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[发明专利]金属氧化物膜的制造方法-CN200580038496.0无效
发明人：小堀裕之;大川晃次郎;中川博喜;薮内庸介;野村圭介 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物膜的制造方法，是使用金属氧化物膜形成用溶液的廉价的湿式涂覆法，可以在具有复杂的构造部的基材或多孔材料的基材等上获得均匀并且致密而具有足够的膜厚的金属氧化物膜。本发明通过提供如下的金属氧化物膜的制造方法来解决所述问题，即，具有：第一金属氧化物膜形成工序，其通过使溶解了作为金属源的金属盐或金属络合物、氧化剂及还原剂的至少一方的第一金属氧化物膜形成用溶液与基材接触，而在所述基材上形成第一金属氧化物膜；第二金属氧化物膜形成工序，其通过将具备了所述第一金属氧化物膜的基材加热至金属氧化物膜形成温度以上的温度，使之与作为金属源溶解了金属盐或金属络合物的第二金属氧化物膜形成用溶液接触，而获得第二金属氧化物膜。
金属氧化物制造方法

[发明专利]金属氧化物膜的制造方法-CN200580038483.3无效
发明人：小堀裕之;大川晃次郎;野村圭介 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物膜的制造方法，是不对基材表面进行催化剂化处理而在基材表面上直接形成金属氧化物膜的金属氧化物膜的制造方法，即使在基材具有构造部的情况下，也可以用简便的工序获得均匀的金属氧化物膜。本发明通过提供如下的金属氧化物膜的制造方法来解决所述问题，即，是通过使作为金属源溶解了金属盐或金属络合物的金属氧化物膜形成用溶液接触基材表面来获得金属氧化物膜的金属氧化物膜的制造方法，其特征是，所述金属氧化物膜形成用溶液含有还原剂
金属氧化物制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210538580.4在审
发明人：金子寿辉;木村史哉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：半导体装置包括基板、基板上的氧化物半导体层、氧化物半导体层上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的金属氧化物层和金属氧化物层上的栅极电极，金属氧化物层的第1侧面在俯视时从栅极电极的第2侧面突出。在基板上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成金属氧化物膜，在金属氧化物膜上形成金属膜，在金属膜上形成抗蚀剂，通过将抗蚀剂作为掩模对金属膜和金属氧化物膜连续地进行湿蚀刻，来形成栅极电极和金属氧化物层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510783008.4有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜。然后通过金属氧化物膜向该金属氧化物膜引入（添加）氧并且进行热处理。通过氧引入及热处理的这些步骤，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。此外，通过设置金属氧化物膜，可以在晶体管中防止氧化物半导体膜的背沟道侧上产生寄生沟道。
氧化物半导体膜金属氧化物膜热处理晶体管半导体装置寄生沟道引入漏电极氢化物源电极带电沟道羟基去除覆盖制造

[发明专利]来自次氧化物的自对准结构-CN201880057132.4有效
发明人： S·冈迪科塔;S·S·罗伊;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述方法包括：在基板特征中形成金属次氧化物膜，以及氧化所述次氧化物膜以形成自对准结构，所述自对准结构包括金属氧化物。在一些实施例中，可沉积金属膜，并接着处理金属膜以形成金属次氧化物膜。在一些实施例中，可重复沉积和处理金属膜以形成金属次氧化物膜的工艺，直到在基板特征内形成预定深度的金属次氧化物膜为止。
来自氧化物对准结构

[发明专利]半导体装置-CN201180017087.8有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括：绝缘膜；在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；在第二金属氧化物膜上与该第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。
半导体装置

[发明专利]高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置-CN201711351929.9在审
发明人：刘伟;唐彬 -专利权人：南昌欧菲光学技术有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。该高阻膜包括导电金属氧化物及掺杂在导电金属氧化物中的绝缘氧化物，高阻膜的方块阻抗为10⁵～10¹²Ω/□。在导电金属氧化物中掺杂绝缘氧化物，可以降低导电金属氧化物的导电性能，从而获得阻抗比导电金属氧化物自身阻抗更高的高阻膜。也即高阻膜的阻抗介于导电金属氧化物与绝缘氧化物之间，可以用于替代具有与其具有相同阻抗的导电金属氧化物膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。当需要的目标阻抗只能由某一价格昂贵的物质提供时，而且这种价格昂贵的物质还为稀缺物质(例如，铟)时，其储存量越来越少，且逐步趋于枯竭时，采用该高阻膜替代可以降低成本，避免资源枯竭。
高阻导电金属氧化物阻抗绝缘氧化物电子装置复合膜掺杂铟锡氧化物膜二氧化锡膜导电性能目标阻抗氧化锌膜储存量阻抗比替代

[发明专利]半导体装置-CN201610569671.9有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置，氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜，该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型(本征)的氧化物半导体膜
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180016101.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜，该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型（本征）的氧化物半导体膜
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910962585.8在审
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括：绝缘膜；在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；在第二金属氧化物膜上与该第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。
金属氧化物膜氧化物半导体膜半导体装置绝缘膜栅极绝缘膜氧化物半导体电连接电特性漏电极源电极栅电极

[发明专利]半导体装置-CN201610142653.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括：绝缘膜；在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；在第二金属氧化物膜上与该第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。
半导体装置

[发明专利]带有金属氧化物膜的物品-CN201480068374.5有效
发明人：玉井一诚;森永均;浅野宏;浅井舞子;若林谅 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： B32B15/16 文献下载
摘要：本发明提供具备色彩和金属光泽的新型构成的带有金属氧化物膜的物品。此处公开的带有金属氧化物膜的物品的特征在于，其具备：由金属材料形成的基材、和覆盖该基材的表面的由金属氧化物形成的金属氧化物膜，前述金属氧化物膜通过使用由前述金属氧化物形成的颗粒对前述基材的表面进行研磨而形成
金属氧化物膜基材金属氧化物金属材料金属光泽研磨覆盖

[发明专利]金属氧化物膜形成性组合物、使用其的金属氧化物膜的制造方法、及使金属氧化物膜的体积收缩率降低的方法-CN202180085571.8在审
发明人：山内贤一;野田国宏;盐田大 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：本发明提供金属氧化物膜形成性组合物、使用其的金属氧化物膜的制造方法、及使金属氧化物膜的体积收缩率降低的方法，所述金属氧化物膜形成性组合物提供在400℃以下的加热时体积收缩被抑制的金属氧化物膜。本发明涉及的金属氧化物膜形成性组合物含有金属氧化物纳米团簇、封盖剂、基材和溶剂，前述金属氧化物纳米团簇的尺寸为5nm以下，前述封盖剂包含选自由烷氧基硅烷、酚、醇、羧酸及羧酰卤组成的组中的至少一种，在前述金属氧化物膜形成性组合物的固态成分中
金属氧化物形成组合使用制造方法体积收缩降低

[发明专利]制造带有锥形平顶侧壁膜的半导体设备的方法-CN03154373.1无效
发明人：佐藤好弘 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2003-08-20 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体设备的方法，其依次包括以下几个步骤：在底层绝缘膜上依次淀积金属、氮化物和氧化物膜，对氮化物膜和氧化物膜进行构图，使氧化物膜的构图区域小于氮化物膜的构图区域，利用所述氮化物膜和氧化物膜作为掩模对所述金属膜进行构图，在氮化物膜、氧化物膜和金属膜上形成具有锥形平顶结构的侧壁膜，用夹层电介质膜包埋侧壁氧化物膜，利用侧壁氧化物膜作为腐蚀停止器在夹层电介质膜和底层氧化物膜中形成一接触孔。
制造带有锥形平顶侧壁半导体设备方法

[发明专利]多层包覆粉末及其生产方法-CN97196396.7有效
发明人：中塚胜人;新子贵史 -专利权人：日铁矿业株式会社;中塚胜人
申请日： 1997-06-06 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：在用两层或多层金属氧化物等包覆一种金属、金属氧化物等基体粉末形成多层包覆粉末的工艺中，金属氧化物等的膜是通过一种廉价的金属盐的分解等形成的。这一点是通过以下方法实现的，当发生能够产生酸等的金属盐分解反应等时，使得粉末颗粒不被酸腐蚀。多层包覆粉末的多层膜包括至少一层由一种金属醇盐的水解形成的金属氢氧化物或金属氧化物膜组成的层，作为沉积在上述层之外的一层是一层由金属盐的反应(如中和反应或热解反应)形成的金属氢氧化物或金属氧化物膜组成的包覆膜通过加热，由金属醇盐水解形成的这种金属氢氧化物或金属氧化物膜变成一种致密的金属氧化物膜。
多层粉末及其生产方法

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