;潘逸宁;陈望献;杨文通 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备方法及其在太阳能电池中的应用。本发明基于有机溶剂的溶液法制备铜锌锡硫前驱体，在前驱体薄膜上通过真空工艺制备一层金属或金属化合物，再在薄膜上化学水浴法沉积一层CdS，再经过高温退火冷却就可以制备得到镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜，该方法制备的镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜晶粒尺寸大，无二次相，基于该镉掺杂的铜锌锡硫硒薄膜制备的太阳能电池短路电流密度提升明显，光电转换效率高。
一种掺杂铜锌锡硫硒薄膜制备方法及其太阳能电池中的应用

[发明专利]用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物及其用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法-CN201410321867.7在审
发明人：罗致远;吴光耀;黄若涵;廖怡颖;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物，其包含过氧化氢及一种有机酸组分；该有机酸组分包含丁二酸及乙酸；其中，丁二酸与乙酸的重量比例范围为1：1.2～1：3。该金属蚀刻剂组合物在进行含有铜与钼的多层金属蚀刻时，能得到具有良好配线形状与均匀性的金属层，并有效避免底切现象产生。本发明还提供一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法，其包括将如上所述的金属蚀刻剂组合物与一种多层金属薄膜接触，使该多层金属薄膜产生蚀刻，其中，该多层金属薄膜包括一个钼层及一个堆叠于该钼层上的铜层。
用于蚀刻金属组合及其方法

[发明专利]具导通孔的电路板线路结构的制作方法及所制成的具导通孔的电路板线路结构-CN202110193817.5在审
发明人：叶坤祥;李谟霖;许议文 -专利权人：嘉联益电子(昆山)有限公司;嘉联益科技(苏州)有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：一种具导通孔的电路板线路结构的制作方法包括提供基板，基板包括基材层、二铜层、二第二薄膜层及二第一薄膜层，基材层具有相对的第一表面及第二表面，各铜层分别形成于基材层的第一表面及第二表面，各第一薄膜层形成于各铜层的表面，各第二薄膜层形成于各第一薄膜层的表面上；自位于第一表面的一侧的第二薄膜层的表面进行钻孔，孔洞导通至基材层的第二表面；通过沉积形成金属化层，金属化层覆盖于孔洞的表面及二第二薄膜层的表面上；去除二第二薄膜层；电镀形成覆铜层，覆铜层覆盖于孔洞；去除第一薄膜层。
具导通孔电路板线路结构制作方法制成