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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通孔结构及其方法-CN201811062963.9在审
发明人：张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例还涉及通孔结构及其方法。
栅极间隔侧壁密封间隔通孔结构栅极堆叠氮化硅沟道区介电层半导体器件覆盖密封间隔件氧化硅衬底覆盖垂直

[发明专利]填充通孔的方法-CN201910388584.7在审
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种填充通孔的方法。在为基板，例如印刷电路板中的具有通闪镀铜层的孔进行铜电镀的过程中，所述方法抑制或减少了凹陷或孔隙将包含二硫化物化合物的酸溶液施加到基板中的通孔，随后采用包含添加剂，如光亮剂和流平剂的酸性铜电镀浴，用铜填充通孔
通孔铜电镀基板填充二硫化物化合物印刷电路板光亮剂流平剂酸溶液铜填充凹陷闪镀铜层添加剂施加

[发明专利]自保持通孔探头-CN201811562985.1在审
发明人： D.T.恩格奎斯特;B.S.曼特尔 -专利权人：特克特朗尼克公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：一种自保持通孔探头，其中平面体构造为使得其边缘与被测器件的通孔的侧壁接合以产生点的电接触，并且该平面体阻止该平面体在插入后从通孔去除。平面体的边缘可包括产生点的电接触且阻止平面体在插入后从通孔去除的倒钩。平面体的插入到通孔中的端部可形成锥形尖端以便于插入。平面体的插入到通孔中的端部可包括阻止平面体在插入后从通孔去除的倒钩。平面体的边缘可包括止动件，其防止插入到通孔中的平面体进一步而超过止动件。
平面体通孔去除电接触止动件自保持倒钩探头被测器件侧壁接合锥形尖端

[发明专利]通孔锚栓装置-CN202010614479.3在审
发明人：丁凯 -专利权人：江苏凯宇建材科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： E04B1/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔锚栓装置，属于建筑保温模板锚栓技术领域。一种通孔锚栓，包括带通孔锚栓杆，带通孔锚栓杆的一端固定有固定盘，带通孔锚栓杆的另一端装有可拆的活动端盘，带通孔锚栓杆中间的外壁上安装有调节盘，调节盘通过调节机构安装在带通孔锚栓杆中间的外壁上。
通孔锚栓装置

[发明专利]穿硅通孔制造-CN202010170957.6在审
发明人：罗伯特·爱德华·西嘉石;索恩·泰·陆;埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明题为“穿硅通孔制造”。一个或多个实施方案涉及通过具有低电阻和高密度的硅晶片建立电连接，同时维持可加工性以用于进一步制造。通过硅晶片的此类连接实现从硅晶片的顶侧到硅晶片的底侧的低电阻连接。
穿硅通孔制造

[发明专利]通孔填充用糊料-CN201980020720.5在审
发明人：大山秀树;田中孝幸;林荣一 -专利权人：味之素株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供可得到镀覆密合性优异的固化物的通孔填充用糊料等。一种通孔填充用糊料，其是包含（A）磁性粉体、（B）环氧树脂及（C）固化剂的通孔填充用糊料，其中，（A）磁性粉体利用包含选自Si、Al及Ti中的至少1种元素的表面处理剂进行了表面处理。
填充糊料

[发明专利]通孔激光加工方法-CN202110590856.9在审
发明人：邓耀锋;龙明昇;张向阳;李晓康;廖文;吕启涛;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B23K26/382 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔激光加工方法，包括步骤：将工件固定到加工位置；设置激光切割头的加工参数；确定待加工通孔的位置轮廓；选取所述轮廓内的点，控制激光进行脉冲穿孔；控制激光从所述加工点移动至所述轮廓上，并沿着所述轮廓进行切割本发明首先对工件进行激光穿孔以便于后续切割排渣，然后再利用激光对待加工通孔的轮廓的轨迹进行切割，有效地提高了针对硬质材料进行通孔加工的切割效率。
激光加工方法

[发明专利]通孔的制造方法-CN202011501681.1在审
发明人：姚道州;孟艳秋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、在层间膜表面形成DARC层；步骤二、在DARC层表面形成无氮掺杂的碳涂层；步骤三、在无氮掺杂的碳涂层的表面形成低温氧化层，由无氮掺杂的碳涂层和低温氧化层叠加形成硬质掩膜层；步骤四、进行光刻形成光刻胶图形将通孔的形成区域打开；步骤五、以光刻胶图形为掩膜对通孔的形成区域的硬质掩膜层进行第一次刻蚀；步骤六、以硬质掩膜层为掩膜对依次对DARC层和层间膜进行第二次刻蚀形成通孔的开口本发明能得到小尺寸以及高深宽比的通孔。
制造方法

[发明专利]通孔形成方法-CN201911007775.0在审
发明人：吴佳蒙;史波;肖婷;敖利波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔形成方法，首先在半导体衬底上沉积光刻胶层，通过图案化光刻胶层，去除除预设通孔的预设位置以外的光刻胶，在通孔的预设位置处形成了光刻胶凸起，再沉积层间介质层覆盖形成有光刻胶凸起的半导体衬底紧接着对沉积的层间介质层进行刻蚀，至暴露出光刻胶凸起，最后，去除光刻胶，即可在预设位置形成通孔。将原需要靠刻蚀直接在层间介质层形成的通孔，通过在通孔位置预先用光刻胶覆盖，保证了一定的开孔率，改善了通孔的形貌，有益于后续的金属填充并能减少漏电，增加半导体器件产出良率，提高半导体器件性能。
形成方法

[发明专利]通孔的制造方法-CN202111134771.6在审
发明人：赵博超;高宏;肖雨;代新杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的底层金属线和底层层间膜表面上形成当前层层间膜。步骤二、定义出通孔的形成区域。步骤三、采用干法刻蚀对当前层层间膜进行主刻蚀形成通孔的开口，主刻蚀的刻蚀气体的选择比的设置同时会使主刻蚀过程中在停止层的表面产生难以去除的副产物。步骤五、填充金属层形成通孔。本发明能消除通孔的填充金属和底层金属线之间的空隙，从而能降低通孔的电阻，提高器件的性能。
制造方法

[发明专利]通孔及其制造方法-CN202011171786.5在审
发明人：徐建华;曾招钦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔，包括：通孔开口以及将通孔开口完全填充的Ti层、胶水层和钨层；Ti层进行了退火处理使Ti层和通孔开口的底部的硅衬底发生硅化反应并形成TiSi层；钨层包括钨籽晶层和钨主体层；钨籽晶层覆盖在所述胶水层表面上本发明公开了一种通孔的制造方法。本发明能采用和胶水层相组合的Ti层自对准形成TiSi层，同时能防止TiSi层的退火使胶水层产生较大的晶格颗粒，从而能使钨籽晶层为连续结构并防止钨层中出现缝隙。
及其制造方法

[发明专利]硅通孔加工方法-CN202310356953.0在审
发明人：陈齐松;杜祥雷;傅剑宇;陈桥波;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请关于硅通孔加工方法，涉及半导体器件材料技术领域。；在第一表面制备预设图形；基于预设图形在双抛片的第一表面的硅化合物层上以第一预设深度进行刻蚀，第一预设深度为200μm~300μm；曝光；对第一表面进行保护；自第二表面在硅化合物层上进行刻蚀至双抛片刻通；对刻通后的双抛片进行去胶。在进行TSV加工的过程中，将双抛面相对的两个表面上分别生成硅化合物层，并在生成硅化合物层后，从第一表面进行部分刻蚀，在刻蚀后，在第二表面制备相同的图案，并从第二表面开始刻蚀至双抛片刻通。
硅通孔加工方法

[发明专利]通孔结构及其方法-CN202210871557.7在审
发明人：张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明的实施例还涉及通孔结构及其方法。
结构及其方法

[发明专利]填充通孔的方法-CN201410200977.8有效
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及填充通孔的方法。该方法抑制或减少在对基板例如印刷电路板的具有闪镀铜层的通孔进行电镀铜的过程中的凹痕和孔隙。将包含由芳族杂环氮环化合物和含环氧化物的化合物的反应产物的酸性溶液施加到基板的通孔上，随后用包含添加剂例如光亮剂和流平剂的铜电镀浴对通孔进行填充。
填充方法

[发明专利]井盖通孔清理装置-CN201510453182.2有效
发明人：王学风;王学平 -专利权人：长兴恒绵塑业有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： E02D29/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种井盖通孔清理装置，包括设有漏水通孔的井盖本体，相邻漏水通孔之间设有盖体通孔连接体，在盖体通孔连接体背面设有向上凹进的收纳槽，收纳槽内设有升降旋转清扫刷以及驱动升降旋转清扫刷的驱动电机及控制电路，平时升降旋转清扫刷收纳在盖体连接体背部的收纳槽内，需要进行清理漏水通孔时，打开清扫刷，刷体从收纳槽内下降出来至漏水通孔底部并旋转至通孔孔位底部处实现对漏水通孔的清理去堵；清扫刷采用朝向漏水通孔的钢丝毛刷体可以及时有效自动实现对井盖安装面上的通孔进行清理去堵，可保持井盖漏水通孔通畅性，充分发挥井盖漏水通孔本身应有功效作用。
井盖清理装置

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