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[发明专利]酸性废液循环利用系统-CN201610274480.X有效
发明人：罗欢 -专利权人：上海八菱环保科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种酸性废液循环利用系统，包括加料罐、调控器以及用于电解酸性废液的电解槽。调控器包括相互匹配的可编程逻辑控制器和电磁阀，电磁阀包括废液电磁阀、回收电磁阀以及加料电磁阀。电解槽的入口与刻蚀机的出料口连接，电解槽的出口通过废液电磁阀与刻蚀机的进料口连接。电解槽的尾气回收口通过回收电磁阀与刻蚀机的进料口连接，加料罐通过加料电磁阀与刻蚀机的进料口连接。该循环利用系统可充分利用酸性废液电解过程中产生的废气和电解液，大大降低了对电解液和废气的处理难度，也避免了电解液和废气的浪费。
酸性废液循环利用系统

[实用新型]酸性废液循环利用系统-CN201620379642.1有效
发明人：罗欢 -专利权人：上海八菱环保科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种酸性废液循环利用系统，包括加料罐、调控器以及用于电解酸性废液的电解槽。调控器包括相互匹配的可编程逻辑控制器和电磁阀，电磁阀包括废液电磁阀、回收电磁阀以及加料电磁阀。电解槽的入口与刻蚀机的出料口连接，电解槽的出口通过废液电磁阀与刻蚀机的进料口连接。电解槽的尾气回收口通过回收电磁阀与刻蚀机的进料口连接，加料罐通过加料电磁阀与刻蚀机的进料口连接。该循环利用系统可充分利用酸性废液电解过程中产生的废气和电解液，大大降低了对电解液和废气的处理难度，也避免了电解液和废气的浪费。
酸性废液循环利用系统

[发明专利]一种降低铜工艺成本的方法-CN201510379503.9在审
发明人：徐亮 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本申请涉及一种降低铜工艺成本的方法，包括：将含过氧化氢的刻蚀液的一部分作为第一液流I通入刻蚀装置进行刻蚀；刻蚀后含铜离子的第二液流II返回至所述刻蚀液；将所述刻蚀液的一部分作为第三液流III流经强酸性阳离子交换树脂进行离子交换，其中，在所述离子交换的过程中，所述刻蚀液中的铜离子被吸附置换；离子交换后的第四液流IV返回至所述刻蚀液。通过本发明提供的方法和装置，能够低成本地控制刻蚀液铜离子的浓度，从而降低了刻蚀工序中铜工艺的成本。
一种降低工艺成本方法

[实用新型]一种刻蚀液快速中和反应罐-CN201922003724.2有效
发明人：邵暾 -专利权人：苏州费米苏路兴电子科技有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： B01F13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刻蚀液快速中和反应罐通过自控式流量控制阀分别控制碱性刻蚀液和酸性刻蚀液的添加比例，经过多部分层并进行混合中和之后，得到合适的混合溶液，在此过程中选择螺旋桨进行搅拌，因为其提供的水流间的冲击较大
一种刻蚀快速中和反应

[实用新型]一种酸性含铜刻蚀液处理系统-CN202021346453.7有效
发明人：康传海;张磊;沈彦志;牟凯丽;李中玉;黄璐;刘君琳 -专利权人：山东东顺环保科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种酸性含铜刻蚀液处理系统，所述酸性含铜刻蚀液处理系统包括依次管路连通的固液分离装置、油水分离装置、反应槽和压滤装置，所述压滤装置具有液体出口和固体出口，所述压滤装置的固体出口下方设置有酸溶槽通过对连接关系的改进，将酸性含铜刻蚀液去除固体杂质、除油后进行氧化、沉淀反应，沉淀生产氢氧化铜后通过压滤装置分离氧化铜和上清液，产生的氧化铜通过压滤装置的固体出口落入酸溶槽，酸溶槽中进行硫酸溶解氢氧化铜然后得到的硫酸铜溶液经过结晶后得到硫酸铜产品
一种酸性刻蚀处理系统

[发明专利]一种适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液及配制方法-CN201910309436.1在审
发明人：李潇逸;邢攸美;方伟华;尹云舰;李欢;洪明卫 -专利权人：杭州格林达电子材料股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液及配制方法，其特征在于，包括1‑20％重量份的无机酸，5‑25％重量份的过氧化氢，0.1‑5％重量份的环状胺类化合物，0.1‑10％重量份的氨基酸类化合物本发明所配制适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液主要应用于厚度达到或以上的铜膜层刻蚀工艺，其刻蚀均匀性好、侧向刻蚀角度小、无金属离子残留、无铜膜层残留、无氟环境友好绿色环保。
重量份酸性刻蚀液光刻工艺铜制程配制铜膜层残留氨基酸类化合物刻蚀均匀性无机磷酸盐无金属离子侧向刻蚀过氧化氢环境友好环状胺类刻蚀工艺绿色环保无机酸应用

[发明专利]含钌催化剂的刻蚀液、改性和回收方法-CN202310477420.8在审
发明人：田博元;邓占锋;徐桂芝;胡晓;杨岚;邓佳瑶;王一诺;杜兆龙;周旻;高博 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网浙江省电力有限公司;国网浙江省电力有限公司嘉兴供电公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：含钌催化剂的刻蚀液、改性和回收方法，该刻蚀液同时具有酸性和配位能力；所述酸性的特性能够与氧化钌、钌氢氧化合物、钌酸盐反应生成离子；所述配位的特性能够对包括三价、四价钌离子进行配位，形成稳定的络合离子，使得化学平衡向钌元素溶解向移动，促进钌的部分乃至全部解离.本发明用于表面改性时可以降低催化剂的粒径，增加比表面积，从而提升贵金属利用率；刻蚀液对表面原子具有重构效应，解决活性位点少的问题；刻蚀液去除掉贵金属氧化物中化学稳定性差的部分
催化剂刻蚀改性回收方法

[发明专利]晶圆的减薄方法-CN202210651965.1在审
发明人：祁玉发;许捷;姜剑光;时家淳;高鹏程;段亦峰;刘峰松;吴贤勇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，减薄方法包括：将耐酸性膜贴设于晶圆的正面；其中，耐酸性膜完全覆盖晶圆的正面；对晶圆的背面进行研磨减薄，直至晶圆的厚度达到目标厚度；利用刻蚀液对晶圆的背面进行平坦化处理可避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况
方法

[发明专利]一种刻蚀酸雾抽离器-CN201310635791.0在审
发明人：张田超;钟立华 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀酸雾抽离器，其用于湿式刻蚀中，该刻蚀酸雾抽离器包括有抽风管道、冷凝器、接液盘及回流管，该抽风管道内为负压并抽离刻蚀机腔室内形成的酸雾，该冷凝器位于抽风管道下方并连通该抽风管道，该冷凝器将抽离后的酸雾凝集成酸液，该接液盘位于该冷凝器下方并接收凝集的酸液，该回流管位于该接液盘底部并连通该接液盘，该回流管将该接液盘内的酸液导流进该刻蚀机腔室内。利用本发明的刻蚀酸雾抽离器，可避免在湿法刻蚀基板时，酸性液滴落在基板上导致对基板的刻蚀不均匀、产品良率低的问题。
一种刻蚀酸雾抽离器

[发明专利]一种晶片干燥方法-CN202210228871.3在审
发明人：唐斌;陈忠奎;朱红波;乐海威 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： F26B5/16 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片干燥方法，该方法在干燥槽内通入弱酸性水溶液，将晶片放入所述干燥槽内并浸泡在所述弱酸性水溶液内，往所述干燥槽内通入氮气及异丙醇蒸汽并排出所述弱酸性水溶液以实现晶片的干燥，其中，所述晶片表面具有刻蚀孔或刻蚀槽，所述刻蚀孔或所述刻蚀槽的底部显露出金属互连线，所述金属互连线的材质包括铝或铝铜合金。本发明的晶片干燥方法中，由于干燥槽内的液体采用弱酸性水溶液，可以阻止纯水水解提供氢氧根离子，从而阻止金属铝的腐蚀，防止金属连接处出现空洞异常而影响品质，最终提高互连金属线连接处的可靠性。本发明的晶片干燥方法并未引入其它的杂质或化学液，干燥成本低廉，可以进行大规模推广。
一种晶片干燥方法

[发明专利]一种酸性蚀刻液再生循环方法及系统-CN201710258832.7有效
发明人：黄天生 -专利权人：丰顺佳丰电子有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种酸性蚀刻液再生循环方法，包括：酸性蚀刻液的收集、酸性蚀刻液的过滤调配、超声波辅助电解、铜片分离和阳极液的循环使用等步骤，本酸性蚀刻液再生循环方法采用超声波催化电解并且通过精确调配控制酸性蚀刻电解液的浓度、电解电流密度和电解温度的配合，可以将酸性刻蚀液中的铜离子转化为纯度高达99％的铜片，并且大幅提高铜离子的析出速度，提高生产效率，同时也降低了生产能耗。本发明还提供了一种与酸性蚀刻液再生循环方法相匹配的酸性蚀刻液再生循环系统，采用超声波技术与离子膜技术相结合，不仅可以增强铜离子析出速度，而且可以进一步的提高铜离子析出的纯度，可以得到纯度99.8％以上的高纯度铜片
酸性蚀刻液再生循环铜离子电解析出铜片调配再生循环系统超声波催化超声波辅助超声波技术酸性刻蚀液生产能耗生产效率酸性蚀刻电解液高纯度离子膜阳极液过滤匹配转化配合

[发明专利]一种用于InAlSb芯片的刻蚀液及刻蚀方法-CN201710161962.9在审
发明人：何英杰;张亮;彭震宇;李墨;张利学;曹先存;吕衍秋;陶飞;张向锋;朱旭波;丁嘉欣;姚官生;张小雷;郭丽 -专利权人：中国空空导弹研究院
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于InAlSb芯片的刻蚀液及刻蚀方法，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明中的刻蚀液每100mL刻蚀液由10～30mol的H2O2、50～100g的C6H8O7、1～5mol的HF配制而成。本发明利用双氧水作为氧化剂，柠檬酸作为缓蚀剂，氢氟酸作为酸性剂，刻蚀速度适宜，利于工程化应用。刻蚀后芯片表面比较光滑，平整，比较利于后序工艺的制备。用这种刻蚀液制作的台面，钻蚀比较小，提高了有效占空比，适于大阵列小面元的制作。本发明的刻蚀方法简单，所需设备少，更进一步，通过实时测量刻蚀深度极大提高了刻蚀精度，有利于提高元器件的工作性能。
刻蚀刻蚀液双氧水半导体光电探测器芯片工程化应用有效占空比柠檬酸氧化剂工作性能实时测量芯片表面缓蚀剂氢氟酸酸性剂台面元器件小面钻蚀光滑制备制作配制平整制造

[实用新型]一种湿法刻蚀机-CN201420420478.5有效
发明人：李永洋;李建朋;吴成新;王月超;杨晓超 -专利权人：天津英利新能源有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿法刻蚀机，包括刻蚀槽及其盖板、清洗槽及其盖板；刻蚀槽下侧设有储液罐，二者之间设有注液管道和回流管道，储液罐内设有第一热交换器；清洗槽下侧设有储水罐，二者之间设有注水管道和回水管道；湿法刻蚀机还包括冷却储水罐内介质的冷却装置，冷却装置的预设温度小于或等于第一热交换器的预设温度，使储水罐的预设温度小于或等于储液罐的预设温度，从而使得清洗槽上方的水汽温度小于或等于刻蚀槽上方的酸气温度，气流流动时，不会形成酸性液滴，从根本上避免了刻蚀槽上方盖板液滴的凝结，避免了硅片在刻蚀过程中形成不合格片。
一种湿法刻蚀

[发明专利]一种绒面ZAO透明导电薄膜的制备工艺-CN201410222578.1无效
发明人：王晓晶 -专利权人：王晓晶
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种绒面ZAO透明导电薄膜的制备工艺，包括：采用乙酸溶液腐蚀ZAO薄膜，所述乙酸浓度为1％，刻蚀时间为10±3s。本发明利用酸性较弱的乙酸溶液为刻蚀液，对TPT柔性基ZAO透明导电薄膜进行刻蚀的工艺条件，薄膜具有较好的绒面结构和光电性能。
一种 zao 透明导电薄膜制备工艺

[发明专利]一种晶体硅电池酸制绒蜂窝结构的方法-CN201110419479.9无效
发明人：吴国强;徐华浦;王庆钱 -专利权人：浙江鸿禧光伏科技股份有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体硅电池酸制绒蜂窝结构的方法，包括如下步骤：a.将太阳能电池硅片进行腐蚀图形设计打印；b.利用酸性刻蚀液HNO3+HF进行腐蚀刻蚀；c.利用蜡清洗液对保护蜡进行溶解，去除；并通过稀释的碱液进行初步清洗，后进行纯水清洗；d.采用稀释的酸性刻蚀液HNO3+HF进行对硅表面的损伤层去除，形成酸式制绒蜂窝结构。
一种晶体电池酸制绒蜂窝结构方法