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[发明专利]一种在炼钢过程中消耗金属化球团的方法-CN202211149771.8在审
发明人：袁天祥;张立峰;陈虎;刘鸿明;田贵昌;刘延强;薛苗苗;任强;关顺宽;尹世超;危尚好;张海华;乔焕山;李向奎;李欣欣;杨晋;丁国慧;石磊;张伟龙 -专利权人：首钢京唐钢铁联合有限责任公司;燕山大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C21C7/064 文献下载
摘要：本申请涉及一种在炼钢过程中消耗金属化球团的方法，属于金属化球团的回收利用技术领域，所述方法包括：将金属化球团加入铁水脱硫工序中进行铁水脱硫，和/或，将金属化球团加入转炉工序中进行钢水冶炼，用以实现金属化球团在炼钢中的利用该方法将金属化球团加入到炼钢中的铁水脱硫工序段，和/或，转炉工序段，充分利用金属化球团的的Fe元素，实现了在满足炼钢工序中脱硫、转炉加废钢、兑铁水、吹炼等过程的同时，实现了金属化球团的回收利用，有效解决了金属化球团因碱金属高无法在炼钢工序中使用的问题
一种炼钢过程消耗金属化方法

[实用新型]一种电路凸点下金属化层结构及电路板-CN202121540771.1有效
发明人：代雪梅;张雪林;李刘中;袁山富 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本申请公开一种电路凸点下金属化层结构及电路板，其中，一种电路凸点下金属化层结构，包括：电路结构，所述电路结构包括第一压焊点；凸点下金属化层，所述凸点下金属化层铺设于所述第一压焊点的顶部，所述凸点下金属化层上设有镂空结构通过设置所述凸点下金属化层上设有镂空结构，能够为所述凸点下金属化层在压合时挤压变形的凸点下金属化层提供容纳空间，避免所述凸点下金属化层在压合安装电器元件时发生变形金属从电器元件的四周溢出造成短路。
一种电路凸点下金属化结构电路板

[发明专利]具有离散金属堆叠图案的堆叠电感器-CN202280017822.3在审
发明人：金钟海;C·H·芸;J-H·兰;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种电感器包括第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括第二金属化层多匝迹线，该第二金属化层多匝迹线通过至少一个第一过孔被耦合至第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括多个离散的第三金属化层迹线段，该多个离散的第三金属化层迹线段通过多个第二过孔耦合至第二金属化层多匝迹线。
具有离散金属堆叠图案电感器

[发明专利]一种超声波辅助陶瓷表面局部金属化的方法-CN201310276903.8有效
发明人：许志武;马琳;黎华栋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：一种超声波辅助陶瓷表面局部金属化的方法，涉及陶瓷表面金属化的方法。本发明的目的是要解决现有的陶瓷表面局部金属化方法的设备成本高、工艺复杂、耗时久和金属化原料种类少的问题。本发明方法如下：一、超声清洗待金属化的陶瓷基材；二、预切割金属化原料；三、加热融化金属化原料；四、超声波处理。本发明方法可应用于电子工业和陶瓷材料等领域。
一种超声波辅助陶瓷表面局部金属化方法

[发明专利]一种金属化陶瓷板及其制备方法-CN202110865759.6在审
发明人：林方婷;赵安;张凯;胡含 -专利权人：富士新材（深圳）有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属化陶瓷板及其制备方法。该金属化陶瓷板包括：陶瓷基板；金属导电层，设置在陶瓷基板的一侧，用于实现金属化陶瓷板的导电性。本申请采用陶瓷基板作为整个金属化陶瓷板的支撑结构，因陶瓷的刚性大于金属的刚性，因此能够提高整个金属化陶瓷板的刚性，增加其寿命，且因陶瓷的重量小于金属的重量，因此能够减小整个金属化陶瓷板的重量；且本申请通过金属导电层传输电信号，能够实现金属化陶瓷板的导电性。与传统的金属板比较，本申请金属化陶瓷板能够保证导电性能，且能够提高刚性，延长寿命，还能缩小重量，便于其轻便化设计。
一种金属化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种耐大电流薄膜电容器-CN202310278514.2在审
发明人：汤泽波;曹慧;徐湘华;王金兵 -专利权人：安徽赛福电容股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐大电流薄膜电容器，包括第一有机薄膜层和第二有机薄膜层，所述第一有机薄膜层和第二有机薄膜层上分别蒸镀有第一金属化层和第二金属化层，以此形成第一金属化薄膜层和第二金属化薄膜层。本发明通过在第一有机薄膜层和第二有机薄膜层上分别蒸镀第一金属化层和第二金属化层，可得到第一金属化薄膜层和第二金属化薄膜层，然后在第一金属化薄膜层与第二金属化薄膜层之间设有金属箔，可以对电容器元件芯子的外圈增强电容器极板，大幅度增加了电容器的耐大电流能力，还能保证金属化薄膜电容器的性能基本不受影响，使其依然具有良好的自愈性。
一种电流薄膜电容器

[实用新型]一种易集成端射宽带相控阵天线-CN202123060561.5有效
发明人：刘雪飞;康育贵;张霖;狄隽 -专利权人：航天科工微系统技术有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型公开一种易集成端射宽带相控阵天线，包括金属壳体以及局部安装在金属壳体内的多层PCB板，多层PCB板包括表面覆铜层以及至少一个覆铜的中间层，多层PCB板设有第一类金属化孔，第一类金属化孔有两列，两列第一类金属化孔均纵向布置，每列第一类金属化孔有若干个，第一类金属化孔与多层PCB板的所有覆铜层均连接；多层PCB板还设有第二类金属化孔，第二类金属化孔位于两列第一类金属化孔之间，第二类金属化孔连接多层PCB板的表面覆铜层，第二类金属化孔不连接所述覆铜的中间层；第一类金属化孔、第一类金属化孔均位于金属壳体内。
一种集成宽带相控阵天线

[发明专利]用于存储器器件的金属化工艺-CN201680046763.7有效
发明人： Y·陆;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种制造器件(100)的方法包括形成第一金属化层(102)，第一金属化层(102)耦合至该器件的逻辑器件。该方法进一步包括形成第二金属化层(161)，第二金属化层(161)耦合至该器件的磁阻随机存取存储器(MRAM)模块(160)。第二金属化层独立于第一金属化层。
用于存储器器件金属化工艺

[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法-CN201410213221.7有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法。所述功率半导体芯片包括发射极/源极区、栅极区和集电极/漏极区，在每一个电极区对应铜金属化结构依次包括阻挡层、籽铜层、铜金属化层，该铜金属化结构还包括增强层，其中，增强层位于籽铜层和铜金属化层之间，或者，增强层位于阻挡层和籽铜层之间，或者，增强层位于铜金属化层的上方。这种铜金属化结构能够减少铜金属化层的厚度，因而有利于降低铜金属化的工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
功率半导体芯片金属化结构及其制作方法

[实用新型]一种WIFI模块金属化半孔的PCB板-CN201720684432.8有效
发明人：周锋;管术春;段绍华 -专利权人：江西景旺精密电路有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种WIFI模块金属化半孔的PCB板，包括金属化半孔，所述金属化半孔的边缘设有蚀刻槽，所述蚀刻槽为长方体槽，所述金属化半孔的边缘线距所述金属化半孔与该边缘线平行的直径的距离为0.1±0.02mm本实用新型金属化半孔的边缘设有蚀刻槽，金属化半孔成型前先蚀刻出蚀刻槽，再采用模冲的方式成型出金属化半孔，金属化半孔表面光滑，没有披锋残留，因此不需要增加披锋的后处理工序，提高了产品的质量，提高了生产效率
一种 wifi 模块金属化 pcb

[实用新型]一种金属化膜电容器-CN201822081320.0有效
发明人：刘尚平;谌清明 -专利权人：东莞市常友实业有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属化膜电容器，包括金属化薄膜，所述金属化薄膜包括第一金属化薄膜和第二金属化薄膜，第一金属化薄膜和第二金属化薄分别由若干段薄膜构成，相邻的两段薄膜之间通过芯棒连接，第一金属化薄膜和第二金属化薄膜错位重叠缠绕得到卷轴形成电容器
金属化薄膜本实用新型卷轴合金丝芯棒锌锡薄膜金属化膜电容器电容器瞬间大电流错位重叠卷轴表面两端端面脉冲磁疗散热性能高电压金属化绝缘料铜螺母灌封两段喷涂衰减填充缠绕焊接应用

[实用新型]一种金属化光纤光栅-CN201520015175.X有效
发明人：刘强;文继华 -专利权人：石家庄经济学院
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及光纤光栅传感器技术领域，具体涉及一种金属化光纤光栅。针对现有金属化光纤光栅应变灵敏度较低的不足，本实用新型提供了一种金属化光纤光栅。本实用新型由光纤和金属管组成，光纤两端设置有金属化区，金属化区之间为光栅区，金属化区表面依次覆有镀镍层和镀金层，金属管与光纤相连的一端覆有镀金层，光纤的金属化区与金属管的镀金层焊接连接。
一种金属化光纤光栅

[实用新型]封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳-CN201920911875.5有效
发明人：朱坤存;杨旭东;宋树良;王迎春;张振兴;刘贵庆;相裕兵;伊新兵 -专利权人：济南市半导体元件实验所
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本申请提供了封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、第一陶瓷金属化层、第二陶瓷金属化层、第三陶瓷金属化层、第四陶瓷金属化层、8个引脚、多个内通孔金属化柱以及8个外凹槽金属化层；通过多层陶瓷与多层金属化及通孔金属化共烧、陶瓷金属化面与不同材料金属的同步焊接、多种材料的匹配组装以及银铜焊料在不同材料表面的润湿分布，实现了结构优化、材料优化以及加工工艺的优化与强强联合
陶瓷金属化层二极管塑封器件陶瓷外壳金属化替换润湿耐高温性能陶瓷金属化材料金属材料优化多层金属多层陶瓷集成封装结构优化金属盖板金属化层陶瓷基座同步焊接银铜焊料金属环内通孔外凹槽电阻共烧可用通孔引脚封装匹配组装申请优化

[发明专利]氧化铍陶瓷金属化方法-CN201510794320.3有效
发明人：王刚;林贵洪;尚华;任鹏道;刘志文;毛晋峰 -专利权人：宜宾红星电子有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及氧化铍陶瓷金属化方法。本发明解决的技术问题是：提供一种氧化铍陶瓷金属化方法，包括如下步骤：A、采用Al₂O₃、SiO₂、CaCO₃、BaCO₃原料和球磨工艺制备金属化浆料添加剂；B、混入钨粉、锰粉，球磨得到金属化粉料；C、混入活性剂Y₂O₃和粘结剂，振磨过滤后得到金属化浆料；D、金属化烧结。采用本发明金属化方法，浆料烧结温度低，单次烧结金属化层厚且可多次烧结，同时节约能耗；并且镀镍后金属化层剥离效果好、剥离强度高，金属化层抗拉强度高等特点，不仅仅满足99％氧化铍陶瓷金属化要求，还能满足97
氧化铍陶瓷金属化方法

[发明专利]杂散电感低的功率模块-CN201710356727.7有效
发明人： D.科特;F.特劳布 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司;奥迪股份公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供半桥的功率模块包括至少一个衬底和内部金属化区域、两个中间金属化区域和两个外部金属化区域，它们各自沿至少一个衬底的纵向方向延伸；其中，两个中间金属化区域相对于至少一个衬底的横向方向布置在内部金属化区域的旁边，并且各个外部金属化区域相对于横向方向布置在两个中间金属化区域中的一个的旁边；功率模块包括两个内组半导体开关，各个内组半导体开关结合到中间金属化区域上且电连接到内部金属化区域上，使得内组半导体开关形成半桥的第一臂；功率模块包括两个外组半导体开关，各个外组半导体开关结合到外部金属化区域上且电连接到中间金属化区域上，使得外组半导体开关形成半桥的第二臂。
电感功率模块