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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]研磨用组合物及使用其的研磨方法-CN202280017862.8在审
发明人：若林谅 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：提供用于能够降低研磨对象物的研磨后的表面上的磨粒残渣的手段。本发明的研磨用组合物包含磨粒和分散介质，所述磨粒是平均粒径(D50)大于1.0μm且一次颗粒的圆形度为0.90以上的二氧化硅颗粒。
研磨组合使用方法

[发明专利]粉体、填料、组合物、填料的制造方法-CN202180095006.X在审
发明人：岩国真弓;芦高圭史;三轮直也 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B25/37 文献下载
摘要：提供适合作为要求透明性的光学材料、树脂的填料且透射率高的粉体。本发明的粉体包含结晶性板状磷酸钛颗粒，并且粒径为0.52μm以上且0.87μm以下的颗粒的比例为7.0％质量以下。
粉体填料组合制造方法

[发明专利]研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法-CN202010951611.X有效
发明人：前僚太;大西正悟 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明所述的研磨用组合物包含磨粒、碱性无机化合物、阴离子性水溶性高分子和分散介质；前述磨粒的zeta电位为负，前述磨粒的长径比超过1.1，在利用激光衍射散射法求出的前述磨粒的粒径分布中，从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的90％时的颗粒的直径D90与从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的50％时的颗粒的直径D50的比D90/D50超过1.3。
研磨组合方法半导体制造

[发明专利]研磨方法和研磨用组合物-CN202280013238.0在审
发明人：中贝雄一郎;织田博之;伊藤康昭;井出匠学;高见信一郎 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2022-02-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种研磨方法和研磨用组合物，其适用于碳化硅的研磨，能够抑制研磨中的研磨用组合物的pH上升和垫温度上升。提供一种对具有由碳化硅构成的表面的研磨对象物进行研磨的方法。该方法包括：准备研磨用组合物的工序；以及、对上述研磨对象物供给上述研磨用组合物而对该研磨对象物进行研磨的工序。上述研磨用组合物包含高锰酸盐、金属盐A和水。上述金属盐A是水合金属离子的pKa小于7.0的金属阳离子与阴离子的盐。
研磨方法组合

[发明专利]研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法-CN202310306963.3在审
发明人：前僚太;熊山茜;多田真树 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：一种研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法。提供能够以高研磨速度对有机材料进行研磨且能够降低研磨后的刮痕的手段。一种研磨用组合物，其包含氧化锆颗粒和分散介质，前述氧化锆颗粒包含正方晶系氧化锆和立方晶系氧化锆中的至少一者，前述氧化锆颗粒的平均二次粒径小于80nm。
研磨组合方法半导体制造

[发明专利]表面处理组合物、表面处理方法和半导体基板的制造方法-CN202310311491.0在审
发明人：吉野努 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C11D3/37 文献下载
摘要：本发明涉及表面处理组合物、表面处理方法和半导体基板的制造方法。提供：能充分去除残留于研磨完的研磨对象物的表面的残渣的方案，所述研磨完的研磨对象物包含氮化硅、以及选自由氧化硅和多晶硅组成的组中的至少1种。一种表面处理组合物，其包含：不含氮的非离子性高分子、含氮的非离子性高分子、以及阴离子性高分子，前述不含氮的非离子性高分子的重均分子量低于100000，前述含氮的非离子性高分子的重均分子量相对于前述不含氮的非离子性高分子的重均分子量之比(含氮的非离子性高分子/不含氮的非离子性高分子)为0.1以上且10以下，所述表面处理组合物的pH低于7.0。
表面处理组合方法半导体制造

[发明专利]碳化硅粉末和其制造方法-CN202310325570.7在审
发明人：增田祐司;大津平;佐藤未那;牛田尚幹;諌山拓弥;稻垣春那;伴直美 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅粉末和其制造方法。[课题]提供：即使添加至液态树脂、熔融金属等液态的异种材料中也不易引起增稠的碳化硅粉末。[解决方案]碳化硅粉末其是晶系为α型的碳化硅的粉末，构成碳化硅的粉末的碳化硅的一次颗粒在表面所具有的角部中，小角部的数量相对于每1个一次颗粒为2.5个以下。该小角部是如下角部：一次颗粒的投影图像中的一次颗粒的轮廓中存在的角部中，其曲率半径的2倍为一次颗粒的投影图像的海伍德直径的1/5以下。
碳化硅粉末制造方法

[发明专利]研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法-CN202310296958.9在审
发明人：吉野努 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法。提供：以缓慢的速度对研磨对象物进行研磨、且能充分去除研磨对象物表面的残渣的方案。提供一种研磨用组合物，其包含：阴离子改性胶体二氧化硅；分散介质；阴离子性水溶性高分子，其为包含具有磺酸基或其盐的基团的结构单元和具有羧基或其盐的基团的结构单元的共聚物；重均分子量为200以上且700以下的聚丙二醇；前述重均分子量为200以上且700以下的聚丙二醇以外的不含氮的非离子性高分子；和，含氮的非离子性高分子。
研磨组合方法半导体制造

[发明专利]表面处理组合物-CN202310312112.X在审
发明人：德岛荣至;吉野努 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明涉及表面处理组合物。本发明提供能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物表面的残渣的方法。本发明提供一种表面处理组合物，其包含下述(A)成分和(B)成分、且pH为8.0以上，(A)成分：具有含有含氮季鎓盐的结构单元或下述结构(X)的结构单元的高分子；(B)成分：式R‑COO‑NH4+所示的缓冲剂。#imgabs0#
表面处理组合

[发明专利]表面处理组合物、表面处理方法、和半导体基板的制造方法-CN202310312118.7在审
发明人：德岛荣至;吉野努 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明为表面处理组合物、表面处理方法、和半导体基板的制造方法。本发明提供能够充分地去除残留于完成了研磨的研磨对象物表面的残渣的手段。本发明的表面处理组合物包含下述(A)～(C)成分、且pH超过7.0。(A)成分：具有碳数7以上的直链或支链的烷基和碳数7以上的直链或支链的烯基中的至少1者的含氮季鎓盐化合物；(B)成分：非离子性高分子；(C)成分：由式A‑COO‑NH4+所示的缓冲剂。
表面处理组合方法半导体制造

[发明专利]磺酸改性胶态二氧化硅-CN202310258465.6在审
发明人：坪田翔吾;芦高圭史;伊藤昌明;平野达彦;铃木章太 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种磺酸改性胶态二氧化硅。本发明提供能进一步改善酸性条件下的稳定性和清洗性的方案。本发明为一种磺酸改性胶态二氧化硅，其中，每1g颗粒的磺酸基量为1.5μmol以上且13.0μmol以下。
改性二氧化硅

[发明专利]研磨用组合物-CN202280010432.3在审
发明人：田边谊之;浅田真希 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：提供可高水平兼顾抑制研磨速率的降低和消除HLM周缘隆起的研磨用组合物。提供用于在硅晶圆的预备研磨工序中使用的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、螯合剂、表面活性剂、含氮水溶性高分子及水。上述碱性化合物的重量浓度(B)相对于上述表面活性剂的重量浓度(S)的比(B/S)为50以上。
研磨组合

[发明专利]研磨用组合物-CN202280013240.8在审
发明人：中贝雄一郎;伊藤康昭;织田博之;井出匠学;高见信一郎 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2022-02-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：提供一种研磨用组合物，其包含磨粒、高锰酸盐、铝盐和水。在上述研磨用组合物中，上述磨粒的浓度W1[重量％]、上述高锰酸盐的浓度C1[mM]和上述铝盐的浓度C2[mM]的关系满足下述条件[A]、[B]、[C]中的至少一个条件。[A]满足500≤(C1/W1)和0.04≤(C2/C1)两者。[B]满足200≤(C1/√(W1))和8≤C2两者。[C]满足500≤(C1/W1)和8≤C2两者。
研磨组合

[发明专利]研磨用组合物-CN201880023169.5有效
发明人：沼田圭祐;土屋公亮;谷口惠;竹本贵之 -专利权人： 福吉米株式会社;东亚合成株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种可以有效地减少边缘塌边量的研磨用组合物。通过本发明提供的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、含氮水溶性高分子和水。含氮水溶性高分子的分子内不具有N‑H键。
研磨组合

[发明专利]研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法-CN202310195890.5在审
发明人：多田真树;熊山茜 -专利权人： 福吉米株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法。提供：用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的研磨速度之比的方案。提供一种研磨用组合物，其含有：磨粒，其包含至少1种氧化锆颗粒；选择比改善剂，其用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的研磨速度之比、且包含由1价的阴离子和1价以上的阳离子形成的至少1种盐；和，pH调节剂，其包含至少1种酸，所述研磨用组合物的pH超过3.0且低于7.0，前述磨粒的Zeta电位为正的值。
研磨组合方法半导体制造

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