“邻近层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2545885个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202011088988.3在审
发明人： M·J·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的第一层及第二层的堆叠。横向地在直接横向邻近的存储器块区之间且纵向地沿着所述直接横向邻近的存储器块区将介入材料形成到所述堆叠中。所述介入材料的所述形成包括横向地在所述直接横向邻近的存储器块区之间且纵向间隔地沿着所述直接横向邻近的存储器块区形成柱。所述柱个别地延伸通过所述第一层及所述第二层中的每一者中的多者。在形成所述柱之后，沿着直接纵向邻近的所述柱且在所述直接纵向邻近的所述柱之间个别地形成介入开口。在所述介入开口中形成填充材料。揭示包含结构的其它实施例。
存储器阵列用于形成包括单元方法

[发明专利]压电致动器、包含它的液体喷头及其制造方法-CN03120708.1无效
发明人：张俊华 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H02N2/04 文献下载
摘要：第一公共电极具有一个第一邻近部分和从第一邻近部分延伸出来的第一分支部分。每一个第一分支部分上层叠一个第一压电层。每一个第一压电层上层叠一个驱动电极。每一个驱动电极上层叠一个第二压电层。设定为预定电位的第二公共电极具有一个第二邻近部分和从第二邻近部分延伸出来的第二分支部分，使得每一个第二压电层上层叠一个第二分支部分。一个导电部件电气连接第一邻近部分和第二邻近部分。
压电致动器包含液体喷头及其制造方法

[发明专利]包括声再分布层的声谐振器-CN201510146470.3有效
发明人：达里乌斯·布拉卡;斯特凡·巴德;亚历山大勒·施拉卡瓦;凯文·J·格伦纳 -专利权人：安华高科技通用IP(新加坡)公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括声再分布层的声谐振器。一种声谐振器结构包括：压电层，其具有第一表面及第二表面；第一电极，其邻近于所述第一表面安置；及第二电极，其邻近于所述第二表面安置。所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗。所述第二电极可安置于衬底与所述压电层之间，且所述第二电极可包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗
压电层阻抗安置第二电极声谐振器导电层邻近第一导电层第二表面第一表面第一电极再分布层第二导电层衬底

[发明专利]超导线、超导线圈、超导磁体和超导设备-CN201780090147.6有效
发明人：大木康太郎;永石龙起 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：在超导线中，超导材料接合层接合第一线的第一超导材料层的第一端部与第二线的第二超导材料层的第二端部。第一线和第二线被设置成使得位于第一线在其纵向方向上的一端处以邻近第一端部的第一端面和位于第二线在其纵向方向上的一端处以邻近第二端部的第二端面被定位成面向相同的方向。第一线还包括第一导体层，第一导体层设置在第一主表面上使其在邻近第一端部的位置。第二线还包括第二导体层，第二导体层设置在第二主表面上使其在邻近第二端部的位置。第一导体层和第二导体层彼此连接。
导线超导线圈磁体设备

[发明专利]用于光伏器件的层结构和包括其的光伏器件-CN201880086779.X在审
发明人：陈乐;J.郭;D.维斯 -专利权人：第一阳光公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种用于光伏器件的层结构，包括：包括氧化锡铟的透明导电氧化物层(20)；邻近透明导电氧化物层的氧化锡铟的二氧化锡层(30)；和邻近二氧化锡层的氧化镁锌层(40)，其中氧化镁锌层为氧化锌和氧化镁的合金。光伏器件，包括：包括氧化锡铟的透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层的氧化锡铟上布置的二氧化锡层；邻近二氧化锡层的氧化镁锌层，其中氧化镁锌层为氧化锌和氧化镁的合金；和在氧化镁锌层上布置的吸收层，其中吸收层包括镉
用于器件结构包括

[发明专利]显示装置-CN201711266551.2有效
发明人：金璟陪;金一坤;金玄俊 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示装置，该显示装置能够改善图像质量，包括：第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间彼此邻近并且沿着第一方向设置的第一颜色层和第二颜色层；第三颜色层，包括在第二方向上与第一颜色层邻近的第一划分颜色层，以及在第一方向上与第一划分颜色层邻近并且在第二方向上与第二颜色层邻近的第二划分颜色层；遮光层，包括在第一颜色层与第二颜色层之间的第一遮光部分，以及在第一划分颜色层与第二划分颜色层之间的第二遮光部分。第一颜色层、第二颜色层和第三颜色层发射不同颜色的光，并且第一颜色层、第二颜色层和第三颜色层中的至少两个具有不同的尺寸。第一遮光部分和第二遮光部分的宽度基本相等。
显示装置

[发明专利]磁性结、磁性存储器以及提供所述磁性结的方法-CN201810517378.7有效
发明人：唐学体;冯根;默罕马·托尔菲克·昆恩比 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：所述磁性结包括被钉扎层、非磁性分隔层、自由层、氧化物层及至少一个氧阻挡层。当写入电流通过所述磁性结时，所述自由层能够在多种稳定磁性状态之间切换。所述非磁性分隔层位于所述被钉扎层与所述自由层之间。所述氧化物层邻近所述自由层。所述自由层位于所述非磁性分隔层与所述氧化物层之间。所述氧阻挡层具有选自邻近所述氧化物层与邻近所述被钉扎层的位置。在一些方面中，磁性结还可包括氧吸附层和/或微调层。
磁性存储器以及提供方法

[发明专利]具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法-CN201410403876.0有效
发明人：王立廷;蔡腾群;林正堂;陈德芳;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：第一垂直器件包括第一源极；位于第一源极上方的第一沟道；位于第一沟道上方的第一漏极；邻近第一沟道的第一导电层；以及邻近第一导电层的第一栅极。第二垂直器件包括第二源极；位于第二源极上方的第二沟道；位于第二沟道上方的第二漏极；邻近第二沟道的第二导电层；以及邻近第二导电层的第二栅极。本发明涉及具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法。
具有阈值电压半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶片层合体和制备方法-CN201611052097.6有效
发明人：安田浩之;菅生道博;加藤英人 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C09J183/06 文献下载
摘要：晶片层合体具有夹在透明基底(1)和晶片(2)之间的粘合剂层(3)，其中晶片的形成电路的表面朝向所述粘合剂层。所述粘合剂层(3)包括邻近基底设置并具有遮光性质的第一固化树脂层(3a)和邻近晶片设置并包括热固性树脂组合物的固化物的第二固化树脂层(3b)。
晶片合体制备方法

[发明专利]具有低K间隔物的半导体器件及其形成方法-CN201380005894.7有效
发明人：程慷果;B·B·桃瑞丝;A·克哈基弗尔鲁茨;小道格拉斯·C·拉图利佩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：SOI衬底(110)上的栅极叠层包括栅极电介质层(185)和栅极导体层(190)。低k间隔物(175)邻近于栅极电介质层(185)。凸起源极/漏极(RSD)区域(160)邻近于低k间隔物(175)。低k间隔物(175)嵌入RSD区域(160)上的层间电介质(ILD)层(165)中。
具有间隔半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201410705319.4在审
发明人：卢文泰;陈豪育;林育樟;聂俊峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、位于沟道区域上方的栅极结构、邻近栅极结构的层间介电(ILD)层以及邻近栅极结构的顶部且位于ILD上方的ILD应力层。第一应力记忆区域邻近栅极结构的顶部。还提供了制造半导体器件的方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有内外间隔物的横向双极型晶体管结构及其形成方法-CN202211035142.2在审
发明人：亚历克斯·德里克森;J·L·莱蒙;王海艇;J·R·霍尔特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：横向双极型晶体管结构可以具有位于绝缘体上方的发射极/集电极E/C层。E/C层具有第一掺杂类型。第一基极层位于绝缘体上且邻近E/C层。第一基极层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。第二基极层位于第一基极层上且具有第二掺杂类型。第二基极层的掺杂浓度大于第一基极层的掺杂浓度。内间隔物位于E/C层上且邻近第二基极层。外间隔物位于E/C层上且邻近内间隔物。
具有内外间隔横向双极型晶体管结构及其形成方法

[发明专利]确定页岩与邻近油层一体化开发方式的方法及装置-CN201910762449.4有效
发明人：侯连华;王京红;侯玮婕;张紫芸;景辅泰 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种确定页岩与邻近油层一体化开发方式的方法及装置，其中，该方法包括：根据研究区目的层的测井资料，确定有效页岩厚度，邻近有效油层的顶有效边界、底有效边界；确定有效页岩的邻近有效油层的最大渗流半径；根据有效页岩厚度、顶有效边界、底有效边界和最大渗流半径，确定有效页岩与邻近有效油层一体化开发布井模式；根据开发布井模式，确定完井方式；根据完井方式，确定注气井总的射孔簇数，邻近有效油层每一层的对应射孔簇数，每簇射孔的单位时间的注气量，以及单位时间注气井总的注气量；有效页岩与所有邻近有效油层采用波动水平井或直井钻穿连通。上述技术方案实现了页岩与邻近油层一体化高效开发，提高了邻近油层采收率。
确定页岩邻近油层一体化开发方式方法装置

[发明专利]衬底结构、包含衬底结构的半导体封装结构，以及制造半导体封装结构的半导体工艺-CN201810153592.9有效
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种衬底结构包含介电层、第一电路层、第二电路层和至少一个导电柱。所述介电层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电路层安置于邻近所述介电层的所述第一表面。所述第二电路层安置于邻近所述介电层的第二表面，且电连接到所述第一电路层。所述第二电路层包含多个垫，以及至少一个迹线安置于所述多个垫中的两个邻近垫之间。所述至少一个导电柱朝所述第二电路层渐缩，且安置于所述垫中的一者上。所述介电层的所述第二表面的一部分从第二表面层暴露。
衬底结构包含半导体封装以及制造工艺

[发明专利]改进的场阻止晶闸管结构及其制造方法-CN201780087732.0在审
发明人：沈明德;张环;李栋良;周继峰 -专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：功率切换设备可包括：半导体衬底和包含n型掺杂物的主体区域，该主体区域设置在半导体衬底的内部部分中；邻近半导体衬底的第一表面设置的第一基础层，该第一基础层包含p型掺杂物；邻近半导体衬底的第二表面设置的第二基础层，该第二基础层包含p型掺杂物；邻近半导体衬底的第一表面设置的第一发射极区域，该第一发射极区域包含n型掺杂物；邻近半导体衬底的第二表面设置的第二发射极区域，该第二发射极区域包含n型掺杂物；布置在第一基础层和主体区域之间的第一场阻止层，该第一场阻止层包含n型掺杂物；以及布置在第二基础层和主体区域之间的第二场阻止层，该第二场阻止层包含n型掺杂物。
基础层衬底半导体发射极区域主体区域阻止层邻近第二表面第一表面功率切换设备