“重掺磷直拉硅单晶 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果423282个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片-CN201510083673.2有效
发明人：田达晰;马向阳;李刚;何永增;郑铁波;梁兴勃;陈华;王震 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片。磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶，磷作为主要掺杂元素，砷、锑中的一种或二种作为辅助掺杂元素，所述的磷的浓度大于等于4.6×1019/cm3,在掺杂元素中占比大等于60%，辅助掺杂元素在掺杂元素中的占比为本发明能消除或显著减少硅外延片中因晶格失配引起的滑移线的N型重掺直拉硅单晶，可以有效减少或消除在由高掺杂浓度的N型重掺直拉硅单晶加工的抛光片上生长外延层时产生的失配位错线缺陷；且在解决该问题的同时不会产生在高温过程后半导体器件过渡区变宽的问题；改变了业界惯例即在硅单晶中磷砷锑中的多种不能同时作为掺杂剂。
磷砷锑共掺杂型重掺直拉硅单晶及其外延

[发明专利]用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场-CN200310117762.1有效
发明人：田达晰;马向阳;林必清;李晓军;李立本 -专利权人：宁波立立电子股份有限公司
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶上部热场。它具有保温罩、在保温罩外侧设有上盖板并固定在保温罩上端、上盖板放置在支承筒上。保温罩为上、下两中空圆锥台连接件。本发明的新型热场结构加强了对单晶的冷却作用，从而增大了固液界面处的温度梯度，使用本发明的新型热场解决了在普通标准热场中不能生长六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的难题，使六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的生长变得与普通高电阻率直拉硅单晶一样容易
用于英寸重掺磷直拉硅单晶制造上部

[发明专利]掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺-CN201010104303.X无效
发明人：杨德仁;林丽霞;陈加和;马向阳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开的掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺，是将初始氧浓度为0.5×1018cm-3-5×1018cm-3，锗浓度为0.1×1019cm-3-10×1019cm-3，磷浓度为1×1019cm-3-10×1019cm-3的掺锗重掺磷直拉单晶硅片，在氩气氛下，于扩散热处理炉中进行退火；或者在氩气氛下，于快速热处理炉中先热处理再进行退火。本发明制备工艺可以有效实现掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构，并且这种内吸杂结构能够有效的吸杂过渡族金属杂质铜，保证洁净区的完整性，从而使掺锗重掺磷直拉单晶硅有望成为一种具有内吸杂功能的新型硅单晶材料而应用于集成电路制造中
掺锗重掺磷直拉单晶硅内吸杂结构制备工艺

[发明专利]将硅磷合金用于重掺磷硅单晶生长掺杂的使用方法-CN202211603799.4在审
发明人：沈益军;潘金平;肖世豪;杨国梁;王伟棱;张立安;饶伟星;郑欢欣;赵亮;冯小娟 -专利权人：海纳半导体（山西）有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及直拉硅单晶生长技术领域，具体地说，涉及将硅磷合金用于重掺磷硅单晶生长掺杂的使用方法。包括：设计新型石英舟；制备特定重量的高磷含量的硅磷合金；将硅磷合金连同新型石英舟一起清洗后放置在石英坩埚底部中央；将新型石英舟置于热区中央；将热区上升至设定温度并保持恒温一段时间；升温至熔化完成。本发明设计可将硅磷合金连同石英舟一起直接用于重掺磷硅单晶生长掺杂，不需分离两者；可以精准计算出所需硅磷合金的重量，便于控制磷含量；将石英舟置于热区中央，辅以特定升温工艺，可以实现石英舟与石英坩埚完全粘连，不会漂浮至液面；使用石英舟可以增加硅熔液和石英的接触面积，有利于提高重掺磷硅单晶氧含量。
将硅磷合金用于重掺磷硅单晶生长掺杂使用方法

[发明专利]直拉硅单晶生长的重掺杂方法-CN00122075.6无效
发明人：沈益军;马向阳;田达晰;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2000-08-16 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶生长的重掺杂方法。本发明是通过掺杂器缓慢地进入熔硅内，避免了掺杂剂骤热而引起的爆炸，使掺入量能得到更好的控制，同时保证单晶炉膛干净，有利于单晶生长。进行重掺磷、重掺砷和重掺锑硅单晶的生长，有显著的经济效益。
直拉硅单晶生长掺杂方法

[实用新型]直拉法生长高少子寿命掺镓硅单晶炉用的附加导流装置-CN201320077801.9有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶炉用的附加导流装置，包括：石英套筒，石英套筒顶端设置外沿，在外沿下方依次设置若干圆周分布小孔，小孔均匀分布。所述的石英套筒呈倒梯形。通过单晶炉内导流系统的优化，使所生长的掺镓硅单晶的少数载流子寿命（以下简称少子寿命）得以提高。本实用新型具有不破坏通用单晶炉构造、改造成本低、具有能够有效提高直拉法生长掺镓硅单晶少子寿命的特点，并且同样适用于其它直拉法掺杂硅单晶炉，生产掺杂硼的硅单晶和掺杂磷的硅单晶。
直拉法生长少子寿命掺镓硅单晶炉用附加导流装置

[发明专利]显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用-CN201110366137.5有效
发明人：马向阳;徐涛;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用。该腐蚀液由摩尔浓度为0.25～0.35mol/L的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比1∶2～1∶1混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为2.8×1018～4.5×1019cm-3的<100>晶向重掺P型直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀，尤其适用于重掺杂、低阻P型直拉硅单晶空洞型缺陷的显示；具有腐蚀速度快
显示型直拉硅单晶空洞缺陷腐蚀及其应用

[发明专利]一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液-CN201110342033.0有效
发明人：马向阳;徐涛;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液，由摩尔浓度为0.2～0.25mol/L的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比为2∶3～3∶2混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为1.6×10191.1×1020cm-3的<100>、<111>等不同晶向重掺N型直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀，尤其适用于重掺杂、低阻直拉硅单晶空洞型缺陷的显示
一种用于显示型直拉硅单晶空洞缺陷腐蚀

[发明专利]低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法-CN202110958466.2在审
发明人：伊冉;王黎光;张兴茂;闫龙;李小红 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法，属于硅单晶生产技术领域。该生产装置包括由石英材质制成的掺杂舟，所述掺杂舟包括红磷升华室及锗熔融室，以同时向硅熔液中掺杂磷及锗；所述红磷升华室的顶部开设若干红磷挥发孔，所述锗熔融室的底部开设若干锗渗漏微孔。实践表明，掺杂锗后，不仅不影响重掺磷硅单晶的性能，且能够有效提高低电阻率重掺磷硅单晶的整棒率，提高产品合格率，减少浪费。尤其地，生产电阻率为0.001Ω.cm以下的重掺磷硅单晶时，整棒率由不足10%提高至25%。
电阻率重掺磷硅单晶生产装置方法

[发明专利]一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法-CN201210061381.5无效
发明人：张雪囡;徐强;陈澄;宋都明;王林;邬丽丽;苗向春 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：旋转磁场发生器安装在旋转磁场发生器支架上，并套装在直拉炉（的外距离直拉炉外壁1～25cm处，在直拉法拉晶过程中开启旋转磁场发生器对硅熔体施加旋转磁场本发明的技术特点是可以有效促进硅熔体的对流，抑制高浓度掺杂剂的向下沉积问题，提高直拉重掺硅单晶的径向电阻率均匀性。
一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀方法

[发明专利]一种用于重掺硼或磷直拉硅单晶掺杂装置和掺杂方法-CN201510417488.2在审
发明人：莫宇;李春龙;吕菲 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于重掺硼或磷直拉硅单晶掺杂装置和掺杂方法，掺杂装置由耐高温石英玻璃制成阶梯型倒置杯状体，从上到下分为固定腔、置放腔、扩散腔三部分，固定腔、置放腔为直径较小的圆筒部分，固定腔顶部四周留有数个小孔用于与直拉硅单晶生长炉内的挂钩连接(3)为直径稍大于固定腔、置放腔直径的开口圆筒，置放腔和扩散腔(3)连接部位有三个L型卡槽，用于固定嵌入的硅片；掺杂时，将掺杂元素置于置放腔内，插入一薄硅片使置放腔和扩散腔隔开，将置放腔和扩散腔都浸入直拉硅单晶炉的熔体中，掺杂元素将在隔绝外界空间的情况下直接在熔体中进行扩散，有益效果是提高了重掺掺杂的准确性和效率，并且该掺杂装置结构简单，使用方便。
一种用于重掺硼磷直拉硅单晶掺杂装置方法

[实用新型]一种用于重掺硼或磷直拉硅单晶的掺杂装置-CN201520515221.2有效
发明人：莫宇;李春龙;吕菲 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于重掺硼或磷直拉硅单晶的掺杂装置，掺杂装置由耐高温石英玻璃制成阶梯型倒置杯状体，从上到下分为固定腔、置放腔、扩散腔三部分，固定腔、置放腔为直径较小的圆筒部分，固定腔顶部四周留有数个小孔用于与直拉硅单晶生长炉内的挂钩连接扩散腔为直径稍大于固定腔、置放腔直径的开口圆筒，置放腔和扩散腔(3)连接部位有三个L型卡槽，用于固定嵌入的硅片；掺杂时，将掺杂元素置于置放腔内，插入一薄硅片使置放腔和扩散腔隔开，将置放腔和扩散腔都浸入直拉硅单晶炉的熔体中，掺杂元素将在隔绝外界空间的情况下直接在熔体中进行扩散，有益效果是提高了重掺掺杂的准确性和效率，并且该掺杂装置结构简单，使用方便。
一种用于重掺硼磷直拉硅单晶掺杂装置

[发明专利]一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法-CN201911231999.X有效
发明人：李英涛;蒿鹏程;方峰;王永涛;崔彬;刘斌;张果虎 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法。包括以下步骤：选择完整的直拉重掺硅单晶，截取单晶头部的圆锥和圆柱部分；纵向剖开取样片；在室温条件下对样片表面进行混酸腐蚀处理，然后纯水清洗至镜面效果，酸液为氢氟酸和硝酸的混合酸；对样片进行热氧化处理；使用质量百分比浓度为本发明能够有效检测直拉重掺硅单晶在生长过程中纹理变化，操作简单易实现，可节约巨额设备支出。
一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理方法

[发明专利]一种微量掺锗直拉硅单晶-CN01139098.0有效
发明人：杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2001-12-06 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明的微量掺锗直拉硅单晶,它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑,浓度为1×1013～1×1020cm－3的锗。这种直拉硅单晶,由于掺杂微量的锗,锗元素的最外层电子数和硅元素一样,都是4个,不会影响硅材料的电学性能,而利用锗和点缺陷(自间隙硅原子、空位)作用,可抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是空洞缺陷,能有效提高硅单晶的质量和成品率
一种微量掺锗直拉硅单晶

[发明专利]一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法-CN202011542807.X在审
发明人：王万华;李英涛;皮小争;崔彬;吴志强;刘斌 -专利权人：有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。本发明通过改进直拉法生长重掺锑硅单晶的收尾工艺，控制尾部形状，可以准确判断出“断胞”位置，从而得到无位错硅单晶。
一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条