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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]取向剂、二胺化合物、取向膜及液晶显示组件-CN202010933458.8有效
发明人：王柏扬;林冠铭;徐硕鸿;张嵇集;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C07D295/135 文献下载
摘要：一种取向剂，包含第一聚合物，其包含侧链结构，其中侧链结构包含哌嗪基及式(1)所示的结构，其中侧链结构的末端为具有取向力的一价有机基，在式(1)中，环A为含有至少一个芳香环的二价有机基。
取向化合物液晶显示组件

[发明专利]一种切割工艺用的水性切割液的添加剂及其制备方法-CN201510769570.1有效
发明人：李政纬;张育晨;张灵;陈颐承;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C10M129/08 文献下载
摘要：本发明提供一种切割工艺用的水性切割液的添加剂，包括一种二醇类化合物具有以下通式:OHR1R3C‑[CH2]n‑CR2R4OH，其中，n为2‑4间的自然数，R1、R2、R3、R4分别为碳数1‑6的烷基取代基；以及水。
一种切割工艺水性添加剂及其制备方法

[发明专利]暂时粘着被加工物的方法及粘着剂-CN201910332739.5有效
发明人：林季延;李政纬;黄竣鸿;卢厚德;廖元利 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09J5/00 文献下载
摘要：一种暂时粘着被加工物的方法，包含以下步骤。进行结合步骤，在至少一个基板和/或至少一个被加工物的表面形成粘着层。进行粘着步骤，使基板与被加工物通过粘着层粘着接合。进行加工步骤，对被加工物进行加工。进行剥离步骤，以激光照射粘着层，使被加工物与基板分离。粘着层由粘着剂所形成，粘着剂包含聚合物以及遮色材，粘着剂的固成分中包含50重量百分比至98重量百分比的聚合物，粘着剂的固成分中包含2重量百分比至50重量百分比的遮色材。藉此，有利于提升粘着剂的粘着性、耐热性及可移除性。
暂时粘着加工方法

[发明专利]光阻脱除剂和电子元件及其制造方法-CN202010965226.0在审
发明人：朱翊祯;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光阻脱除剂，包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及至少一种由式4表示的仲醇胺或叔醇胺，其中n为1～3的整数；R1为C1‑C4烷基；R2各自独立为氢或甲基；X1和X2可分别为C1‑C4亚烷基、C2‑C4亚烯基、Rx‑COOH或RyOH，其中Rx为C1‑C3连结基，Ry为C1‑C4连结基；R3为H、C1‑C4烷基或‑RzOH，其中Rz为C1‑C4连结基；R4和R5分别为C1‑C4亚烷基，且Y1和Y2可分别为H或‑OH，且R3、Y1和Y2中的至少一者含有‑OH。
脱除电子元件及其制造方法

[发明专利]光电元件的制备方法-CN201710785260.8在审
发明人：张灵;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：公开一种光电元件的制备方法，其包括(a)于承载材上形成一层高分子层，该高分子层是以一种于光线照射下会产生降解的材料为主；(b)于高分子层上形成光电元件；(c)对该高分子层施加光线照射，以使高分子层产生降解，并使承载材与光电元件分离；及(d)利用清洗组合物清洗承载材或光电元件，清洗组合物包含由化学式1所示的链状碳酸酯、及汉森溶解度参数范围为9～15(cal/cm3)1/2的有机溶剂。本发明光电元件的制备方法通过使用该清洗组合物，能使该高分子层不会残留于该光电元件或该承载材上，也有助于回收该承载材。
光电元件制备方法

[发明专利]光阻脱除剂和电子元件及其制造方法-CN201410625929.3在审
发明人：朱翊祯;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光阻脱除剂，包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及至少一种由式4表示的仲醇胺或叔醇胺，其中n为1～3的整数；R1为C1-C4烷基；R2各自独立为氢或甲基；X1和X2可分别为C1-C4亚烷基、C2-C4亚烯基、>Rx-COOH或>RyOH，其中Rx为C1-C3连结基，Ry为C1-C4连结基；R3为H、C1-C4烷基或-RzOH，其中Rz为C1-C4连结基；R4和R5分别为C1-C4亚烷基，且Y1和Y2可分别为H或-OH，且R3、Y1和Y2中的至少一者含有-OH。
脱除电子元件及其制造方法

[发明专利]蚀刻液组合物及蚀刻方法-CN201410571102.9在审
发明人：黄若涵;吴光耀;黄宜琤;罗致远;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种蚀刻液组合物，用于蚀刻含铜及含钼的多层薄膜，蚀刻液组合物包含过氧化氢、第一有机酸或其盐类、第二有机酸或其盐类以及醇胺化合物。第一有机酸与铜的螯合常数大于、等于0且小于6，基于蚀刻液组合物为100重量百分比，第一有机酸添加比例为5.5重量百分比至17.5重量百分比。第二有机酸与铜的螯合常数大于、等于6且小于18.5。醇胺化合物具有一个以上的胺基与一个以上的羟基。藉此蚀刻液组合物蚀刻前述含铜及含钼的多层薄膜，有助于减少金属残留。
蚀刻组合方法

[发明专利]蚀刻液组合物及蚀刻方法-CN201410576483.X在审
发明人：罗致远;黄若涵;吴光耀;黄宜琤;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种蚀刻液组合物，用于蚀刻含铜金属层。蚀刻液组合物包含过氧化氢、质子源、有机碱化合物与氨基酸类化合物或其盐类，其中，质子源排除含氟酸，有机碱化合物是具有至少一个氮原子与至少一个碳原子的链状化合物，且有机碱化合物的pH大于8，氨基酸类化合物为单胺羧酸，单胺羧酸是只含一个氮原子及具有至少一个-COOH的化合物。藉此，蚀刻液组合物在低铜浓度到高铜浓度皆能维持优良的蚀刻表现，而具有较长的蚀刻寿命，并可符合环境诉求。
蚀刻组合方法

[发明专利]用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物及其用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法-CN201410321867.7在审
发明人：罗致远;吴光耀;黄若涵;廖怡颖;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物，其包含过氧化氢及一种有机酸组分；该有机酸组分包含丁二酸及乙酸；其中，丁二酸与乙酸的重量比例范围为1：1.2～1：3。该金属蚀刻剂组合物在进行含有铜与钼的多层金属蚀刻时，能得到具有良好配线形状与均匀性的金属层，并有效避免底切现象产生。本发明还提供一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法，其包括将如上所述的金属蚀刻剂组合物与一种多层金属薄膜接触，使该多层金属薄膜产生蚀刻，其中，该多层金属薄膜包括一个钼层及一个堆叠于该钼层上的铜层。
用于蚀刻金属组合及其方法

[发明专利]用于切削硬脆材料的加工组成物及切削硬脆材料的方法-CN201410354509.6无效
发明人： 卢厚德;佘怡璇 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：一种用于切削硬脆材料的加工组成物，包含至少一种杂环化合物、至少一种多元醇及水，该杂环化合物是由下式(I)所示，式(I)中各个代号的定义如说明书及权利要求所界定。本发明用于切削硬脆材料的加工组成物由于包含该杂环化合物，具备能有效提升该加工组成物的保湿性的能力。
用于切削材料加工组成方法

[发明专利]聚亚酰胺结构以及聚亚酰胺树脂组成物-CN201310122597.2在审
发明人：罗致远;李政纬;卢厚德;王兴嘉 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提供一种聚亚酰胺结构以及聚亚酰胺树脂组成物，该聚亚酰胺结构包括如式1、式2以及式3所表示的结构单元。-R¹-(式1)上述如式1、式2以及式3所表示的结构单元之间的键结选自由式4至式9所表示的结构单元及其任意组合所组成的族群，其中，R¹以及R³各自独立为二价有机基；R²为三价有机基；R⁴为具有4个或4个以上原子的四价有机基；a为1至100；R¹以及R²的重量比为950/50至999/1；R⁵至R¹³各自独立为二价有机基；b至i各自独立为1至100。
聚亚酰胺结构以及树脂组成

[发明专利]用于切削硬脆材料的加工组成物及切削硬脆材料的方法-CN201310080924.2有效
发明人： 卢厚德;佘怡璇 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：一种用于切削硬脆材料的加工组成物，包含至少一种杂环化合物、至少一种多元醇及水，该杂环化合物是由下式(I)所示，式(I)中各个代号的定义如说明书及权利要求所界定。本发明用于切削硬脆材料的加工组成物由于包含该杂环化合物，具备能有效提升该加工组成物的保湿性的能力。
用于切削材料加工组成方法

[发明专利]太阳能晶片洗剂以及清洗太阳能晶片的方法-CN201110181420.0无效
发明人：张顺吉;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C11D1/06 文献下载
摘要：一种太阳能晶片洗剂和清洗太阳能晶片的方法。其中的太阳能晶片洗剂包括醇醚羧酸盐类以及溶剂，用于稀释所述醇醚羧酸盐类。这种太阳能晶片洗剂适用于线锯(wire saw)之后用来清洗晶片表面粒子及油污。
太阳能晶片洗剂以及清洗方法

[发明专利]用于切削硬脆材料的加工组成物及切削组成物-CN201210154713.4有效
发明人：王兴嘉;佘怡璇;卢厚德;汤慧怡 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：一种用于切削硬脆材料的加工组成物，其包含六方氮化硼、溶剂组分、表面活性剂，其中，以该溶剂组分的总量为100重量份计，该六方氮化硼的含量范围为0.01重量份～10重量份，但不等于0.01重量份。该加工组成物用于切削硬脆材料时，不但具有耐高温、优良润滑性、抛光效果佳、切削能力佳等特性，且切削成多数具有切削面的硬脆片后，该加工组成物会使得所述硬脆片彼此易剥离且不易沾粘；同时所述硬脆片不会因彼此剥离时产生的摩擦，造成所述薄片表面的损坏，或因切削时产生的吸附力，造成所述薄片表面剥离时破裂，有效地提高良率。
用于切削材料加工组成

[发明专利]适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法-CN201210064009.X无效
发明人：佘怡璇;徐志贤;卢厚德;王兴嘉 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C11D10/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法。其中该适用于清洗硅晶片的洗剂包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠、阴离子型界面活性剂及水。该用于清洗一硅晶片的方法是使该硅晶片与上述的适用于清洗硅晶片的洗剂进行接触而完成。本发明的洗剂不但可修补切割后的晶片表面的损伤，使用时可维持稳定的pH值范围，且能在长时间使用下维持高度清洗能力。
适用于清洗晶片洗剂用于方法

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