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[发明专利]湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法-CN202010947256.9在审
发明人：陈信宏;黄焱誊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。
湿法刻蚀控制系统控制方法

[发明专利]一种刻蚀设备-CN201610004465.3有效
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀设备，涉及显示装置的制造领域。其中，刻蚀设备包括：用于使用刻蚀液对基板进行刻蚀的刻蚀室，所述刻蚀室包括侧板和盖板组成；加热机构，用于至少对所述刻蚀室的盖板进行加热，阻止刻蚀过程中挥发的刻蚀液蒸汽在所述盖板上冷凝。本发明的方案通过对刻蚀室盖板进行加热，可以防止刻蚀液蒸汽在盖板冷凝形成滴液，减少液滴滴落在基板上而产生的刻蚀不均现象，从而改善了刻蚀效果。
一种刻蚀设备

[发明专利]一种湿法刻蚀设备及工艺-CN201310298407.2有效
发明人：陈玮光 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法刻蚀设备，包括刻蚀槽和多个用于支撑待刻蚀硅片的滚轴，多个所述滚轴平行设置于所述刻蚀槽内，且通过若干支架支撑，所述支架与所述滚轴垂直设置；所述滚轴至少分为两段，在其接合处中的一处设置有支架如上设计，待刻蚀硅片与刻蚀液液面之间存在预定夹角，刻蚀过程中，可以利用刻蚀液的液面张力使刻蚀液粘附至待刻蚀硅片的背面和侧面，整体上增大了待刻蚀硅片背面与刻蚀液液面之间的距离，从而刻蚀液不容易爬升至待刻蚀硅片的正面，进而减小刻蚀边，提高太阳能电池的有效受光面积，增大发电量。此外，本发明还公开了一种湿法刻蚀工艺。
一种湿法刻蚀设备工艺

[发明专利]一种刻蚀浆料及刻蚀方法-CN201611219885.X有效
发明人：福克斯·斯蒂芬;吴慧敏;金浩;张昕宇;刘明;郝彦磊;揭晓东 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀浆料，包括：30％～60％的有机聚合物，5％～30％的刻蚀剂，5％～20％的有机粘结剂，10％～30％的有机溶剂和5％～10％的助剂，所述有机聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基戊二酰亚胺和光刻胶中的一种或多种；所述刻蚀剂为酸性刻蚀剂或碱性刻蚀剂。与现有技术相比，采用本发明的刻蚀浆料能够刻蚀出线宽在20微米以下的细线宽图形，有利于提高电池效率。本发明还提供了一种刻蚀方法，本发明提供的刻蚀方法操作简单、易行，在制备出细线宽图案的同时降低了刻蚀技术的复杂性，便于大规模产业化应用。
一种刻蚀浆料方法

[发明专利]一种高效晶体硅太阳能电池的制备方法-CN201611223435.8在审
发明人：白路;罗忠辉 -专利权人：广东技术师范学院
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该方法的步骤包括对硅片进行抛光、制绒、扩散、印刷浆料、刻蚀、清洗、镀膜、印刷电极、烧结，由于采用了印刷性强、可阻挡酸性刻蚀、不容易粘版、容易清洗的阻挡性油墨浆料。另外所使用的酸性刻蚀溶液为HF/HNO3/H2O，可以显著提高方阻。
一种高效晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种湿刻蚀装置及方法-CN201710707461.6在审
发明人：何军 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿刻蚀装置及方法，该装置包括刻蚀槽、喷淋装置、多个滚轮；滚轮设置在刻蚀槽的内部，用于承载待刻蚀的基板；喷淋装置设置在滚轮的上方，用于喷淋刻蚀液；刻蚀槽存储有刻蚀液，且刻蚀液液面高于基板。本发明提供的湿刻蚀装置及方法，可以保证基板刻蚀的均一性，也能保证基板的刻蚀速率。
一种刻蚀装置方法

[发明专利]恒温湿法刻蚀设备及方法-CN201811339203.8在审
发明人：杨抗 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种恒温湿法刻蚀设备及方法，所述恒温湿法刻蚀设备包括：刻蚀槽，用于容纳刻蚀液及待刻蚀晶圆；进液管，一端与刻蚀槽的内部相连通；加热装置，与进液管远离刻蚀槽的一端相连接，用于对经由进液管流经加热装置的刻蚀液进行加热；出液管，一端与加热装置相连接，另一端与刻蚀槽的内部相连通，用于将加热装置加热后的刻蚀液输送至刻蚀槽内。本发明通过引入设置于刻蚀槽外的进液管、加热装置和出液管，对刻蚀槽内的刻蚀液进行加热，避免了在槽内设置加热器而出现腐蚀、漏电等安全隐患，以及因颗粒污染物沉积和刻蚀均匀性不佳而导致的产品良率不佳。
恒温湿法刻蚀设备方法

[实用新型]恒温湿法刻蚀设备-CN201821854138.8有效
发明人：杨抗 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种恒温湿法刻蚀设备，所述恒温湿法刻蚀设备包括：刻蚀槽，用于容纳刻蚀液及待刻蚀晶圆；进液管，一端与刻蚀槽的内部相连通；加热装置，与进液管远离刻蚀槽的一端相连接，用于对经由进液管流经加热装置的刻蚀液进行加热；出液管，一端与加热装置相连接，另一端与刻蚀槽的内部相连通，用于将加热装置加热后的刻蚀液输送至刻蚀槽内。本实用新型通过引入设置于刻蚀槽外的进液管、加热装置和出液管，对刻蚀槽内的刻蚀液进行加热，避免了在槽内设置加热器而出现腐蚀、漏电等安全隐患，以及因颗粒污染物沉积和刻蚀均匀性不佳而导致的产品良率不佳。
刻蚀槽加热装置进液管刻蚀液本实用新型法刻加热出液管流经加热装置加热器颗粒污染物刻蚀均匀性漏电安全隐患产品良率设备维护沉积晶圆刻蚀腐蚀容纳引入

[发明专利]一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置-CN200610031477.1有效
发明人：张明;李继鲁;戴小平;蒋谊;陈芳林 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2006-04-06 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置，在电力电子器件硅片表面进行选择性精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工。先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。先将置于下部的硅片作均速旋转，再通过压缩空气利用虹吸原理将酸性腐蚀液从酸液储罐中吸出，通过喷嘴使酸性腐蚀液雾化，并以一定的张角均匀地喷到硅片表面。
一种旋转方法化学工艺装置

[发明专利]硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法-CN201010285784.9无效
发明人：李芳;周海锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法，包括：提供一酸槽刻蚀液，所述酸槽刻蚀液具有刻蚀固定标准批次产品能力；提供多批次形成硅、氧化硅和氮化硅堆栈结构的产品，并提供每批次产品的数量和参数；根据每批次产品的数量和参数，对该批次产品进行判断，当该批次产品不超过酸槽刻蚀液刻蚀能力，对该批次产品进行酸槽刻蚀；当该批次产品超过酸槽刻蚀液刻蚀能力，更换酸槽刻蚀液，然后对该批次产品进行酸槽刻蚀。本发明采用先进的优化刻蚀工艺，能够避免酸槽内的刻蚀液未完全消耗就被更换，提高酸槽内的刻蚀液利用率，降低生产成本。
氧化氮化堆栈结构刻蚀方法

[实用新型]一种刻蚀设备-CN201620191637.8有效
发明人：刘宁;魏钰;宋博韬 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种刻蚀设备，涉及显示器件制备领域，在喷淋刻蚀过程中，刻蚀液能够对光刻胶边缘所覆盖的薄膜层进行刻蚀。该刻蚀设备包括刻蚀腔，刻蚀腔内设置有工作台和刻蚀液喷头，工作台用于承载待刻蚀基板，待刻蚀基板包括依次覆盖衬底基板的薄膜层和光刻胶，刻蚀液喷头可向所述待刻蚀基板上喷淋刻蚀液。工作台连接有振动机构，用于驱动所述工作台振动，以使得上述待刻蚀基板上的刻蚀液与光刻胶边缘覆盖的薄膜层相接触。该刻蚀设备用于对待刻蚀基板进行刻蚀。
一种刻蚀设备

[实用新型]一种晶圆湿法刻蚀系统-CN201921866659.X有效
发明人：熊佳瑜;李绪;陈浩;廖世旺;廖昌洋 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆湿法刻蚀系统，包括：晶圆湿法刻蚀装置，包括控制器和晶圆刻蚀机台；刻蚀液供应装置，包括：第一和第二刻蚀液供应装置，第一刻蚀液供应装置包括用于容纳刻蚀液的第一储液容器、连接第一储液容器和晶圆刻蚀机台的第一管路以及设置在该第一管路上的第一阀门；第二刻蚀液供应装置包括用于容纳刻蚀液的第二储液容器、连接第二储液容器和晶圆刻蚀机台的第二管路以及设置在该第二管路上的第二阀门，第一刻蚀液供应装置还包括安装在第一储液容器中的第一连续式液位测量装置，第二刻蚀液供应装置还包括安装在第二储液容器中的第二连续式液位测量装置
一种湿法刻蚀系统

[发明专利]钒的氧化物各向异性刻蚀的方法-CN201710334171.1有效
发明人：李俊杰;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明提供了一种钒的氧化物各向异性刻蚀的方法。该方法包括以下步骤：S1，采用Cl基气体对V_xO_y层进行第一等离子体刻蚀，并在刻蚀的过程中通入O₂和Ar；S2，采用包括N2、H2和Ar中至少一种的后处理气体对第一等离子体刻蚀后的V_xO_y层进行等离子处理。从而使部分氯化生成物会沉积在侧壁保护侧壁不被继续横向钻蚀，且引入的Ar离子会溅射部分V_xO_y材质反沉积于侧壁起到保护作用；并且，由于Cl基气体易于空气中的H₂O作用而产生的酸性物质，从而通过上述等离子处理能够将吸附于刻蚀表面的酸性物质去除或生成中性物质，进一步有效地避免了刻蚀表面后腐蚀现象的发生。
等离子体刻蚀各向异性刻蚀等离子处理刻蚀表面酸性物质氧化物侧壁沉积氯化物后处理侧壁保护中性物质氯化氟化物有效地沸点溅射刻蚀吸附钻蚀去除离子腐蚀引入

[发明专利]一种刻蚀设备-CN202011063042.1在审
发明人：吕光强 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀设备。其包括刻蚀液箱、传送装置及压合装置。其中，刻蚀液箱具有盛放刻蚀液的刻蚀液腔，上端设有与刻蚀液腔连通的刻蚀开口。传送装置能够将待刻蚀的产品传送至刻蚀开口上方。压合装置用于将产品压合于所述刻蚀开口处，压合装置的至少一部分设于所述刻蚀开口正上方以外的区域。上述刻蚀设备，其压合装置的至少一部分设于所述刻蚀开口正上方以外的区域，能够减少甚至避免压合装置运动所产生的尘屑落入刻蚀液腔而污染刻蚀液，且方便检修及维护。另外，该刻蚀设备自身设有传送装置，相较于通过外置装置对产品进行传输，方便产品传送，节省刻蚀所需设备的整体占用空间。
一种刻蚀设备

[发明专利]玻璃基板的薄化方法及显示面板的制作方法-CN202011071243.6在审
发明人：苍福瑞 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃基板的薄化方法及显示面板的制作方法，涉及显示技术领域，包括：提供一玻璃基板；获取第一储液罐中的第一刻蚀酸液，并利用旁通管道将第一刻蚀酸液注入第二储液罐；获取第二刻蚀酸液，并将第二刻蚀酸液注入第二储液罐；将第二储液罐中的第一刻蚀酸液和第二刻蚀酸液注入刻蚀线体，使第一刻蚀酸液与第二刻蚀酸液混合，并利用混合得到的刻蚀酸液对待薄化表面进行薄化处理。本申请通过在刻蚀酸液中预先加入刻蚀残渣，能够使刻蚀酸液快速跃过成核期，从而避免刻蚀残渣在待薄化表面发生聚集，解决了玻璃表面的凸起不良问题，采用上述薄化方法制作而成的显示面板不仅具有良好的薄化品质，也更加满足用户的轻薄化需求
玻璃方法显示面板制作方法

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