“陆熠磊”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于卷积神经网络和TF-IDF算法的多模态信息检索方法及系统-CN202310676242.1在审
发明人：马进;张彤彤;丁颖;彭云峰;陆熠磊 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F16/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于卷积神经网络和TF‑IDF算法的多模态信息检索方法及系统，包括：步骤S1：输入实际图像获得标签，或者直接输入标签；步骤S2：通过文本检索的方法获得相关文本信息，获得频率高于预设标准的关键词；步骤S3：将分类结果和文本检索后的频率高于预设标准的关键词作为图像检索的输入，使用网络爬虫在专利库中获取所有相关图像信息；步骤S4：经图像检索后输出符合预设标准的专利图像，综合输出文本检索结构和图像检索结果。本发明充分发掘已有知识特点，为设计过程提供类推解方案生成提供跨模态知识集合。
基于卷积神经网络 tf idf 算法多模态信息检索方法系统

[发明专利]溅射锡靶和硫化铜靶制备铜锡硫薄膜电池的方法-CN201611002477.9有效
发明人：王书荣;杨敏;蒋志;李志山;刘思佳;陆熠磊;郝瑞亭 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用射频磁控溅射锡（Sn）靶和硫化铜（CuS）靶制备铜锡硫（Cu2SnS3，CTS）薄膜的方法，其特征在于采用了金属单质锡靶和化合物硫化铜靶混合溅射制备铜锡硫薄膜预制层，然后对预制层进行软退火及高温硫化，得到铜锡硫薄膜；该方法与传统的溅射金属单质铜靶和锡靶相比，能够更好地控制薄膜体内的载流子浓度；与溅射硫化铜靶和硫化锡靶相比，能够解决高温硫化，薄膜易从衬底脱落和产生孔洞的问题；溅射制备的预制层经过软退火及高温硫化后，得到均匀致密、光电特性较优的铜锡硫薄膜，尝试将其用于制备铜锡硫薄膜电池，最终获得了1.32%的光电转换效率；为制作铜锡硫薄膜太阳电池提供了一种较佳的吸收层制备方案。
溅射硫化铜制备铜锡硫薄膜电池方法

[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的制备方法-CN201510984107.9有效
发明人：郝瑞亭;刘思佳;任洋;赵其琛;王书荣;蒋志;李志山;杨敏;陆熠磊 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用二元化合物靶逐层溅射制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜的方法，相比于传统的多靶(单质靶或单质靶与二元靶组合)分步溅射或多靶(单质靶或二元靶)共溅射的优点在于本方法基于CZTS的形成机理2CuS + SnS=Cu2SnS3,Cu2SnS3+ ZnS + S(g)=Cu2ZnSnS4，只需一个CuS靶、一个SnS和一个ZnS靶溅射得到CZTS预制层并通过后续的硫化退火得到CZTS薄膜，该方法不仅工艺过程简单、成膜效率高，薄膜平整，致密性高，而且在预置层硫化退火的过程中能有效抑制铜硫相(Cu2‑xS)及硫锡相(Sn2‑xS)的生成，同时还可以有效的控制S与Mo的反应形成硫化钼（MoS2），大大提高了CZTS薄膜的均匀性，有助于得到单相的CZTS薄膜。
一种铜锌锡硫薄膜制备方法

[发明专利]一种简单结构制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法-CN201610995104.X在审
发明人：王书荣;陆熠磊;李志山;蒋志;杨敏;徐信 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用简单结构制备铜锌锡硫（Cu2ZnSnS4）薄膜电池的方法，其特征在于采用硫化物靶和金属单质锡靶溅射制备铜锌锡硫薄膜预制层，然后对预制层进行高温硫化，将得到的铜锌锡硫薄膜用磁控溅射制备CdS薄膜，最终用蒸发法制备Ni/Al电极得到完整器件，最终获得了2.95%的光电转换效率；本发明的优点在于（1）传统结构(SLG/Mo/Cu2ZnSnS4/CdS/i‑ZnO/AZO/Al)的薄膜电池中界面较多，而简单结构(SLG/Mo/Cu2ZnSnS4/CdS/Al)不存在CdS/i‑ZnO/AZO/Al之间的界面，因此大大地减小了界面复合；（2）窗口层的高带隙材料会吸收一部分高能光子，而简单结构有利于薄膜电池吸收更多的高能光子；（3）复杂结构制作成本较高，不利于工业化生产；简单结构简化了工艺步骤、降低生产成本，易于大规模生产。
一种简单结构制备铜锌锡硫薄膜太阳电池方法

[发明专利]氧化锌靶溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法-CN201610110324.X在审
发明人：王书荣;陆熠磊;李志山;蒋志;杨敏;唐语 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜锌锡硫薄膜电池的方法，具体包括以下步骤：将钠钙玻璃衬底用丙酮、酒精、去离子水超声清洗，用重铬酸钾溶液浸泡，最后用去离子水超声清洗，用氮气吹干备用。将钠钙玻璃衬底放入磁控溅射系统中沉积1μm的钼背电极；以SLG/Mo/ZnO/Sn/Cu的顺序进行射频溅射，沉积600~800nm的铜锌锡氧预制层。将预制层在氮气下低温热处理，随后高温硫化得到铜锌锡硫薄膜吸收层，并制备成完整的电池结构。本发明的优点在于：（1）铜锌锡预制层在硫化后很难生成平坦吸收层，铜锌锡氧预制层硫化后表面平整并且没有针孔。（2）引入氧原子避免了硫化过程中体积突然膨胀，使薄膜脱落。(3)氧化锌在底部能起到阻挡层的作用，抑制硫化过程中生成硫化钼。
氧化锌溅射制备铜锌锡硫薄膜太阳电池方法